门电路的线与.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,1,、门电路的线与、一般门电路线与的后果,2,、,TTL,三态门、总线制联接,3,、,OC,门、外接上拉电阻,4,、,TTL,集成门电路使用注意事项,5,、,NMOS,非门及特点,NMOS管,PMOS管,CMOS,电路,二、,CMOS,非门,+U,CC,S,T,2,D,T,1,A,F,G,G,S,D,T,1,为驱动管，,T,2,为负载管,g,m1,g,m2,2,u,i,=0,截止,u,gs2,=,U,CC,导通,u,=“”,工作原理：,+U,CC,S,T,2,D,T,1,A,F,G,G,S,D,u,i,=,导通,截止,u,=“”,工作原理：,+U,CC,S,T,2,D,T,1,A,F,G,G,S,D,2.CMOS,与非门,A,T,3,+U,DD,Y,T,1,T,2,B,T,4,T,1,T,2,为驱动管，,T,3,T,4,为负载管,g,m1,g,m2,g,m3,g,m4,（,1,）,当输入,A,B,为高电平,时，,T,1,T,2,导通，,T,3,T,4,截止,输出为,低电平。,（,2,）当输入,A,或,B,为低电平时,驱动管,截止，负载管导通,输出为高电平。,4.CMOS,传输门,(,模拟开关,),u,O,u,I,C,T,1,T,2,V,DD,（,1,）当,C,接高电平,V,DD,，,接低电平,0,V,时，若,u,I,在,0,V,-,V,DD,的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即,u,O,=,u,I,。,（,2,）,当,C,接低电平,0,V,，,接高电平,V,DD,，,u,I,在,0,V,-,V,DD,的范围变化时，,T,1,和,T,2,都截止，输出呈高阻状态，,相当于开关断开,。,C,TG,u,I,u,O,输入源极,输出漏极,5.CMOS,电路,的优点,1.,静态功耗小。,2.,允许电源电压范围宽（,3,18V,）。,3.,扇出系数大，抗噪容限大。,4.,逻辑摆幅大，输入阻抗高。,三、,CMOS,集成逻辑门电路的使用注意事项,1,、电源电压：极性不能接反；电压的最大值不能超过；工作时应先接通直流电源，再接通信号，不工作时先关信号源，再关直流电源。,2,、闲置输入端：不允许悬空；与门、与非门和或门、或非门的闲置端；工作速度较高时，输入端不允许并联使用（输入电容增大）。,3,、输出端的连接：输出端不能直接与地或电源相连；为提高驱动能力，可将同一集成片上的相同门的输入端、输出端并联使用；输出端接有大电容时，在输出端与电容之间可串联一个电阻，以限制电容的充、放电电流。,3-5,集成逻辑门电路的应用,一、,TTL,电路驱动,CMOS,电路,工作电源电压不同；高、低电平标准不同。,电平标准不同,电源电压不同,电平转换器解决电平匹配问题,二、,CMOS,电路驱动,TTL,电路,电源电压相同，可采用多个,CMOS,门并联获得足够的,TTL,电路输入低电平电流。,利用,CMOS,驱动器获得所需电流。,高速,CMOS,电路与,TTL,电路工作电源电压相同时，可直接相连使用。,三、外接负载,驱动发光二极管,驱动低压继电器，二极管用以消除过电压。,驱动大电流负载,四、用与非门构成与门、或门和非门,与非门构成与门,与非门构成或门,与非门构成非门,五、用或非门构成与门、或门和非门,用或非门构成与门,用或非门构成或门,用或非门构成非门,逻辑门电路一章小结,1,、二极管与门和或门,2,、二极管门电路的特点,3,、三极管的开关特性（开关状态、开关时间、可靠工作）,4,、三极管非门及其工作速度的提高,5,、,TTL,与非门的工作原理,6,、,TTL,门电路的主要参数,7,、门电路的线与、总线制联接,8,、一般门电路直接线与的后果,9,、,TTL,三态门和,OC,门,10,、,TTL,集成门电路的使用注意事项,11,、,CMOS,非门,12,、,CMOS,门电路的特点及使用注意事项,13,、,TTL,门电路和,CMOS,门电路的互相驱动,14,、集成门电路驱动负载,15,、用与非门、或非门实现其它逻辑功能,本次课内容,1,、,NMOS,非门、,CMOS,非门,2,、,CMOS,与非门,3,、,CMOS,传输门（模拟开关）,4,、,CMOS,门电路的特点,5,、,CMOS,集成门电路的使用注意事项,6,、,TTL,电路与,CMOS,电路之间的驱动,7,、集成门电路驱动不同的负载,8,、与非门构成与门、或门、非门,9,、或非门构成与门、或门、非门,10,、集成门电路一章小结,作业：,订正,逻辑代数一章、逻辑门电路一章作业中的,错误,