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《半导体物理学》课程设计.doc

1、《半导体物理学》课程设计说明书 一、 设计题目 如下两个题目由学生任选一个进行课程设计。 (1)杂质半导体材料设计 (2)pn结设计 二、 课程目的和要求 通过本课程设计,使学生掌握杂质半导体材料和pn结的设计方法,并深刻认识杂质半导体材料和pn结的性能指标与材料的基本物理性质和几何结构之间的关系,加深学生对半导体物理学基本理论知识的理解,提高学生的基本理论知识应用能力。 要求每位学生独立完成课程设计内容,要正确理解课题,考虑问题要细致、全面。要通过查阅资料进行相关参数的设计,基于所学知识进行性能指标的验算分析,设计和分析要有依有据、切实合理。报告撰写要条理清晰、表述清楚、格

2、式规范。报告书格式参见附件3。 三、 设计要求 (1)杂质半导体材料设计 根据实际应用情况提出杂质半导体材料饱和区温度范围、工作电导率的具体要求,查阅材料态密度有效质量、能隙宽度、杂质电离能等参数以及相关的物理常数,进行杂质半导体材料的设计并进行相关性能的验算分析。 (2)pn结设计 根据实际应用情况提出突变pn结常温下理想电流电压特性(如一定电压下的正向电流大小、反向饱和电流上限等)、电容特性的具体要求,查阅基体材料的态密度有效质量、能隙宽度、迁移率、介电常数等参数以及相关的物理常数,进行理想pn结的设计并进行特性分析,设计过程中可不考虑杂质补偿作用。 四、 设计参数

3、1)杂质半导体材料设计 基体材料、掺杂元素、掺杂浓度 (2)pn结设计 基体种类、n型和p型杂质元素、施主杂质和受主杂质浓度、pn结面积 五、 设计提纲 (1)杂质半导体材料设计 见附录1 (2)pn结设计 见附录2 六、 参考资料 1、 刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,《半导体物理学》,电子工业出版社,2008年第七版。 2、 【俄】Michael E. Levinshtein, Sergey I., 【俄】Rumyantsev,【美】Michael S. Shur 编著,杨树人、殷景志译,《先进半导体材料性能与数据手册》,化学工业出版社,2003年第一版。 3

4、 【美】施敏编著,赵鹤鸣, 钱敏, 黄秋萍译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社, 2002年第二版。 执笔人 徐序 审定人 常启兵 2012年5月31 1 附录1 景德镇陶瓷学院 半导体课程设计报告 设 计 题 目 XXXX半导体材料的设计与性能分析 专业班级 姓名 学号

5、 指 导 教 师 完 成 时 间 年 月 日 一、 设计要求(查阅文献资料,阐明所设计杂质半导体材料的应用背景,提出对材料性能如工作温度区间、饱和区、 电导率、载流子浓度等的具体要求。) 二、 参数说明(以表格形式给出材料的设计参数;查找材料设计和性能分析过程中所涉及的相关参数,以

6、表格形式给出参数符号、参数值并注明出处;查找设计过程中所涉及的物理常数,以表格形式给出。) 三、 性能指标分析(根据半导体物理学相关理论进行具体分析,计算得到如下性能指标的具体数值。) (1) 杂质全部电离温度(90%电离温度) (2) 载流子浓度分析(分区讨论) (3) 材料饱和区特征(饱和区的温度范围、载流子浓度) (4) 掺杂后性能改善分析(分析掺杂前后半导体材料的性能如载流子浓度、电导率、温度对载流子浓度的影响等的改善情况。) 四、 工艺可行性分析(主要是掺杂可行性分析,可从晶体结构匹配性方面或根据文献资料进行分析。) 五、 总结(对参数设计、性能

7、分析、工艺分析等进行简要总结。) 参考文献 附录2 景德镇陶瓷学院 半导体课程设计报告 设 计 题 目 XX基理想突变pn结的设计与性能分析 专业班级 姓名 学号 指 导 教 师

8、 完 成 时 间 年 月 日 一、 设计要求(查阅文献资料,阐明所设计pn结的应用背景,提出对室温下理想突变pn结的性能如正向电压电流关系、反向饱和电流大小、电容特性等方面的具体要求。) 二、 参数说明(以表格形式给出材料的设计参数;查找材料设计和性能分析过程中所涉及的相关参数,以表格形式给出参数符号、参数值并注明出处;查找设计过程中所涉及的物理常数,以表格形式给出。) 三、 性能指标分析(根据半导体物理学相关

9、理论进行具体分析,计算得到如下性能指标的具体数值。) (1) pn结势垒高度计算 (2) 非平载流子浓度分析 (3) 电流密度方程的建立和常温电压电流特性分析(计算并作图说明电压电流。) (4) 电容特性分析(势垒电容和扩散电容的计算说明。) 四、 工艺可行性分析(pn结的制备工艺选择和掺杂可行性分析,后者可从晶体结构匹配性方面或根据文献资料进行分析。) 五、 总结(对参数设计、性能分析、工艺分析等进行简要总结。) 参考文献 附录3   课程设计说明书撰写规范 一、 字体 标题:黑体,大标题四号,小标题小四号 正文内容:中文用宋体,,英文用新

10、罗马体,小四号,行间距为1.5倍行距。 参考文献:中文用宋体,,英文用新罗马体,小四号,行间距为1.0倍行距。 二、 打印 设计报告书一律使用A4打印纸计算机打印,页边距上2.5cm,下2cm,左2.5cm,右2cm(左装订),页下居中标明页码。 三、 公式 公式格式要规范化,全文公式统一编号,公式中首次出现的符号要进行说明。 例: (1) 式中 NC——导带的有效状态密度 EC——导带低能级 EF——费米能级 k0——波耳兹曼常数 T——温度 四、 表格 每个表格应有自己的表题和表序,表题应写在表格上方正中,表

11、序写在表题左方不加标点,空一格接写表题,表题末尾不加标点。全文的表格统一编序。表格应写在离正文首次出现处的近处,不应过分超前或拖后。 五、 插图 课程设计报告书的插图必须精心制作,线条要匀称,图面要整洁美观,插图应与正文呼应,不得与正文脱节。每幅插图应有图序和图题,全文插图统一编序,图序和图题位于图位下方居中处。由若干分图组成的插图,分图用a,b,c……标序,分图的图名以及图中各种代号的意义,以图注形式写在图题下方,选写分图名,另起行后写代号的意义。 六、 参考文献 参考文献的罗列顺序号码应与正文中出现的参考文献引用编号一致,并根据正文中文献引用首次出现的先后顺序进行编号,写法应规范。

12、 参考文献一般有书(或专著)、期刊、学位报告书集、专利等几类,应按文献号、作者、文献名称、出版社和出版日期(期刊则按刊物名称、卷、期)等顺序书写。应特别注意书写顺序和标点符号。例如: 参考文献 [1] 吴中庆,张基田.SiC颗粒与液体铝的界石层.广州:92秋季中国材料科学研讨会,C-MRS,1992.603-609. [2]Schacht E.Industrial polysaccharides. Amsterdam:Elsevier Science,1987 [3]郭景坤.陶瓷材料的强化与增韧新途径的探索.无机材料学报,1998,13910;23-26 [4]Spriggs G E.A history of fine grained hardmetal. Int J of Refractory Metal and Hard Material,1995,13:241-255

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