片式叠层陶瓷电容器(MLCC).ppt

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,1,片式叠层陶瓷电容器,(MLCC),2,MLCC,简介,片式叠层陶瓷介质电容器（,Multi-layers Ceramic Capacitor,缩写为,MLCC,），俗称独石电容器，是陶瓷电容器中的一个重要部分。,MLCC,结构类似于并联叠式的瓷介电容器，其特点是将涂有金属电极的瓷介坯体与电极同时烧结成一个整体，这种结构称为独石结构，故有独石电容器之称。,3,它是电子信息产业最为核心的电子元件之一，除具有一般瓷介电容器的优点外，还具有体积小、容量大、机械强度高、耐湿性好、内感小、高频特性好、可靠性高等一系列优点，并且可制成不同容量温度系数、不同结构形式的片形、管形、穿心形及高压的小型独石电容器。,各种类型独石电容器被作为外贴元件广泛地应用于混合集成电路和其他小型化、可靠性要求高的电子设备中。,其技术质量水平的高低对于一个国家的电子信息产业的制造水平有着重大的影响。,MLCC,简介（续）,4,MLCC,以其在电性能、可靠性方面的卓越表现替代了越来越多的铝电解电容器、钽电解电容器、圆片瓷介电容器的市场，已在电容器市场尽显霸主风采。,目前全世界,MLCC,的年销售量已达,10000,亿,只左右，国内需求量已经达到,3000,亿,只。,广泛应用于家电、手机、电脑、军工、航天等电子信息类领域,。,MLCC,的市场及应用领域,5,早期的陶瓷电容器市场中，圆片陶瓷介质电容器一直是主流产品；,20,世纪六七十年代以后，,MLCC,产品逐渐取代圆片陶瓷介质电容器产品成为市场主流；,(,内电极技术、,SMT),20,世纪,九十年代至,21,世纪初，是,MLCC,行业大发展的时期。（,BME,、小型、高容）,MLCC,国外发展史,6,20,世纪,90,年代中后期，日资,MLCC,企业先后设立了北京村田、上海京瓷、东莞太阳诱电等合资与独资企业，以天津三星电机为代表的韩资企业也开始成为一支新型力量。这一阶段，,BME,核心技术为基础的低成本,MLCC,开始进入商业实用化阶段。,21,世纪初，台湾,MLCC,全面普及,BME,技术。国巨、华新、达方等台资企业全面崛起，彻底打破了日资企业在,BME,制造技术的垄断。同时，风华、宇阳及三环这三家国内元器件企业也相继完成了,BME,技术的改造和产业化，成为,MLCC,主流产品本地化制造供应源。,MLCC,国内发展史（续）,7,MLCC,的结构,Cu/Ag,引出层，,Ni,热阻挡层，,Sn,可焊层,8,MLCC,剖面,的,SEM,9,第,类,:,温度补偿型固定电容器，包括通用型高频,CG,、,CH,电容器和温度补偿型高频,HG,、,LG,、,PH,、,RH,、,SH,、,TH,、,UJ,、,SL,电容器,;,第,类,:,固定电容器,，一般有,X7R,、,X5R,以及,Y5V,、,Z5U,温度特性系列。,MLCC,的分类,-,按温度特性分类,X7R,、,X5R,系列具有较高的介电常数，容量比,类电容器高，具有较稳定的温度特性,Y5V,类介质材料是所有电容器中介电常数最大的电容器，但其容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量、温度变化不大的电路中,Z5U,类介质材料，其温度特性介于,X7R,和,Y5V,之间,10,EIA,第一号,X,Y,Z,-55,-30,+10,第二号,2,4,5,6,7,+45,+65,+85,+105,+125,第三号,E,F,P,R,T,U,V,4.7%,7.5%,10%,15%,+22-33%,+22-56%,+22-82%,美国电子工业协会对电容温度特性的规定（,EIA RS-198D,标准,）,1,2,为工作温度范围，,3,为容量变化率。如,X7R,表示为当温度在,-55,+125,时其容量变 化为,15%,11,国标与,EIA,标准,如美国,EIA,标准的,Y5V,瓷料、,Z5U,瓷料、,X7R,瓷料电容器瓷料分别对应国标,GB/T5596-1996,标准的,2F4,瓷料、,2E4,瓷料、,ZX1,瓷料，其,Tc,值分别对应：,+22%,-82%,、,+22%,-56%,、,15%,，这是目前在低频,MLCC,领域使用最为广泛的三种低频温度特性类别电容器瓷料。,12,按,MLCC,的外形尺寸，一般可分为,0201,、,0402,、,0603,、,0805,、,1206,、,1210,、,1808,、,1812,、,2225,、,3035,等规格，前两位数表示,MLCC,的长度，后两位表示,MLCC,的宽度，单位为英寸，如,0402,规格，表示长度为,0.04,英寸，宽度为,0.02,英寸。,MLCC,的分类,-,按尺寸分类,13,14,MLCC,不同尺寸规格,尺寸规格,0402,0603,0805,1206,1808,2225,长,宽,(,英寸,),0.040.02,0.060.03,0.080.05,0.120.06,0.180.08,0.220.25,长,宽,(,毫米,),1.00.50,1.60.80,2.001.25,3.201.60,4.502.00,5.706.30,15,MLCC,产品额定工作电压很多，有,3.9V,、,6.3V,、,10V,、,16V,、,25V,、,50V,、,100V,、,200V,、,250V,、,500V,、,630V,、,1kV,、,2kV,、,3kV,、,4kV,、,5kV,等，其中最常见的为,50V,。小于,50V,的多为高层数、大容量产品，习惯上将,100V,以及,100V,以上产品称为中高压,MLCC,产品，而,630V,以上的则被称为高压,MLCC,产品。,MLCC,的分类,-,按额定工作电压分类,16,片式电容器,(MLCC),17,MLCC,的制造工艺,18,陶瓷介质薄膜制作,-,配料,陶瓷介质薄膜制备方法应用最多的是流延法。在流延前，需将陶瓷材料与黏合剂、有机溶剂、分散剂等按一定比例混合在一起，通过球磨等方式使之混合均匀，形成具有一定流动性的陶瓷浆料，这个过程叫配料。这是制造,MLCC,的第一步，也是极为关键的一步。,19,配料,-,瓷浆中各种组分的作用,陶瓷粉的常见种类,:,高频低介电常数陶瓷材料：,NPO,低频中介电常数陶瓷材料：,X7R,低频高介电常数陶瓷材料：,Y5V,20,黏合剂的作用,:,增塑，改善粘度以方便流延成型,黏合剂的种类：有溶剂型和水基型黏合剂。由于溶剂型比水基型易于工艺控制，目前国内外的,MLCC,厂家大部分使用溶剂型黏合剂,配料,-,瓷浆中各种组分的作用,黏合剂,乙基纤维素 丙烯酸树脂,21,溶剂,作用：溶解黏合剂、添加剂并且辅助瓷粉与黏合剂更好地混合,常用的溶剂：甲苯,（不环保）,、无水乙醇、水、甲基乙基酮（,MEK,）、醋酸乙酯等,配料,-,瓷浆中各种组分的作用,22,分散剂与消泡剂,分散剂具有润湿、分散和稳定的功能,消泡剂,具有消泡和抑泡的作用。在,MLCC,中一般使用有机硅消泡剂。,配料,-,瓷浆中各种组分的作用,23,气泡的产生与消泡,“,气泡,”,是指不溶性气体存在于液体或固体中，,纯水和纯表面活性剂不起泡，这是因为它们的表面和内部是均匀的，很难形成弹性薄膜，即使形成亦不稳定，会瞬间消失。,但在溶液中有表面活性剂的存在，气泡形成后，由于分子间力的作用，其分子中的亲水基和疏水基被气泡壁吸附，形成规则排列，其亲水基朝向水相，疏水基朝向气泡内，从而在气泡界面上形成弹性膜，其稳定性很强，常态下不易破裂。,24,气泡的产生与消泡（续）,有机硅消泡剂即赋此功能，它能降低水、溶液、悬浮液等的表面张力，防止形成泡沫，或使原有泡沫减少,当体系加入消泡剂后，其分子杂乱无章地广布于液体表面，抑制形成弹性膜，即终止泡沫的产生。,25,分散设备,26,球磨机与节能,球磨机是陶瓷行业中耗能较大的一环,球磨机研磨介质质量,新型球磨工艺,连续式球磨机,(,节省,20%,以上的能量、一台产量相当于,7,台间隔式机，节省占地面积,),干法球磨,27,陶瓷介质薄膜制作,-,流延,采用轧膜法能保证瓷膜致密、气孔小，但瓷膜的厚度难以达到最小,流延法是将配制好的瓷浆通过流延设备的注浆口，通过刮刀控制涂布在环形钢带或塑料带上，从而形成一层均匀的浆料层。其厚度可由浆料的黏度、刮刀口的宽度及钢带的走带速度调节。流延出的瓷膜平整，光洁度高，常见厚度在,1,60m,之间。,28,轧膜法与流延法原理示意图,轧膜法,流延法,29,流延机,30,介质厚度方面进展,降低介质厚度是降低成本的一个重要因素,.,在薄质大容量,MLCC,制造领域,日系生产商中以太阳诱电,(TAIYOYUDEN),公司最为著名,.,目前,世界上主要,MLCC,生产商都在日本,如,TDK,、村田,(Murata),、太阳诱电、京瓷,(Kyocera),等公司,.,日本,MLCC,的关键技术都处于保密状态之中,.,美国的几家电容器企业,包括,AVX,、,KEMET(,基美,),等在薄介质、高层数方面虽然比日本慢,3,年,5,年,但亦已经做到,500,层以上,介质膜厚,8m.,31,介质厚度方面进展,(,续,),当前世界最高水平的全自动大生产是在日本的,TDK,它的全自动大生产化操作的介质厚度可达,4m,而实验室可做出,2m,以下介质层厚度以及容量,100F,以上的,MLCC.,据报道,目前在日本,500,层的,MLCC,已正常生产,800,层技术已成熟,最高层数,(,实验室内,),已达,1000,层之多,相应的电极层厚度趋于,1m,以下,介质厚度逼近,1m.,32,介质厚度方面进展,(,续,),介质膜厚度进一步减至,3m5m,时,相应的电子陶瓷材料粒度亦下降至,0.1m0.2m,而且对粉体的形貌要求越来越高,.,由于电子陶瓷原材料在薄质大容量,MLCC,工艺技术中至关重要,日本厂家都是自产自用,.,风华集团代表了国内,MLCC,制作的最高水平,掌握了材料的核心关键技术,成膜技术达到,3m,丝印叠层技术达到,500,层,.,33,降低介质厚度,(,续,),在介质薄片成型方面能否有所突破,能制备出更薄的介质片,(,超过,1,微米极限,),能生产出容量更大的,MLCC?,请各位同学思考,!,也许你今天的想法就是明天制作技术发展的方向,!,没有你做不到的，只有你想不到的。,34,内电极制作,-,丝印,在流延制好的陶瓷介质膜片上将内电极浆料印刷成一定形状与尺寸的内电极图形，并利用错位、叠印的方法形成内电极结构,35,丝网印刷法,丝网板的结构,:,它是将丝网,(,单根聚脂丝或不锈钢丝,),紧绷在铝制框架上，获得一个平坦而有柔性的丝网表面，丝网上粘有光敏乳胶，用光刻法制作出开口图形。开口部分与印制板上的焊盘相对应。,36,37,丝网印刷的原理：,利用了流体动力学的原理,静态时，丝网与,SMB,之间保持,“,阶跃距离,”,，,刮刀刷动时，向下的压力使丝网与,SMB,接触,，当刮刀向前移动，在它后方的丝网即回弹脱离,SMB,表面，结果在,SMB,焊盘上就产生一低压区，由于残留在丝网孔中焊膏上的大气压与这,一低压区存在压差，,所以就将焊膏从网孔,中推向,SMB,表面，形,成焊膏图形。,。,38,内电极制作,-,丝印的要求,上下电极正对位置不能有移位或偏斜，否则将直接影响,MLCC,的电容量和可靠性,金属量用的多会造成成本上升，用的少了会导致烧结后电极层连续性差，影响电容器的容量，并使其损耗增加,当印刷不均匀或不平整的时，当芯片在受到电场作用时，内电极凹凸处会因为骤集过多的电荷而使内电极被击穿，或形成板电阻而使内电极发热过度烧坏。,生产车间的尘埃含量控制在小于每,立方米,5,颗（小于等于,5m,的尘埃）,39,内电极剖面,SEM,40,内电极制作,-,叠层,将印刷好内电极图形的陶瓷介质膜片按产品设计要求，借助于膜片本身的黏性和叠层机的压力将膜片叠在一起形成一个整体，简称电极,巴块。,41,电容芯片制作,-,层压,目的：提高烧结后瓷体的致密性,42,电容芯片制作,-,切割,切割是将产品切割成设计尺寸大小的一粒粒芯片的过程。切割方式有直刀式和圆刀式,43,两种切割方式对比,切割时巴块下都要垫一个载体（感温胶），来固定巴块，方便切割,44,烧结成瓷,-,排胶,目的：把有机物从生坯中排除，保证高温烧结质量,根据,MLCC,陶瓷材料及内电极浆料种类的不同，排胶可分空气气氛和氮气气氛（中性保护气氛）排胶,45,根据,MLCC,陶瓷材料及内电极浆料种类的不同，排胶可分,空气气氛,和,氮气气氛（中性保护气氛）,排胶。通常银钯电极作为内电极的产品采用空气气氛排胶；而采用贱金属镍作为内电极的产品，空气气氛排胶和氮气气氛排胶都有采用。在氮气气氛保护下，,450-600,之间可以保证镍不被氧化且有机物能较充分的排出，这是因为镍是一种较活泼的金属，在空气中常温下氧化较为缓慢，但在温度达到,280,且氧气充足时就会迅速被氧化，而氧气不足时即使温度较高也不易发生氧化。,46,烧结成瓷,-,烧成,MLCC,生片进行高温处理，使其成为具有高机械强度、优良电气性能的陶瓷过程称为烧成,高温烧结效果的好坏直接影响到陶瓷电容器的机械性能和电气性能（包括容量、损耗、绝缘电阻、耐电压等）以及可靠性,47,烧结成瓷,-,烧成,银钯或全钯内电极,-,氧化气氛,镍内电极需还原（惰性）气氛与,BaTiO,3,基材料在还原（惰性）气氛下会半导化构成了一对矛盾,各大,MLCC,生产厂家将其烧成的工艺技术视为企业的核心保密技术,要点是烧结气氛以及温度曲线的选取,48,贱内电极技术,(BME)-,原因,金属钯价格，,150,200/troy ounce(1995,年,),，,400/troy ounce(1999),，,700,1000/troy ounce(2001),虽然每层介质片只印刷很少的银,-,钯浆料，但,MLCC,有很多层,使用,BME,（,Ni/Cu,）技术是降低,MLCC,生产成本有效手段，可节省,60,70%,电极成本，电容器成本降低,20%,49,贱内电极技术,(BME)-,优点,成本,镍原子或原子团的电迁移速度较,Ag,或,Pd-Ag,小，因而具有良好的电化学稳定性,镍电极对焊料的耐腐蚀性和耐热性好,镍电极的电导率优于,Pd-Ag,系电极，可以降低,MLCC,的等效串联电阻，提高阻抗频率特性,。,50,贱内电极技术,(BME)-,难度,Pd-Ag,系电极抗氧化程度高，,MLCC,可以在空气气氛下排胶、烧结,Ni,电极为活泼金属，在常温下空气中氧化缓慢，但在温度达到,280,且氧气充足时就会迅速被氧化,BME-MLCC,应该在保持（中性或还原）气氛下排胶与烧结,51,贱内电极技术,(BME)-,难度（,2,）,若在还原气氛中烧结带来新问题：钙钛矿结构（,BaTiO,3,）的陶瓷的介质被还原，产生氧空位而变成半导体：陶瓷体产生失氧，出现氧空位使,Ti,4+,易捕获电子而成,Ti,3+,（,Ti,4+,e,），由于是弱束缚，此电子容易吸收能量而由禁带跃迁至导带成为载流子。,常规下,BaTiO,3,在,N,2,/H,2,中烧结时其绝缘电阻下降,10,12,个数量级,52,贱内电极技术,(BME)-,办法,目标：提高,BaTiO,3,陶瓷抗还原性,方法,:1.,向材料中添加外来离子捕获氧空位电离出的自由电子以降低载流子的浓度,2.,对还原气氛下烧结后的,BME-MLCC,在一定温度、一定氧分压下进行再氧化处理,53,贱内电极技术,(BME)-,办法,(Ba,1-x,Ca,x,)(Ti,1-y,Zr,y,)O,3,(Y5V),A,位二价阳离子过量，一定数目的钙离子进入到,B,位的钛离子，并与之结合。这些钙离子作为受主掺杂物，抑制了钛酸钡的还原，保证了高介电常数。,54,贱内电极技术,(BME)-,办法,(Y5V),添加受主杂质,Mn,、,Zn,少量,Mn,2+,或,Mn,3+,进入,Ti,位，可以补偿少量氧空位造成的电价不平衡，是很强的电子陷阱限制了电子电导。,55,贱内电极技术,(BME)-,办法,掺杂稀土元素。,Y,3+,、,Dy,3+,、,Ho,3+,、,Gd,3+,（,g,）等稀土离子具有相对小的离子半径，它们既可以进入钙钛矿结构中的,A,位，也可以进入,B,位，在,A,位起施主离子作用，在,B,格点起受主离子作用。在不同的格点位置，这些离子相互影响，组成施主,-,受主联合体，从而使氧空位数目相当小。,56,贱内电极技术,(BME)-,办法,在,BaTiO,3,系统中添加,MgO,。由于,Mg,2+,电价、电负性与,Ba,2+,接近，,Mg,2+,进入,A,位属于同价取代，对材料电导无贡献。但,Mg,2+,半径较小，它的大部分进入,B,位取代,Ti,4+,进入,B,位的,Mg,2+,起受主作用，受主电离产生空穴，与氧空位电离产生的电子复合，从而限制电子电导。,57,贱内电极技术,(BME)-,办法,回火处理：对还原气氛下烧结后的,BME-MLCC,在一定温度、一定氧分压下进行再氧化处理,回火，又称再氧化。通过回火处理将瓷料在还原气氛中烧结时产生的氧空位进行补偿。回火温度,900,1100,，保温,2,5h,，氧含量,5,50ppm,。,58,烧结成瓷,-,烧成,空气烧结立式炉,气氛烧结钟罩炉,间隙式窑炉,59,烧结成瓷,-,烧成,空气烧结长炉,气氛烧结长炉,连续式窑炉,60,烧结成瓷,-,烧成,隧道窑,辊道窑,连续式窑炉,61,镍电极,MLCC,烧成工艺流程,烧成曲线中主要有,排胶升温,、,高温及保温,、,降温,、,保温回火,四个过程,62,镍电极,MLCC,烧成,-,排胶升温,残余有机黏合剂的排除，升温速率太快容易产生开裂及内电极挥镍,通入氮和氢的混合气体来实现还原气氛,内电极与陶瓷体的收缩存在一定差异，减弱烧结过程中内电极与陶瓷体之间的应力,有机黏合剂的挥发，坯体的气孔率增加，重量减轻，同时体积稍有收缩,63,另外升温速率对,MLCC,的烧结有着关键影响，因为在,MLCC,烧结过程中，内电极金属与陶瓷体的收缩存在一定差异，为使二者收缩曲线更接近，达到共烧的目的，通常在内电极浆料中加入一些超细陶瓷粉，这样可改善内电极的收缩曲线，减弱烧结过程中内电极与陶瓷体之间的应力。但仅仅是在内浆中的调整还不能完全缓解其内应力，还要在烧结曲线中进行调节。,64,镍电极,MLCC,烧成,-,高温及保温,陶瓷形成的主要阶段，坯体内的物理化学反应更加迅速和充分,体积显著收缩，气孔大大减少，表面光泽改变，机械强度增加,通常贱金属,MLCC,的烧结温度为,1200-1350,，保温时间为,2-4,小时,氮和氢的混合气体来实现还原气氛，选择,P(O,2,),为,10,-8,-10,-12,之间,65,镍电极,MLCC,烧成,-,降温,液相凝固、析晶相变,快速冷却，可防止细小晶粒变粗以及发生晶型转变，保持其致密结构，提高产品机械性能,冷却过快可能造成产品散热不均匀而开裂，降温速率在,2.0-5.0/min,左右,还原气氛,66,镍电极,MLCC,烧成,-,保温回火,目的：对烧结过程中陶瓷由于还原性气氛下产生的氧空位进行补偿,根据材料和烧结气氛的不同，回火温度及内电极的氧化程度来决定。通常氧含量为,5-50ppm,回火通常是针对,BME,中的,BaTiO,3,基。对于非,BaTiO,3,基的陶瓷材料以及在烧结过程中不易产生氧空位的材料，回火过程就相对不那么重要了。,67,烧结成瓷,-,倒角,将烧结好的,MLCC,通过球磨的方式，引出内电极层的过程，称为倒角,既要保证倒角效果，又不能对产品造成损伤,高层数的较难,68,烧结成瓷,-,倒角,行星式球磨机,69,外电极制作,Cu/Ag,引出层，,Ni,热阻挡层，,Sn,可焊层,70,外电极制作,-,封端,封端是在,MLCC,芯片两端分别涂敷上外电极浆料，经烘干后，形成固化的,MLCC,银,/,铜外电极的过程,封端直接影响到,MLCC,的尺寸与端电极外观质量，对于,MLCC,的电性能、端电极附着力、焊接性能都有较大影响,手动封端机、全自动封端机和半自动封端机,71,外电极制作,-,封端,-,端浆,端浆主要含有银粉或铜粉、玻璃料、树脂载体、溶剂等，其成分对于端电极烧结后内外电极的连续性能、端电极附着力、端电极的致密性有非常重要的影响。,根据环保的要求，端浆中不允许含有铅、镉等元素，对于银端浆，原来作为降温助烧作用的铅、镉元素被锌、硼等元素取代，不影响,MLCC,的基本性能；而铜端浆一直都是采用锌、硼、硅等元素玻璃料，符合环保要求。,72,外电极制作,-,封端,-,手动封端,手动封端机,封端板,封端针床,整平机,73,外电极制作,-,封端,-,半自动封端,半自动封端机,贴胶纸,整平机,74,外电极制作,-,烧端,目的：排除有机物，端电极致密，更好连接内外电极,银钯内电极采用空气烧结,镍内电极采用的氮气保护铜端电极烧结,75,外电极制作,-,烧端,-,银端烧结,空气烧端炉,烧成板,76,外电极制作,-,烧端,-,铜端烧结,镍网,铜端电极氮气保护气氛烧端炉,77,外电极制作,-,烧端,-,铜端烧结技术,公开的资料中很少见,Ni/Cu,电极,烧端技术的详细报道,分解有机物过程,:,若氧低 有机物分解不完全 残留碳 烧结不充分 电极多孔 镀液进入电极内部 恶化焊接性能 外电极结合性,电容可靠性和稳定性,既要有机物充分燃烧掉，又要保证铜不被氧化,(,加入硅、硼化物,),78,烧端后剖面,SEM,79,外电极制作,-,电镀,烧端后，在其银或铜端电极表面上，利用电镀沉积法分别镀第一层镍底层和覆盖镍层的锡金属层,镍层的作用在于作为热阻挡层,锡层的作用是作为可焊接金属层,80,外电极制作,-,电镀,81,外电极制作,-,电镀,电镀是一种电化学过程，也是一种氧化还原反应的过程。作为阳极的金属失去电子，成为金属离子，在电场作用下，金属离子向阴极方向扩散和迁移，并被吸附到阴极附近（也即,MLCC,端电极表面），并在阴极得到电子被还原为金属，形成一定晶格的金属晶体，从而实现将阳极的金属镀到电容表面。,82,外电极制作,-,电镀,-,生产流程,除油 漂洗 活化 漂洗 镀镍,镍回收 漂洗 预浸 镀锡 锡回收 漂洗 中和 漂洗 水煮 清洗 吹干 分选,83,外电极制作,-,电镀,-,生产流程,1.,除油：作用是除去,MLCC,表面的各种油污，确保后续的电镀质量,2.,活化：作用是除去金属端电极表面的氧化膜，使电极金属表面裸露，有利于电镀及提高镍层与端电极金属的结合力。,3.,预浸：在镀锡前要预浸，目的是避免锡槽药水受镍槽污染,.,84,分选,在,MLCC,制作完成后，要对其外观分选，剔除外观不良产品。如端头大小不一，瓷体开裂等。,人工分选一般是采用显微镜目测。具有投资小优点，但分选不彻底。,目前采用自动化分选设备投资巨大，,40000,片,/h,设备价格,200W,元以上，分选质量相对较高。,85,测试,对,MLCC,的,容量,、,损耗角正切,、,绝缘电阻,、,耐电压,等进行测试。,将电性能不合格产品剔除,损耗角正切、绝缘电阻、耐电压性能合格的产品为合格产品，容量符合相应允许偏差要求称为命中产品,四参数测试机,86,包装,MLCC,有两种包装方式，一是散装，一是编带包装,编带包装又可以分为纸带包装与塑胶带包装，可用于,SMT,散装产品主要用于手工焊接,自动编带包装机,87,包装卷盘结构,88,谢谢！,