1、 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术年会
征 文 通 知
为发展我国电子束、离子束、光子束技术，由中国电子学会半导体与集成技术分会和生产技术分会联合主办的“第十二届全国电子束、离子束、光子束学术年会”将于2003年的金秋在北京市近郊召开，会议由中国科学院微电子中心和中国科学院电工研究所联合承办。
现将学术会议的征文工作通知如下：
一、征文范围：
1. 电子束、离子束光刻及微
2、细加工工艺
2. 电子束、离子束辐照材料改性
3. 电子束曝光及相关技术
4. 半导体离子注入与离子束合成（包括器件和集成电路）
5. 离子注入及相关技术
6. 光子束的薄膜淀积、杂质及材料加工工艺
7. X-射线光刻（包括掩模）
8. 分子束外延（MBE）、CBE、MOCVD及其他新外延技术
9. 等离子体加工技术（包括PECVD、溅射等技术）
10. 借助电子束、离子束、光子束的测试分析技术
11. 电子束、离子束、光子束与材料相互作用以及新效应的研究与计算机模拟
12. 光学光刻（包括相移光刻、远紫外光刻、激光光刻）
13.
3、 抗蚀剂及干法刻蚀技术
14. 半导体纳米技术，纳米器件及应用
15. 电子束、离子束、光子束在半导体材料器件电路及其它领域中的应用
16. 微机械、微系统研制及应用
17. 激光技术及其应用
18．生物芯片研制及应用
19．微电子器件封装技术
二、征文要求：
1. 论文内容应突出近两年来在研究工作中所取得的成果并且没有在国内外公开刊物或其它学术会议上发表过的论文，均可投稿。
2. 论文要求以稿件形式挂号邮寄。
3. 每一篇论文提交一式二份打印稿(供评审)，不接受手写稿件。请自留底稿，
无论录用否，均不退稿。
4．为保证会议论文集质量，论文格式
4、要求如下：
（1） 论文题目用2号字，作者姓名，单位、邮编及正文用五号字，字体统一用宋体。版芯尺寸为155´225mm2，不加页码。
（2） 为保证论文集的质量与版面统一，要求论文采用6.0以上版本的WORD软件排版，同时提供软盘或用E-mail将论文发至maoyl@，zkzx@meccas.ue.ac.an信箱 （将排好的文章存成doc文件，用E-mail下的“附加文件”功能将文件发过来）。
（3） 论文一律采用A4纸激光打印。论文篇幅，连图表在内不超过4页，特邀报告除外。要求：公式正确，图表简明清晰。
三、截稿日期：2003年6月30日
录用通知发出日期：2003年
5、7月30日
四、其他
为便于联系，请另附1页第1作者的姓名、性别、职务/职称，单位、电话等联络信息。
五、接收论文单位与联系人：
单 位：中国科学院微电子中心
通信地址：北京朝阳区北土城西路3号 科技处
电 话：（010） 62007213、62007136
联 系 人：施冰（62007213）、毛雅琳（62007136）
邮 编：100029
传 真：（010）62021601，
E-mail ：maoyl@，zkzx@meccas.ue.ac.an
主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会和生产技术分会
承办单位：中国科学院微电子中心、中国科学院电工研究所
中国科学院微电子中心代章
2002年11月1日
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
