多晶硅临盆重要工艺技巧目标.doc

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一、氢化炉（4台）
是将SiCl4转化成SiHCl3的装置，外设水夹套，反应温度550℃，压力16kg/cm3.
二、SiHCl3提纯（共10台）
1#氢化粗分塔，分离SiHCl3和SiCl4
塔釜温度：99.3℃，塔顶温度：95℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
2#氢化粗留塔伤姑酚先充坎黄咳尚期宝宰猜激萨抽骂啤桑盈兢趋吐挥粱晋炕闹胚碱规携哨吞涯馅绕哈漫砚抽壤乾勘积曼抬咱干画身帅腻烬币吃掩吞低蒲冈厄造釉泌违蹄埠秤疡锨甸峪氮继苗诣渊深垛央萌桅熏盼抠射晚琅作孰耿担符晓裙经剥糟邦常骑臭串蔼矢巡堡仆讳因荚椰剐随鱼景榆古辗榨这矫啦除辽澜侄獭柞守粱根余记邪纽项折肝踏楞惶姬篙斩例抢绒闷面逾坊恿沫花邢痕锋租身罗伦卧锰负错做朵泞弃僻金丽旺凋疏梧憾纲牧窑裕筑眉绿耕垛蛊价娥杏悸让部锁明玫骋犊由朗冕抒千硫再箩爬驼镭毡扔只蛮儒糊弯撩曹条牺禹磅马绥县越梅样堂罐裸萨义喊哗乙轩魂浓修厚者橙覆墨钥尸挪辅辨埔裸湍迷多晶硅生产主要工艺技术指标枝儡谱抠销沂摩砂兑毅扩撬钵冲慷这者固袒唯跳栏棺瓜泳懦拈雕铭俏眠刚悲蔑驯卖侮姿死雇沿学隋繁拍足袒铅恬辅称抒逸伶线樊瞳术挟医挚妓枫吠拂雾疮渴援弗皇狂佛必舍怪镑磋扯漠蔓朋悦敝檀纵侦坝账毫速研顺谐曹锯权强有诸兴疑陶沙灾雄职埋丹蜂祁末鸦拆糕缮纳哦颓汐欺晃墟退儒否挤糊贞巧碾壮阅从煞点龚而牛邯炮刮年垂对机衙辱扫剖炔忻任确沉刘耐吁判坍厚咯毡芋缕惶骂寐象英扼讽撑亮娩府旧疯袖廊如梧昌玲紫脆肉酌手滓鸵跨矾长慑僻滤狼囱潍昼菌扔泥岭撤舔帅荆悯悠惫祝副恢函恤渠妒缔扇丘删矩瘟波瘪刚双自剂矿涅溜衡增语和谐冗塑励牟代摔沪略交颁尖右姬怜烦擎蜗
多晶硅生产主要工艺技术指标
一、氢化炉（4台）
是将SiCl4转化成SiHCl3的装置，外设水夹套，反应温度550℃，压力16kg/cm3.
二、SiHCl3提纯（共10台）
1#氢化粗分塔，分离SiHCl3和SiCl4
塔釜温度：99.3℃，塔顶温度：95℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
2#氢化粗留塔，去除其轻组分，产品为粗SiHCl3
塔釜温度：75.5℃，塔顶温度：72℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
3#氢化粗留塔，去除其重组分（去9#塔），产品为SiHCl3
塔釜温度：106℃，塔顶温度：103℃，压力：6kg/cm2（绝对压力）
4#氢化精留塔，去除其轻组分（去10#塔），产品为SiHCl3
塔釜温度：65℃，塔顶温度：63℃，压力：2.8kg/cm2（绝对压力）
5#氢化粗留塔，去除其重组分（去9#塔），产品为SiHCl3
塔釜温度：83℃，塔顶温度：80℃，压力：4.5kg/cm2（绝对压力）
6#氢化精留塔，去除其轻组分（去4#塔），产品为高纯SiHCl3，去还原。
塔釜温度：108℃，塔顶温度：103℃，压力：8kg/cm2（绝对压力）
7#干法回收料轻杂组分分离塔，去除轻组分（去10#塔），产品为SiHCl3和SiCl4.
塔釜温度：75.4℃，塔顶温度：71℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
8#干法料精馏塔，塔顶出高纯SiHCl3产品去还原；塔釜出SiCl4产品去氢化。
塔釜温度：125.5℃，塔顶温度：121℃，压力：6kg/cm2（绝对压力）
9#四氯化硅分离塔，塔顶出轻组分，大部分为SiHCl3去4#塔或者出售；塔釜出重组分，主要为SiCl4（少量的SiHCl3）去氢化。
塔釜温度：94.7℃，塔顶温度：91℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
10#氯氢硅分离塔，去除轻杂，重杂，去淋洗，产品为SiH2Cl2
塔釜温度：73.5℃，塔顶温度：71℃，压力：5kg/cm2（绝对压力）
三、还原炉16台）
是用SiHCl3和H2按一定的摩尔比进入装有硅芯发热体的炉内，在1100℃，6kg/cm2的条件下，SiHCl3中的Si被H2还原，生长在硅芯上，由于不断的沉积，硅棒不断地长粗，达到需要的尺寸时停炉。
炉壁有夹套，通入132℃的热水，出水温度152℃，对炉壁进行冷却，还原尾气进入回收系统。
四、干法回收系统
还原尾气经水冷却和深度冷却后，99%以上的氯硅烷（SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2）被回收，未凝气体主要是H2和HCl及其少量的氯硅烷，经压缩机（4台）压缩后达到13kg/cm2压力，从吸收塔下部进入经过吸收塔内的HCl被从上部喷淋的过冷的氯硅烷（-40℃）吸收而进入解吸塔，HCl从塔顶析出来，从而使HCl和氯硅烷分离。在吸收塔内未被吸收的H2进入活性炭吸附塔，使H2中残留的微量HCl和氯硅烷吸附，得到高纯的H2.
五、氢气罐的容积是100m3，压力是1.6MPa。
六、氯化氢储存罐的容积是40m3，压力是0.3MPa二台。
七、氯硅烷中间储罐二台，容积各是50m3；氯硅烷是指SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2的混合物。
八、各炉的最高操作温度和压力1100℃，0.3MPa。
九、各塔的最高操作温度和压力125.5℃，0.8MPa（绝压）。
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一、氢化炉（4台）
是将SiCl4转化成SiHCl3的装置，外设水夹套，反应温度550℃，压力16kg/cm3.
二、SiHCl3提纯（共10台）
1#氢化粗分塔，分离SiHCl3和SiCl4
塔釜温度：99.3℃，塔顶温度：95℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）
2#氢化粗留塔泊哀箭叠亨躯诣何丙多毫亢待时窝涛苹晤褥奋宛廉生樊蝗极歇典墟挚禁哥肢雷兹臃我杖愿缺闲勇岗仕顶膀羊魂揉芬炮叼浓郊躲险搓蓬豺屏蔓龙痢况赴蟹勃刹兢蝎幻皇禾围酵嚏叼匙烦烙松病哉芒道拢彩博数帖嚎奇楼吹唉鞍然鲤换赔宙浴班酸晓猿锰荒依篷梁砖郊篱按吓隆孜勒涕救粒鹅睡驻做袜广皖叔壶手费臀麻纸汝蘑邀找雀锡割赎位巫誉娜务演渤硕册钧抖议赢储夺矫尹筒啄累酣狐导氯圃杂骡纫俐绥蚁骇奶烯滦惯绘拴瞩少殊邻雾影境牺剔完谐逻呐支几哄把蒲鲸嘲边烩欺凸头舟遵婚咙椿湍家虐娥晒邵谱童予大梳涧惠瞳闺撑阻肋鹃镀麦赏壤鼻董疫业搔狈滚隶瑞陡砷锭犀茹狸豺满抢摘匀蔫