用紫外可见光谱法求禁带宽度讲解学习.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,用紫外可见光谱法求禁带宽度,通常,(ahv),是有单位的，,(eV),1/2,.cm,-1/2,或,(eV),1/2,.cm,-1/2。,由上述公式可知,，（ahv）,1/2,和,(ahv),2,只与,hv,成线性关系，能用于估算Eg。,由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：,K,值的大小对,Eg,没有影响，以,hv,为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。,前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。,Kubelka-Munk公式,A=-lg(R)（1）,F(r)=(1-R),2,/2R=a/s（2）,R,为反射率,a吸收系数，s反射系数,求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的,R,，用,E1240,/波长，做横坐标，利用第二个公式求,F（R），,再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱,二 求半导体禁带实例,将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：,下面用Kubelka-Munk公式处理：,三 关于K值大小对结果的影响,同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg.以下也是这一组数据的处理,由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大小，但并不影响所求的Eg.,此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢,