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Bandgap带隙Circuit.pptx

1、BroadGalaxy Confidential11.电压基准和电流基准的作用;电压基准和电流基准的作用;2.电压基准结构选择;电压基准结构选择;3.与温度无关的电压基准与温度无关的电压基准bandgap;4.实际实际bandgap电路设计;电路设计;5.实际实际bandgap电路仿真;电路仿真;6.电流基准的设计:电流基准的设计:PTAT电流电流/与温度无关电流;与温度无关电流;7.补充内容:闭环电路的稳定性判据;补充内容:闭环电路的稳定性判据;8.课后练习要求。课后练习要求。Outlinebandgap参考电压源电路设计与仿真参考电压源电路设计与仿真BroadGalaxy Confiden

2、tial2电压基准和电流基准的作用l模拟电路的设计中须广泛的应用到电压基准和电流基准,它们是直流量,为核心电路提供偏置,建立直流工作点;l一般来说,从芯片外部引入的供电电压都存在着一定的波动,而模拟电路对偏置电压的稳定性要求较高,因此一般会使用一个参考电压源,它将电源电压转化为一个具有良好电压稳定性和温度稳定性的电压,以提供良好的偏置。l同时大部分电路也需要一个参考电流源以提供偏置,常见的有不随温度变化的电流和与温度成正比的电流;BroadGalaxy Confidential3电压基准和电流基准的作用l常用的基准有:常用的基准有:与温度无关的基准电压;与温度无关的基准电压;与温度成正比的电流

3、与温度成正比的电流(PTAT电流);电流);与温度无关的电流与温度无关的电流.BroadGalaxy Confidential4电压基准结构选择电压基准结构选择l灵敏度S:灵敏度用于衡量参考电压源的稳压特性,灵敏度越低参考电压源的稳压特性越好。l动态电阻:对于一个二端元件,当其端电压变化时,端电压微小增量与端电流微小增量的比值。动态电阻等于IV曲线上参考点处曲线斜率的倒数。介绍两个概念r=BroadGalaxy Confidential5电压基准结构选择电压基准结构选择l对一个一般的分压网络进行分析,R1、R2为阻性元件。假定电源电压变化了 ,因为R1和R2串联,会以一定比例分配在这两个电阻

4、上,并且两者的电流改变量一致。BroadGalaxy Confidential6电压基准结构选择电压基准结构选择l这说明 在R1、R2上的分配与R1、R2的动态电阻成正比。如果我们能让R1的动态电阻很小,R2的动态电阻很大,则 大部分落在R2上,一小部分落在R1上,对电源电压的灵敏度会大大降低,稳压性能就会得到很大提高。BroadGalaxy Confidential7电压基准结构选择电压基准结构选择l如果选择R1、R2均为线性电阻,则它们的动态电阻与静态电阻相等。电源电压变化量 将仍以原来的静态电阻的分压比分配给R1、R2,最后R1、R2 的分压比与电源电压变化前相比没有改变。所以 与电源电

5、压将等比例变化,S=1,稳压效果不理想。BroadGalaxy Confidential8电压基准结构选择电压基准结构选择l在CMOS电路设计中,最自然的考虑是用非线性电阻元件MOS二极管来替代电阻R1。MOS二极管具有较小的动态电阻。在W/L=2,R2=100K情况下,S的典型值为0.283。BroadGalaxy Confidential9电压基准结构选择电压基准结构选择l在CMOS工艺当中,我们还可以利用寄生的纵向pnp三极管来形成二极管,它比MOS二极管具有更小的动态电阻。典型值S=0.0362。此种结构的稳压性能比较好,现阶段我们都采用此种结构。BroadGalaxy Confide

6、ntial10bandgap电路设计l这种结构的稳压性能虽好,但是它的温度特性仍然没有得到改善。具有负的温度系数,在室温时大约是-2.2mV/。我们可以通过补偿的方法来改善参考电压源的温度特性。我们期望构造出具有正温度系数的KT项,其中K为正常数,T为热力学温标,使l当温度变化时,与KT具有相反的变化趋势,则可以使 的温度特性得到补偿。BroadGalaxy Confidential11bandgap电路设计l此结构是在一个负反馈运算放大器的两个输入端各接一个稳压电路。两路稳压电路并联。它们并联的总电压作为我们所要的参考电压,连接到运放的输出端输出。电源电压包含在运放里。下面分析一下它的工作原

7、理。BroadGalaxy Confidential12bandgap电路设计(VR3即是我们要构造的KT项)k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,T为绝对温度,A为发射极面积。BroadGalaxy Confidential13bandgap电路设计将VR1带入 VR3,得其中所以因为所以BroadGalaxy Confidential14bandgap电路设计1.K必须独立于温度(用电阻之比)2.K必须独立于电源电压BroadGalaxy Confidential15KT项其实是两只稳压管的be结电压之差,这个电压我们是通过负反馈运放虚短用R1电阻取得的。我们又通过负反馈的作用使得I1/I2固定

8、于R2/R3,从而使得K值独立于温度和电源电压。最后,通过R1与R3的电压线性比例关系得到在R3上的温度补偿电压。bandgap电路设计BroadGalaxy Confidential16bandgap电路设计BroadGalaxy Confidential17bandgap电路设计BroadGalaxy Confidential18bandgap电路设计BroadGalaxy Confidential19bandgap电路设计BroadGalaxy Confidential20bandgap电路仿真l分析目的:直流温度扫描分析是为了分析参考电压源的温度特性,即在扫描温度范围内输出的参考电压值

9、随温度的变化情况。l测试激励:固定供电电压源1.8V,扫描温度参数。扫描范围(-40,120)。直流温度扫描BroadGalaxy Confidential21bandgap电路仿真BroadGalaxy Confidential22bandgap电路仿真l分析目的:分析在工艺参数变化的情况下,输出参考电压的变化情况。l测试激励:corner分析,ff,ss,温度扫描范围(-40,120)。工艺角扫描BroadGalaxy Confidential23bandgap电路仿真l分析目的:直流电压扫描分析是考察在供电电源电压值线性变化的情况下,输出参考电压值的变化情况。l测试激励:施加直流电压线性

10、扫描,供电电压扫描范围(1.6V,2V)。直流电压扫描BroadGalaxy Confidential24bandgap电路仿真lPTAT电流的产生BroadGalaxy Confidential25 目的:l产生与温度和电源都无关的电压基准;l产生与温度无关的电流基准;bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential26bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential27bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential28bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential29bandgap电

11、路设计进阶BroadGalaxy Confidential30bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential31bandgap电路设计进阶 其它结构的电压基准电路设计l产生与温度和电源无关的电压基准;l产生与温度无关的电流基准;BroadGalaxy Confidential32bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential33bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential34bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential35bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Conf

12、idential36bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential37bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential38bandgap电路设计进阶BroadGalaxy Confidential39补充补充l闭环电路的稳定性判据BroadGalaxy Confidential40补充补充Stability Analysis with Bode PlotsBroadGalaxy Confidential41ENDQ&ABroadGalaxy Confidential42课后练习要求:课后练习要求:lBandgap2_2v调试,电路如下:Br

13、oadGalaxy Confidential43课后练习要求课后练习要求l指标要求:lVREF直流范围:0.7V0.9V;lIREF直流范围:10uA50uAlVREF温度系数:60degree gain margin10dBBroadGalaxy Confidential44课后练习要求:课后练习要求:lBandgap3_3v调试,电路如下:BroadGalaxy Confidential45课后练习要求课后练习要求l指标要求:lVREF直流范围:1.1V1.3V;lIREF直流范围:50uA100uAlVREF温度系数:60degree gain margin10dBBroadGalaxy

14、 Confidential46小结小结l直流仿真,直流工作点,MOS工作状态判定;l电流镜仿真,复制电流关系;l偏置电路设计;l电压基准设计:正温电压+负温电压=温度无关电压;l电流基准设计:正温电流+负温电流=温度无关电流;l两级运放设计;l直流温度扫描方法;l直流电源电压扫描方法;l闭环电路STB仿真方法;l电流镜MOS管,成比例的BJT管,在版图上的match.BroadGalaxy Confidential47预习要求预习要求l比较器电路基础;lVCO与PLL电路基础;l射频电路基础:史密斯圆图,阻抗匹配,最大功率传输原理,高频电路中电容与电感如何等效;l参考书目:P.E.Allen,“CMOS Analog Circuit Design”,Second Edition,电子工业出版社电子工业出版社 Thomas H.Lee,“The Design of CMOS Raido Frequency Integrated Circuits”(英文版或中文版英文版或中文版)Behzad Razavi,“RF Microelectronics”(英英文版或中文版文版或中文版)

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