2、画在实验报告上，并标出当Vtest=2.5V时，Iout1和Iout2的值。
2. Vtest从0V变到2.5V，观察两个输出支路的输出阻抗的变化，仿真出结果曲线，画
出曲线图。
3. Vtest从0V变到2.5V，观察两个输出支路的输出电流的变化，仿真出结果曲线，画
出曲线图。
4. 画出Vtest从2.5V变到0V ，VY的变化曲线，观察M3、M2进入线性区的先后。
四、 实验仿真波形及原理分析
设计思路：
由电路图可以看出，M1,M2,M4构成电流镜结构。M1的电流镜像到M2、M4。将M1,M2,M4宽长比设置为相等的值时，由于公式：
以及
3、
可得： 。
实验中设：,，
当 ，确定时，也就确定了，观察.lis文件，得
估算时，先忽略沟道调制作用,
代入数据，求得
实验发现当时，,过小，经过多次调节Vb的值，最终Vb=1.35V使电路满足课题要求，
本实验中运用的模型参数如下：
Toxn=5.8e-9， dxl=0， dvthn=0, dvthp=0， LMIN=2.4E-07, LMAX=5.0E-07
4、dxl
VTN=0.4312336+dvthn, U0n=0.06005258, TOX=toxn，VTP=dvthp-0.6236538
U0p=0.0136443
设计完成满足要求的Hspice实验网表如下：
仿真后lis文件：
由此可看出所有管子都工作在饱和区。
1.当Vtest=2.5V时，Iout1和Iout2的值。
从波形图像可以看出，时，,
2.Vtest从0V变到2.5V，观察两个输出支路的输出阻抗的变化，仿真出结果曲线，画出曲线图。
当M2,M4刚进入饱和区时，。M3在线性区时，gm3不断增大，而M4进
5、入饱和区后由于沟道长度调制效应，电流会缓慢增大，而阻抗Rout4会不断减小。当时，M3进入饱和区，Rout4不再发生变化。
3. Vtest从0V变到2.5V，观察两个输出支路的输出电流的变化，仿真出结果曲线，画出曲线图。
当M2，M4工作在饱和区时
由于M2，M3构成共源共栅结构，当M2，M3工作在饱和区时，存在屏蔽效应。则Iout1不受到沟道长度调制效应的影响，而Iout2受到沟道长度调制效应的影响。于是，Iout1保持不变，Iout2不断增大。
4. 画出Vtest从2.5V变到0V ，VY的变化曲线，观察 M3、M2进入线性区的先后。
6、
由3,4题图可看出，Vtest从2.5v变到0v过程中，M3先进入线性区，M2后进入线性区。当Vtest从2.5v下降至Vb-Vth3，M3进入线性区，Vy开始迅速下降，当Vtest下降至Vx-Vth2,M2进入线性区.
五、 实验总结
刚接触本实验时，我们思考了好久，讨论寻找合适的入手点。然后我们决定先假设1,2,3，4管子的宽长比，以及Iref的值，通过计算与假定，得出Vb。将得到的值带入Hspice中仿真后，发现得出的结论与计算有些小差别。经过我们的讨论，决定以课题要求为目标，不断调试Vb，最终获得了满意的实验结果。
此次实验进一步验证了共源共栅电流镜的优点，它可以减少由沟道长度调制效应引起的不匹配，使电流基本能够等值镜像过来。
在本次实验过程中，我们也学会了如何通过仿真图形得到我们所需要的实验数据。在导师的严谨地提问和悉心地指导下，我们学习到了不少有用，也认识到了自己的不足。在实验后通过翻阅相关书籍，我们对电流镜的相关知识有了进一步深入的了解。很庆幸自己能参与这次电流镜设计实验，也感谢老师对我们的帮助。
6
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
