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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,一、结型场效应管,1、结型场效应三极管的结构,N沟道结型场效应三极管的结构如图(,a,)所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连接在一起为,栅极G,,N型硅的一端是,漏极D,,另一端是,源极S,。P沟道结型场效应三极管的结构如图(,b,)所示,请看动画5.3-1演示:JFET的结构,1,一、结型场效应管,、结型场效应三极管的工作原理,根据结型场效应三极管的结构,只能工作在反偏的条件下,对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区,P沟道的只能工作在正栅压区,否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。,2,一、结型场效应管,栅源电压对沟道的控制作用,当,U,DS,=0 而,U,GS,0时,PN结反偏,耗尽层加宽,漏源间的沟道将变窄,电阻变大,,U,GS,继续减小,沟道继续变窄,电阻继续变大,直至沟道合拢、电阻趋于无穷,此时对应的栅源电压,U,GS,称为,夹断电压,U,GS(off),。这一过程如下图所示。,3,一、结型场效应管,漏源电压对沟道的控制作用,在栅极加有一定的电压,且,U,GS,U,GS(off),,若漏源电压,U,DS,从零开始增加,则,U,GD,=,U,GS,-,U,DS,将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从左至右呈楔形分布,如图(,a,)所示。当,U,DS,增加到使,U,GD,=,U,GS,U,DS,=,U,GS(off),时,在紧靠漏极处出现预夹断,如图(b)所示。当,U,DS,继续增加,漏极处的夹断继续向源极方向生长延长,如图(c)所示。此时,,i,D,几乎不变,呈,恒流特性,。,4,一、结型场效应管,以上过程请看动画5.3-2:JFET的工作原理,5,一、结型场效应管,3、结型场效应三极管的特性曲线,结型场效应三极管的特性曲线有两条,一是转移特性曲线,二是输出特性曲线。N沟道结型场效应三极管的特性曲线如图所示。,6,一、结型场效应管,(1)输出特性曲线,i,D,=,f,(,u,DS,),U,GS=常数,输出特性分成可变电阻区(线性区)、恒流区(饱和区)和夹断区。,7,一、结型场效应管,请看动画演示5.3-3:JFET输出特性曲线,8,一、结型场效应管,(2)转移特性曲线,i,D,=,f,(,u,GS,),U,DS=常数,恒流区中,i,D,的近似表达式为:,9,一、结型场效应管,请观看演示动画5.3-4:JFET转移特性曲线,10,二、伏安特性曲线,11,
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