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工科物理大作业09-电磁感应与电磁场.doc

1、09 电磁感应与电磁场 一、选择题 (在下列各题中,均给出了4个~5个答案,其中有的只有1个是正确答案,有的则有几个是正确答案,请把正确答案的英文字母序号填在题后的括号内) 图9-1 1.如图9-1所示,在无限长载流直导线旁,放置一圆形导体线框,且线框平面与直导线共面。则在下列情况下线框会产生感应电动势的是: A.线框与直导线相对静止; B.线框的速度v沿纸面向上运动; C.直导线的电流,线框与直导线相对静止; D.线框绕过圆心O且垂直纸面的轴以角速度w 转动; E.线框以速度v向右远离直导线运动。 (C

2、E) [知识点] 法拉第电磁感应定律,由磁通量变化判断。 [分析与解答] 判断线框在磁场中是否有感应电动势,只要看通过它的磁通量是否发生变化即可,在A、B、D所示线圈中没有感应电动势因为磁通量不变化;在C所示线框中有感应电动势,因为直导线电流在变化,磁场B在变化,则会发生变化;而在E所示线框中也有感应电动势,因为离直导线越远,磁场越弱,减小;。 图9-2 2.如图9-2所示,通过导体线圈的磁感线减少了,则线圈内感应电动势的方向为: A.顺时针; B.逆时针; C.; D.无法判断。 (B) [知识点] 的负号意

3、义。 [分析与解答] 由楞次定理知,原来磁场方向向上并减弱,磁通量减少了,感应电流产生的磁场要阻碍向上的磁通量的减少,则会“减则同”,即其方向会与变化的磁场相同,则由右手螺旋法则知线圈内感应电动势的方向为逆时针。 图9-3(a) 3.如图9-3(a)所示,将一根导线弯折成半径为R的3/4圆周abcde,置于均匀磁场B中,当导线沿aoe的分角线方向以v向右运动时,导线中产生的感应电动势为: A.; B.0; C.; D

4、.。 (D) [知识点] 补偿法,动生电动势分析与计算. 图9-3(b) [分析与解答] 将圆弧导线abcde的a、e端用一直导线连接,形成如图9-3(b)所示的闭合回路。 当回路整体以速度v向右运动时,通过回路的磁通量不变,由法拉第电磁感应定律知,回路中电动势之和为零。即 又由动生电动势公式分析可知直导线ea电动势为 则从上分析可知,导线abcde中的电动势与直导线ea电动势大小必相等,即圆弧形导线abcde上的电动势为 ,负号表示其方向相反 图9-4 4. 如图9-4所示,M、N

5、为水平面内的两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直导线,外磁场B垂直于水平面且向上,当外力使ab向右平移时,则cd的运动情况为: A.不动; B.转动; C.向左移动; D.向右移动。 ( D ) [知识点] 动生电动势与安培力。 [分析与解答] 由于直导线ab处于均匀磁场B中,且速度、磁场与杆的方向三者垂直,有电动势,电动势的方向就是的方向,则当ab向右平移时,会在abcda闭合回路中形成方向为b→a→d→c顺时针的感应电流;又由安培定律知,直导线cd会受到向右的安培力的作用,直导线将会向右移动。 5.

6、如图9-5所示,一导体棒ab,长为L,处于均匀磁场B中,绕通过c点垂直于棒的轴在水平面内转动,已知。则导体棒中感应电动势和a、b两端点的电势大小关系为: A.,; B.,; C.,; D.,有时,有时。 (A) 图9-5 [知识点] 动生电动势判断与计算。 [分析与解答] 以c点为原点,建立如图所示坐标,在导体棒上任选一线元,其上的动生电动势为 整个导体棒上的电动势为 即感应电动势的方向为b→a,则a点电动势高于b点,即。 6.如图9-6(

7、a)所示,在圆柱形区域内分布着均匀磁场B,且为正的恒量,现将ao、ob、ab、和cd 5段导线置于图示位置,则下列说法正确的是: 图9-6(a) A.由于a、b两点电势确定,所以ab和aob上感生电动势相同,即; B.cd导线处于的空间,故=0; C.在该区域内,变化磁场激发的涡旋电场强度,故,; D.、均垂直于Ek,故。 (D) [知识点] 感生电动势的概念、分析。 图9-6(b) [分析与解答] 在如图9-6(b)所示的变化磁场中,在空间产生感生电场,感生电场线的分布是以o为圆心的一系列同心圆,各点的感生电场方向沿着圆周的切线

8、方向。 由于oa和ob与感生电场的方向正交,由电动势定义知,,,则;而ab导线处在感生电场中,且感生电场沿ab的分量不为零,则,且方向由a指向b,即。 cd导线虽处在磁场以外,但该空间仍有感生电场分布,且感生电场沿cd的分量不为零,则。 经计算知,圆柱形区域内涡旋电场强度为,即。 且有、,式中为三角形的面积,为扇形的面积,则,但。 7.在下列关于自感和位移电流的表述中,正确的是: A.自感系数的定义式为,所以,I越大,L越大; B.自感是对线圈而言的,对直导线回路不存在自感问题; C.位移电流的本质是变化的电场; D.位移电流只在平板电容器中存在

9、但它能激发磁场; E.位移电流是电荷的定向运动产生的,也能激发磁场。 (C) [知识点] 自感系数L和位移电流的概念。 [分析与解答] 线圈的自感系数L是反映线圈电磁惯性大小的物理量,它只和线圈本身的形状、大小、匝数、磁介质分布有关,而与线圈是否载流无关。当然线圈中有电流时,与I成正比,故L与I无关。 从自感的定义式可知,是穿过一个回路的磁通量,这个“回路”即可以指线圈回路,也可以指一般的载流回路。因而,并不是线圈才有自感,非线圈回路也有自感,只是与前者相比自感小得多。 位移电流实质上是指“变化的电场”,因而,它可存在于真空、介质、导体中。而且变化的电场(

10、位移电流)是能激发磁场的。 8.激发涡旋电场的场源是: A.静止电荷; B.运动电荷; C.变化的磁场; D.电流。 (C) [知识点] 感生电场的概念。 9.已知平板电容器的电容为C,两板间的电势差U随时间变化,则其间的位移电流为: A.; B.0;

11、C.; D.。 (D) [知识点] 位移电流的计算。 [分析与解答] 设平行板电容器的极板面积为S,其间的电位移为 当极板间的电势差随时间变化时,极板上的带电量也同样随时间变化,则其间的位移电流为 由关系可知 则 图9-7 10.平板电容器在充电过程中,忽略边缘效应,作如图9-7所示的环路L1和L2,则沿两个环路的磁场强度H的环流必有: A.;

12、 B.; C.; D.,。 (C) [知识点] 全电流安培环路定律。 [分析与解答] 根据全电流连续,平行板电容间的全部位移电流等于穿过的传导电流,因此,回路中的位移电流小于中的传导电流,则由H的环路定理知 且 二、填空题 1.法拉第电磁感应定律的表达式为 ,此式表明:感应电动势的大小等于磁通量随时间的变化率 ;负号表示的方向(指向)是 阻碍磁通量的变化 的方向。 已知垂直通过一平面线圈的磁通量随时间变化的规律为=(SI),则时刻

13、线圈中的感应电动势的大小为 ,它表明是随时间变化的。 [知识点] 法拉第电磁感应定律的意义。 [分析与解答] 感应电动势的大小 图9-8(a) 2. 如图9-8(a)所示,一条形磁铁插入线圈,根据楞次定律可知,线圈中感应电流i的流向是由点指向 a 点。 [知识点] 楞次定理的应用。 图9-8(b) [分析与解答] 由图9-8(b)知,原来磁场方向向上并在增加,由楞次定理知,磁通量增加了,则感应电流的磁场要阻碍向上的磁通量的增加,会“增则反”,即其方向会与变化后的磁场相反,则由右手螺旋法则知,线圈内感应电流的流向为顺时针方向即

14、即c→a)。 3.产生动生电动势的非静电力是 洛伦兹力 ,其相应的非静电性电场强度 ;动生电动势的方向(指向)就是 的方向。 产生感生电动势的非静电力是 感生电场力 。 [知识点] 动生电动势和感生电动势的概念。 图9-9(a) 4.如图9-9(a)所示,长为L的导体杆ab与通有电流I的长直载流导线共面,ab杆可绕通过a点,垂直于纸面的轴以角速度w 转动,当ab杆转到与直导线垂直的位置时,杆中的动生电动势为,a端的电势较b端的电势要 低 。 [知识点] 导体杆在非均匀场中转动时的计算。 图9-9(b) [分析与解答] 建立

15、如图9-9(b)所示坐标,导体杆微元中的动生电动势为 直导线在处产生的磁场为 方向向里 导体杆上的总电动势为 其方向由a指向b,则。 图9-10(a) 5.如图9-10(a)所示,直角三角形金属框架abc置于均匀磁场B中,磁场方向与ab边平行,已知,,当框架以角速度w 绕ab边作匀角速度转动时,则ac边中的动生电动势 ,整个回路abca中的动生电动势为 0 。 [知识点] 导体框在均匀场中转动时的计算。 [分析与解答] 在ac上任选一线元,其方向如图,则上

16、的动生电动势为 而微元处的速度为 则ac边上总的动生电动势为 图9-10(b) ,方向由a指向c 由于ba边不切割磁场线运动,则 而cb边上总的动生电动势为 方向由b→c 则 6.如图9-11所示,矩形导体线框abcd处于磁感强度的均匀、变化磁场中,,,则线框内感应电动势的大小为 。 图9-11 [知识点] 感生电动势的计算。 [分析与解答] 线框内感生电动势的大小为 7. 在半径为R的圆柱形区域内存在一匀强磁

17、场B,且以恒定变化率dB/dt减小,则区域内任一点( r < R )的感应电场强度Ek的大小为,其方向为 以中心为圆心、以r为半径的圆周在该点的切线方向 。 图9-12 [知识点] 感生电场的大小和方向。 [分析与解答] 由于B以及的分布具有轴对称性,则感生电场的电场线为一系列的同心圆,如图9-12所示。作半径为r的环路L,选逆时针方向为绕行方向,则的环流为 则 由于B在减小,则的方向与图示方向相反。 8.半径为R的无限长圆柱形导体上均匀流有电流I,该导体材料的相对磁导率为,则在与导体轴线相距r

18、r

19、 [知识点] 麦克斯韦电磁场的基本理论。 图9-13(a) 10.如图9-13(a)所示,质量极小的薄金属片与长直导线共面,由于薄金属片质量极小,可借用超声悬浮技术,使金属片在微重力状态下悬浮着(详见工科物理教程下册第192页)。当长直导线中突然通过大电流I时,由于电磁感应,薄金属片中将产生涡电流,则它将 向右运动 。(填向上、向下、向左、向右或转动) [知识点] 涡电流的形成及方向判断。 图9-13(b) [分析与解答] 当长直导线中电流增大时,其在薄金属片空间的磁通量增加,则会在薄金属片中产生逆时针流动的感应涡旋电流,如图9-13(b)所示;这时,薄金属

20、片内部因为带有涡流而成为载流导体,在长直导线的磁场中会受到磁力的作用;又由于长直导线的磁场与场点距离成反比,则对共面的圆电流而言,其靠近直导线的电流元受力大,且指向右边,远离直导线的电流元受力小,且指向左边,而圆电流受上、下磁力大小相等、方向相反,则圆电流将受到指向右边的合力的作用,因此,薄金属片将在此力作用下将向右运动。 三、简答题 试比较位移电流与传导电流的异同点。 [答] 共同之处:位移电流与传导电流一样都会产生磁场。 不同之处:(1)传导电流源于自由电荷的定向运动,而位移电流不涉及电荷运动,本质上就是变化的电场; (2)传导电流通过导体时要产生焦耳热,而位移电流则无热效应

21、 (3)传导电流只能在导体中存在,而位移电流可以在导体、电介质甚至真空中存在。 四、计算与证明题 1.如图9-14(a)所示,一边长为的正方形导体线框,内阻为R,以恒定速度v通过宽度为3a的均匀磁场区,B的方向垂直纸面向里。以正方形线框的前端刚好进入磁场区为计时起点,试在图9-14(b)所给的坐标中,画出正方形导体线框在运动过程中,其产生的感应电流Ii与时间t的关系曲线(要求标明有关坐标值,并取顺时针方向时电流Ii为正)。 [分析与解答] 如图9-14(c)所示,在正方形导体线框正在进入均匀磁场的过程中,t时刻线框进入磁场的面积为,取顺时针方向为绕行正向,则线框的磁通量为

22、 图9-14(d) 图9-14(f) 图9-14(e) 图9-14(c) 图9-14(b) 图9-14(a) 则当时,线框内的感应电动势为 即时间为时,线框内的感应电流为 ,方向为逆时针方向 如图9-14(d)所示,在正方形导体线框已经全部进入均匀磁场的过程中,线框的磁通量不变,即时间为时,则线框内无感应电流。 如图9-14(e)所示,在正方形导体线框正在离开均匀磁场的过程中,t时刻线框留在磁场的面积为,取顺时针方向为绕行正向,则线框的磁通量为 则当时,线框内的感应电动势为 即时间为时,线框内

23、的感应电流为 ,方向为顺时针方向 则在整个过程中,感应电流Ii与时间t的关系曲线如图9-14(f)所示。 图9-15 2.如图9-15所示,均匀磁场B中有一矩形导体框架,B与框架平面的正法线方向n之间的夹角,框架内的ab段长为,可沿框架以恒定速度v向右匀速运动。已知,k为正的常量,当时,。试求:当直导线ab运动到与cd边相距x时,框架回路中的感应电势。 [分析与解答] 由题意知S的绕行方向为逆时针,则 ,而 (顺时针) 3.由两个无限长同轴薄圆筒导体组成的电缆,半径分别为R1和R2(),其间充满磁导率为m 的磁介质,且流过内、外圆筒的电流I大

24、小相等,流向相反。 (1)试求长为l的一段电缆内的磁能; (2)试证明长为l的一段电缆的自感系数为。 [分析与解答] (1)由安培环路定律,当时,, 取长为l,半径为r,厚度为dr的体积元,其体积,则微元的磁能为 长为l的一段电缆内的磁能为 (2)取长为l,厚为dr的面积元,其面积,则微元的磁通量为 长为l的截面的磁通量为 图9-16 则长为l的一段电缆的自感系数为 4.一无限长直导线通有电流(式中I0、l 为恒量),与一矩形线框共面,并相互绝缘,线框的尺寸及位置如图9-15所示。试求: (1)直导线与线框间的互感系数;

25、 (2)线框中的互感电动势。 [分析与解答] (1)取dx,其到直导线距离为x,面积元,绕行方向为顺时针,则 左侧线框磁通量为负值,右侧线框磁通量为正值,则有 互感系数为 (2)由,变化,互感电动势为 (顺时针) 5.试计算下列各量: (1)当前实验室达到的水平,可获得的强磁场和的强电场。那么相应的能量密度有多大?并比较之。 [解答] 表明,磁场比电场更利于储存能量。 (2)在加速器中,利用超导线圈可具有持续大电流的特性来制成超导储存环。若环中的,要储存的能量,储存环的体积为多少?如果利用普通线圈中电流来储存同样的能量,该线圈的L应多大? [解答] 由, 故 线圈的自感系数为 通常一个直径为1cm,长为10cm,1000匝的螺线管,其L约为。 (3)如导线中存在着交变电场,因而有交变的传导电流和位移电流。导线电导率g 的数量级为,真空电容率的数量级为,的数量级为。则传导电流密度与位移电流密度比值的数量级为多少? [解答] 取极大值,所以有

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