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华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版.doc

1、CMOS Analog Design Home work 1 Solution By: 张涛() 2019年3月18日 作业内容: 一、书本上的习题 2.2 2.5 (a)、(b)、(c) 2.6 (a)、(b) 2.7 2.15 2.8 2.18 2.24 参考解答过程 2.2. (1)对于NMOS,工作在饱与区时,有: (忽略沟长调制效应) =3.66mAV =20 A==73.3 (2)对于PMOS,公式基本同上 (忽略沟长调制效应) =1.96mAV

2、 =10 A==19.6 2.5 a.若不考虑二级效应,则 实际情况下,由于衬偏效应会影响 IX~VX曲线图 b. (1)当0〈〈1时, S、D反向 VGS-VTH=1.2-VX 〉VDS 此时,NMOS处于S、D方向的三极管区 (2)当1〈〈1.2时, VGS-VTH=0.2>VDS=VX-1 (未考虑衬偏效应) 此时,NMOS处于正向导通的三极管区 IX= (3)当VX 1.2时 NMOS处于饱与区 IX~VX曲线图 未考虑衬偏效应时的曲线 若考虑衬偏效应,则VTH增大,当衬偏效应比较小,反向后仍有VGS>V

3、TH, 曲线同上,当衬偏效应比较大时,VGS0.3 时,MOS管截止 IX~VX曲线图 考虑衬偏效应后,曲线与X轴的交点会该变位置 2.6 |VGS|= |VDS|= 所以|VDS|>|VGS|-|VTH| P

4、MOS处于饱区 Gm= ID~VX曲线图 Gm与VX曲线图 |VGS|= |VDS|= 所以VDS>VGS-VTH PMOS处于饱区 Gm= ID~VX曲线图 Gm与VX曲线图 2.7 (为了简化运算与分析,这里没有考虑二级效应) 1.VOUT有电流通过R1产生,电路工作时,S、D反向。 (1)当0〈VIN〈0.7时, MOS管截止 VOUT=0 (2)当0.7〈VIN〈1.7 VGS-VTH=VIN-VOUT-0.7 VDS=1-VOUT VGS-VTH〈VDS MOS管处于反向导通的饱与区 V

5、out= (3)当1.7〈VIN〈3 VGS-VTH 〉VDS MOS管处于反向导通的三极管区 Vout= VOUT~VIN 曲线图 2. VOUT有电流通过R1产生,电路工作时,S、D反向。 (1).当0〈VIN〈1.3时 VDS=VIN-VOUT〈VGS-VTH NMOS处于反向导通的三极管区 VOUT=IxR1=R1 (2)当1.3〈VIN〈3 NMOS处于反向饱区 VOUT=IxR1=R1 VOUT~VIN 曲线图 2.8 (a)VS=VDD-VOUT VB=VIN VSB=VDD-VOUT-VIN MOS管处于二极管连接形式

6、的饱与区 其中 所以 I1是恒流源,为定值,因此,可以得到VOUT与VIN的关系,见下图 VOUT~VIN 曲线图 (b) VGS=2-1=1 VDS=VOUT-1 VSB=1-VIN 当M1处于饱与区边缘时,有 VGS-VTH=VDS 1-=VOUT-1 (1) VOUT= = (2) 由(1)(2)则可以解出临界VIN0 1.当0〈VIN〈VIN0时 VGS-VTH〈VDS M1处于饱

7、与区 VOUT= 代入VGS、VTH可得到VIN~VOUT关系 2. .当VIN0〈VIN〈VIN1时 VGS-VTH 〉VDS M1处于线性区 VOUT= 3.当VIN〉VIN1时, VGS〈VTH M1处于截止区 代入VGS、VTH、VDS可以得到VIN VOUT关系 VIN0受电阻R1的大小影响,当R1比较小时,在0~3V时,MOS管一直饱与,随着R1的增加,MOS管在VIN在0~3v时,可能同时经过饱与,三极管甚至截止区 VOUT~VIN 曲线图 (c)S、D 反向导通 VGS=2-VOUT VDS=2-VOUT VSB=VOUT-VIN 所以VDS〉

8、VGS-VTH M1始终处于反向导通的饱与区。 VOUT=I1R1= 其中 实际仿真波形如下 VOUT~VIN 曲线图 理论上,VGS〉0,VOUT应该是小于2V的,但是从实际仿真波形图上可以看到,VOUT上升到了2V以上,这是因为VIN上升得比较大之后,衬低的电压大于VOUT,电流会从高电压流到低电压处,并通过R1,使VOUT上升到2V以上。 2.15 晶体管工作在饱与区且为折叠结构 ∵ CDG=15.36fF, CGS = 79.36fF求出gm即可 工作在饱与区且ID = 1mA VGS=1.0182V 2.18因为两图都以源端作为输出端,而由于体效

9、应,源衬电压变化会引起漏源电流变化,从而不适合作为电流源。 2.24 (a) 1. 当VG〈|VTHN|时 M1截止 (1)0〈VX〈VG+|VTHP| M2截止 (2)VX〉VG+|VTHP| VX=VDS〉|VGS|-|VTHP| 所以M2处于饱与区 IX~VX曲线图 2. 当VG〉|VTHN|时 M1导通 (1)0〈VX〈VG+|VTHP| M2截止 (i)当0〈VX〈VG M1处于三极管区 (i)当VG+VTHN〈VX〈VG+|VTHP|时 M1处于三极管区 (2)VX〉VG+|VTHP| M1 M2均处于饱与区 IX~VX曲线图 (b) 1. 当VG〈|VTHN|时 M1截止 (1) 0〈VX〈VG+|VTHP| M2截止 (2)VX>VG+|VTHP| 因为M1截止,M2上仍然没有电流 IX~VX曲线图 从实际的仿真波形,可以看到,当VX比较大时,亚阈值导电还是会使支路上有20na的微小电流的 2. VG>|VTHN|时 M1可以导通 (1) 0〈VX〈VG+|VTHP|时 M2截止,所以M1上也没有电流 (2)当VX>VG+|VTHP|时 M2导通,支路上有电流 IX~VX曲线图 第 9 页

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