初三物理电磁感应复习[整理] 课件.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,S,N,电磁感应复习,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,电磁感应现象,不论用什么方法,只要穿过闭合电路的磁通量发生变化,闭合电路中就有电流产生.,1.,以上的闭合电路中,有无感应电流产生,?,为什么,?,有,.,电路是闭合的,A,B,C,2.,若将以上各电路断开,还会不会产生感应电流,?,不会,通过电路的磁通量发生了变化,.,a,b,c,d,a,b,c,d,O,O,/,法拉第电磁感应定律,电路中感应电动势的大小,跟穿过这一电路的磁通量的变化率成正比,.,磁通量的变化率,磁通量的变化,磁通量,磁通量,B,B,B,磁通量的变化,A,C,D,增加,2,韦伯,减少,2,韦伯,减少,4,韦伯,增加,4,韦伯,磁通量的变化率,B,A,C,D,增加2韦伯,减少2韦伯,减少4韦伯,增加4韦伯,对于某一闭合电路,下列说法正确的是,:,A.,磁通量大,则磁通量的变化大,.,B.,磁通量的变化大,则磁通量的变化率大,.,C.,磁通量大,则磁通量的变化快,.,D.,磁通量的变化快,则感应电动势大,.,用均匀导线做成的正方形线框,每条边长为,L=2,米,正方形的一半放在和线框垂直向里的匀强磁场中,当磁场以,10,特,/,秒的变化率增强时,线框中产生的感应电动势多大,.,解,:,由法拉第电磁感应定律得,:,即,:,导体,ab,长,在磁感应强度为,B,的匀强磁场中,以角速度,绕,a,端转动,转动平面与磁场垂直,则,ab,的电势差为,_.,a,b,a,b,导体,ab,长 ,在磁感应强度为,B,的匀强磁场中,以角速度,绕,a,端转动,转动平面与磁场垂直,则,ab,的电势差为_.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化,.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化,.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化,.,楞次定律,感应电流具有这样的方向,就是感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化.,增反,减同,应用楞次定律判断感应电流的方向的一般步骤,:,1.,画出磁场,明确磁通量方向,.,2.,明确磁通量的变化,.,3.,判断感应电流的磁场方向,.,4.,判断感应电流的方向,.,增反减同,安培定则,一水平放置的矩形线圈,abcd,在细长的磁铁的,N,极附近竖直下落,.,保持,bc,边在外,ad,边在内,判断线圈下落时,从图中,I,到,II,过程、,II,到,III,过程,线圈中的感应电流方向,.,a,d,I,II,III,S,N,b,c,一水平放置的矩形线圈,abcd,在细长的磁铁的,N,极附近竖直下落,.,保持,bc,边在外,ad,边在内,判断线圈下落时,从图中,I,到,II,过程、,II,到,III,过程,线圈中的感应电流方向,.,a,b,c,d,I,II,III,S,N,一水平放置的矩形线圈,abcd,在细长的磁铁的,N,极附近竖直下落,.,保持,bc,边在外,ad,边在内,判断线圈下落时,从图中,I,到,II,过程、,II,到,III,过程,线圈中的感应电流方向,.,a,b,c,d,I,II,III,S,N,一水平放置的矩形线圈,abcd,在细长的磁铁的,N,极附近竖直下落,.,保持,bc,边在外,ad,边在内,判断线圈下落时,从图中,I,到,II,过程、,II,到,III,过程,线圈中的感应电流方向,.,a,b,c,d,I,II,III,S,N,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,N,S,a,b,自 感,由于导体本身的电流发生变化而产生的电磁感应现象,.,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,a,b,c,d,D,1,D,2,L,自感系数,粗细,长短,疏密,有无铁心,利用自感:,增大自感系数,避免自感的危害:,减小自感系数,电磁感应,感应电流的,产生条件,感应电动势,的大小,感应电流,的方向,楞次定律,1.电路闭合,2.磁通量变化,右手定则,自感,均匀直导线,ab,质量为,m,电阻为,R,跨接在“,n”,形金属架上,组成闭合电路.框架两竖直平行金属导线相距为,L,位于磁感应强度为,B,的水平匀强磁场中,框架电阻不计,释放,ab,使之由静止滑下,若框架对导线,ab,的摩擦力为,f,求:,ab,下滑的最大速度.,均匀直导线,ab,质量为,m,电阻为,R,跨接在“,n”,形金属架上,组成闭合电路.框架两竖直平行金属导线相距为,L,位于磁感应强度为,B,的水平匀强磁场中,框架电阻不计,释放,ab,使之由静止滑下,若框架对导线,ab,的摩擦力为,f,求:,ab,下滑的最大速度.,G,f,F,I,V,G,f,F,I,V,解:对直导线,ab,下滑过程受力分析如图,由牛顿第二定律得:,其中安培力大小为:,ab,产生的感应电动势为:,由闭合电路的欧姆定律可得:,联立以上各表达式得:,当,a=0,时,速度达到最大,为:,