微机线路保护原理.doc

微机线路保护原理
1.微机保护硬件可分为：人机接口、保护
相应的软件也就分为：接口软件、保护软件
2.保护软件三种工作状态：运行、调试、不对应状态
3.实时性：在限定的时间内对外来事件能够及时作出迅速反应的性
4.微机保护算法主要考虑：计算机精度和速度
中低压线路保护程序逻辑原理
4.选项子程序原理：判别故障相（选项），判定了故障的种类及相别，才能确定阻抗计算应取用什么 相别的电流和电压
5.电力系统的振荡大致分为：
一种 静稳破坏引起系统振荡，另一种 由于系统内故障切除时间过长，导致系统的两侧电源之间的 不同步引起的
超高压线路保护程序逻辑原理
6.高频闭锁方向保护的启动元件两个任务：
一是 启动后解除保护的闭锁
二是 启动发信回路，因此要求启动元件灵敏度高，以防止故障时不能启动发信
7.（1）闭锁式高频方向保护基本原理：
闭锁式高频方向保护原则上规定每端短路功率方向为正时，不送高频信号。
因此在故障时收不到高频信号表示两侧都为正方向，允许出口跳闸；在一段
相对较长时间内收到高频信号时表示两侧中有一侧为负方向，就闭锁保护。
（2）允许式高频方向保护基本原理：
当两侧均发允许信号时，可判断是区内故障，但就每一侧而言，其程序逻辑是收到对侧允许信号及 本侧视正方向，同时满足经延时确认后发跳闸脉冲。
8.综合重合闸四种工作方式：单相、三相、综合、停用
综合重合闸两种启动方式：①由保护启动 ②由断路器位置不对应启动
电力变压器微机线路保护
9.比率制动式差动保护的基本概念：比率制动式差动保护的动作电流是随外部短路电流按比率增大， 既能保证外部短路不误动，又能保证内部短路有效高的灵敏度
10.二次谐波制动原理：
在变压器励磁涌流中含有大量的二次谐波分量，一般占基波分量的40%以上。利用差电流中二次谐 波所占的比率作为制动系数，可以鉴别变压器空载合闸时的励磁涌流，从而防止变压器空载合闸时 保护的误动。
11.变压器零序保护
主变零序保护适用于110KV及以上电压等级的变压器。主变零序保护由主变零序电流、主变零序电 压、主变间隙零序电流元件构成，根据不同的主变接地方式分别设置如下三种保护形式：
①中性点直接按接地保护方式
②中性点不接地保护方式
③中性点经间隙接地保护方式
12.在放电间隙放电时。应避免放电时间过长。为此对于这种接地式应装设专门的反应间隙放电电流的 零序电流保护，其任务是即时切除变压器，防止间隙长时间放电
微机母线保护及断路器失灵保护
13.1）母线是发电厂和变电站重要组成部分之一。母线又称汇流是汇集电能及分配电能的重要设备
2）在发电厂或变电站，当母线电压为 35至66kv出线较少时，可采用单母线接线方式；而出线较 多时，可采用单母线分段；对110kv母线，当出线数不大于4回线时，可采用单母线分段
3）母线故障类型主要有 ：单相接地故障，两相接地短路故障（几率小）及三相短路故障
4）要求：①高度安全性可靠性 ②选择性强、动作速度快
14.母差保护分类
按阻抗分类：高、中、低母差保护
低阻抗母差保护（电流型母线差动保护） 按动作条件分：
①电流差动式母差保护 ②母联电流比相式母差保护③电流相位比较式母差保护
15.大差元件用于检查母线故障，小差元件选择出故障所在的哪段或哪条母线
16.不同型号母差保护，采用的启动元件有差异，通常有：电压工频变化量元件、电流工频变化量元 件、差流越限元件
17.TA饱和时其二次电流有如下特点：
（1）在故障瞬间，由于铁芯中的磁通不能越变，TA不能立即进入饱和区，而是存在一个时域为3至5ms 的线性传递区。在线性传递区内，TA二次电流与一次电流成正比
（2）TA饱和之后，在每个周期内一次电流流过零点附近存在不饱和时段，在此段内，TA二次电流又与 一次电流成正比
（3）TA饱和后其励磁阻抗大大减小，使其内阻大大降低，严时内阻为零（4）TA饱和，其二次电流偏 于时间轴一侧，致使电流的正、负半波不对 称，电流中有很大的二次和三次谐波电流分量
18.TA饱和鉴别元件的构成原理：
（1）同步识别法：当母线上发生故障时，母线电压及各出线元件上的电流将发生很大的变化，于此同 时在差动元件中出现差流，即电压或工频电流的变化量与差动元件中的差流是同时出现
（2）自适应阻抗加权抗饱和法
（3）基于采样值的重复多次判别法
（4）谐波制动原理

74ls373引脚图,内部结构,参数,应用电路(74ls373中文资料) 74ls373功能简介: 74ls373是常用的地址锁存器芯片，它实质是一个是带三态缓冲输出的8D触发器，在单片机系统中为了扩展外部存储器，通常需要一块74ls373芯片.本文将介绍74ls373的工作原理,引脚图(管脚图),内结构图、主要参数及在单片机系统中的典型应用电路.
74ls373工作原理简述: 74ls373内部逻辑结构图

L——低电平； H——高电平； X——不定态； Q0——建立稳态前Q的电平； G——输入端，与8031ALE连高电平：畅通无阻低电平：关门锁存。图中OE——使能端，接地。 当G=“1”时，74LS373输出端1Q—8Q与输入端1D—8D相同； 当G为下降沿时，将输入数据锁存

80C196KC补充内容 80C196KC与8096的区别
CPU方面 内部时钟变为二分频，时钟频率提高 （12MHz/3＝4MHz，改为16MHz/2=8MHz，100％）
不少指令所需状态周期减少
增加了休眠和掉电工作模式
增加了6个中断源和8个中断
增加了11条指令
中断响应速度提高了几倍
外设方面
增加了256个片内RAM；
增加了窗口切换功能（水平，垂直窗口功能）；
增加外围事件服务器（PTS）；
定时器T2变为可逆计数；
增加了HSO锁存事件的能力；
增加了HSO中CAM的全清命令；
串行口发送改为双缓冲器 PWM时钟可切换为2分频

80C196KC中断的变化
80C196KC新增中断源及优先级（8个）
中断源 中断矢量地址 优先级
TI（串口发送中断） 2030H 8
RI （串口接收中断） 2032H 9
HSI FIFO 4th 2034H 10
T2 CAP(TIME2捕捉中断) 2036H 11
T2 OV (TIME2溢出中断) 2038H 12
EXTINT1 203AH 13
HSI FIFO FULL 203CH 14
NMI 203EH 15
非法指令中断：2012H，CPU取到一条不可执行语句 产生中断
发送中断 ：2030H
接受中断 ：2032H
HSI FIFO 4 ：2034H，当第四个事件进入HSI的FIFO 时产生中断
TIMER2 捕捉：2036H，P2.7有正跳变产生中断
TIMER2 溢出：2038H，T2溢出中断
EXTINT引脚：203AH，P2.2引入的外部中断
HSI FIFO满：203CH， HSI的FIFO装满事件产生中断
NMI（置0） ：203EH，NMI非屏蔽中断
80C196KC新增指令
1．PUSHA—PSW、IMASK、IMASK1及WSR进栈
2．POPA—栈中弹出PSW、IMASK、IMASK1及WSR。
3．IDLPD—设置进入待机（IDLE）或掉电停机工作方式
4．CMPL—2个长整型数比较
5．XCH/XCHB指令
6．BMOV——块移动
7． BMOVI——块移动
8．EPTS指令
9．DPTS指令
10．TIJMP指令(表格转移指令)
11．DJNZW指令
80C196KC寄存器的变化
增加了256个寄存器（100H－1FFH）
1．PSW的状态位 80C196KC的PSW与8098相比，增加了PSE位，即PSW.10为PTS的功能允许位。（外围事务服务器）
2．芯片配置寄存器CCR 80C196KC的最低位D0为POWERDOWN（停机）方式的允许位
3．80C196KC中增加的寄存器 80C196KC的芯片的SFR中增加了十二个寄存器。这里介绍以下六个：WSR（14H）、IOS2（17H）、IOC2（0BH）、IOC3（0CH）、INT_PENDING1(12H)、INT_MASK1(13H)。