电池片测试与分选演示教学.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,湖南神州光电能源有限公司,电池片测试与分选,电池片的工艺流程,分选测试,PECVD,清洗与制绒,去磷硅玻璃,烧结,印刷电极,边缘蚀刻,检验入库,扩散,测试分选的基础和目的,测试分选的基础：,太阳电池在一定温度下接受在一定的辐照度的太阳光照射。,在接受照射的同时变化外电路负载。,流出负载的电流,I和电池端电压V的数据和关系曲线。,根据数据和曲线由计算机软件系统计算出各种电性能参数,测试分选的目的：,通过模拟太阳光照射，在标准条件下对电池片进行测试，把不同电性能的电池片分档,测试分选工艺原理,太阳能电池分选机专门用于太阳能单晶硅和多晶硅电池片的分选筛选。通过模拟太阳光谱光源，对电池片的相关电参数进行测量，根据测量结果将电池片进行分类。独有的校正装置，输入补偿参数，进行自动,/手动温度补偿和光强度补偿，具备自动测温与温度修正功能。主要用于单晶硅和多晶硅太阳能电池的电性能参数的分选和结果记录,。,测试分选的原理,氙灯（模拟太阳光）,电池,Pulsed solar load,稳压电源,Berger测试仪,设备各组成部件,太阳模拟器：模拟正午太阳光，照射待测电池片，通过测试电路获取待测电池片的性能指标。,电子负载：连接待测电池片、标准电池和温度探头。获取待测电池片的电压、电流；通过标准电池获取光强信号；通过温度探头获取测试环境温度，并将这四组数据提供给采集卡做分析、处理。,控制电路：提供人机界面，和控制接口，提供操作界面和参数设定,。,太阳能模拟器的组成,控制电路：实现氙灯闪灯控制，电容充电/放电控制。,电容充电电路：实现对超级电容的充电和过压保护，在程序控制下稳定电容电压。,氙灯高压电路：产生近9千伏的高压，点亮氙灯,用于太阳模拟器的光源,标准光源选择,太阳能模拟器标准,测试设备原理图,测试设备原理框图,测试分选的标准条件,辐照度：,1000W/m2,温度：25,AM(air mass):1.5,外部监控电池,红外线测温仪,探针与电池片的正确接触,Rsh,I,D,I,L,+,-,v,I,R,L,Rs,太阳电池等效电路,IV特性测量-IV曲线,测试电池性能参数,开路电压,在某特定的温度和辐射度下，光伏发电器在无负载（即开路）状态下的端电压。与光强、温度有关。,短路电流,在,某特定温度和辐射度条件下，光伏发电器在短路状态下的输出电流；与电池面积、光强、温度有关。,最大功率点,在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点，又称最佳工作点。,最佳工作电压,太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电压。通常用,Vm表示,最佳工作电流,太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电流。通常用Im表示,测试电池性能参数,转换效率：,受光照太阳电池的最大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。Vm Im/At Pin其中Vm和Im分别为最大输出功率点的电压和电流，At为太阳电池的总面积，Pin为单位面积太阳入射光的功率。,填充因子,:,太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用,FF表示：FF=Im*Vm/Isc*Voc Isc*Voc是太阳电池的极限输出功率，ImVm是太阳电池的最大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。,电流温度系数：,在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化,1,0,C，太阳电池短路电流的变化值，通常用表示。对于一般晶体硅电池=+0.1%/,o,C。,电压温度系数,:,在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化,1,o,C，太阳电池开路电压的变化值，通常用表示。对于一般晶体硅电池 =-0.38%/,o,C。,测试电池性能参数,10.串联电阻,R,s,=r,mf,+r,c1,+r,t,+r,b,+r,c2,+r,mb,测试电池性能参数,并联电阻：指太阳能电池内部的、跨连在电池两端的等效电阻,并联电阻小可能由于：,边缘漏电（刻蚀未完全、印刷漏浆）,体内杂质和微观缺陷,PN结局部短路（扩散结过浅、制绒角锥体颗粒过大）,影响性能参数的因素,发光强度（辐射度）,温度,光谱分布,1.发光强度,Isc与发光强度成正比，,而Voc的变化与发光强度成,对数关系,原因：辐射度的改变，,则进入太阳能电池的光子,数目改变，相应激发的电,子数目就改变,2.温度,电池温度升高，开路电压减,小，短路电流有轻微的上升，效率降低,电压的变化与电池温度呈线,性比例关系,2.温度,电池温度对,Voc的影响,-2.4mV/series cell,电池温度对Isc的影响,+1520A/cm,2,/,电池温度对Pmax的影响,-0.45%/,3.光谱分布,光谱分布：光的能量以,不同的波长和颜色传播的,分布图,在大气层外的太阳光光,谱分布接近于6000,黑体,光谱分布,3.光谱分布,电池电性能测试,I-V曲线,3.光谱分布,太阳电池的能量来源是来自太阳光，因此太阳光的强度与光谱就决定了太阳电池的输出功率。有关太阳光的强度与光谱,，可以用光谱照度来表示，也就是每单位波长每单位面积的光照功率，单位为,W/m,2,m.而太阳光的强度则为所有波长之光谱照度的总和，单位W/m,2,。,光谱照度与量测位置及太阳相对于地表的角度有关，这是因为太阳关在抵达地面之前，会经过大气层的吸收和散射。位置与角度的这二项因素，一般是以所谓的空气质量来表示。例如，AM1代表着地表上太阳正射的情况，此状态下的光强度为925 W/m2。而AM1.5则代表在地表上太阳以41.3度角入射的情况，此状态下的光强度为844 W/m2。一般AM1.5 被用来代表地表上太阳的平均照度,光普照度,太阳,对流层,平流层,高层大气,宇宙真空环境,地球,大 气 环 境,AM=1/sin=1.5,41.3,AM=1/sin=0,=90,Trash档判断标准,反向电流,Irev5.6A；,测试光强E范围在9501050,测试温度T在2327,串阻Rs0,填充因子68FF80,影响太阳电池片效率的因素,目前商业化的太阳电池之实际效率，与其理论极限还有一段差距，例如单晶硅太阳电池的理论值可以达到27%左右，但实际的商业量产仅为10%20%之间。造成这中间差异何在呢？,造成转换效率损失原因：,影响太阳电池效率的主要因素为半导体材料之选择，由于每种材料之能阶隙的大小与其所吸收的光谱各有不同，所以每种材料有其一定的理论能量转换效率。这个原因是因为材料的光谱接受度与太阳光线的光谱之不相契合之故，也就是说太阳电池依其材料之不同，只能吸收一定范围内的光谱能量。,影响太阳电池片效率的因素,反射损失：由于部分的太阳光源会自材料的表面反射掉，因而转换效率会损失，因此寻求降低光线反射的方法，将有助于提升效率。,表面再复合损失：由光产生的电子-空穴对，可能会在表面产生再复合现象（也就是电子又填回空穴的位置），因此产生的电流变小了。这样的损失就称为表面再复合损失。,内部再复合损失：如果由光产生的电子，由于太阳电池材料内部的缺陷而发生产生再复合损失就称为内部再复合损失。,串联电阻损失：太阳电池内部或电路的电阻，会使得通过的电流产生的焦耳热之串联电阻损失。,电压因子损失：因光线而产生的载子，在PN结面受到空乏区内部电场的影响而移动，因而产生电荷的分极化衍生一个新的电场。因此影响到因掺杂物扩散所产生的内部电位之大小。这样的损失就称为电压因子损失,。,提高转换效率的方法,减少光线自半导体材料表面的反射,减少串联电阻,增加入射光的面积,减少表面发生再复合的几率,转换效率的计算,单位换算：,1MW=1,000,000W 1W=1000mW,1m=100cm 1m,2=,10000cm,2,标准光强,1000W/m,2,等同于,0.1W/cm,2,100mW/cm,2,通过转换效率求功率,例,3 有一电池片转换效率17%，单片面积24336mm,2,，求最大功率Pm,。,解析：,S=24336mm,2,=243.36cm,2,Pin=243.36cm,2,*100mW/cm,2,=24336,mW,PmPin*=24336mW*17%=4137.12 mW,=4.13712W,效率分档表（现阶段）,单晶,15%以下为低效片,多晶14%以下为低效片,此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢,