材料科学基础-第2章晶体缺陷市公开课一等奖百校联赛优质课金奖名师赛课获奖课件.ppt

Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,本资料仅供参考，不能作为科学依据。谢谢。本资料仅供参考，不能作为科学依据。本资料仅供参考，不能作为科学依据。谢谢。本资料仅供参考，不能作为科学依据。,*,Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth levelFifth level,*,本资料仅供参考，不能作为科学依据。谢谢。本资料仅供参考，不能作为科学依据。本资料仅供参考，不能作为科学依据。谢谢。本资料仅供参考，不能作为科学依据。,材料科学基础,Chapter 2,晶体缺点,李谦 宁向梅主讲,1/81,1,Chapter Outline,2.1 Point Defects,2.2,Dislocations,2.3 Surface Defects,2/81,2,晶体结构中原子组合不完整性，称为,晶体缺点。,点缺点,在三维方向都很小（不超出几个原子间距）缺点，或者说是,零维缺点,。包含空位、间隙原子、置换原子等。,线缺点,在两个方向上尺寸很小，而另一个方向尺寸很长缺点，即,一维缺点,。也就是“位错”这是本章要重点讨论。,面缺点,在一个方向尺寸很小，而另两个方向尺寸很大缺点，即,二维缺点,。如相界面、晶界、亚晶界，还有孪晶界、堆垛层错等,。,3/81,3,Point defects,-Imperfections,such as vacancies,that are located typically at one(in some cases a few)sites in the crystal.,Extended defects,-Defects that involve several atoms/ions and thus occur over a finite volume of the crystalline material(e.g.,dislocations,stacking faults,etc.).,Vacancy,-An atom or an ion missing from its regular crystallographic site.,Interstitial defect,-A point defect produced when an atom is placed into the crystal at a site that is normally not a lattice point.,Substitutional defect,-A point defect produced when an atom is removed from a regular lattice point and replaced with a different atom,usually of a different size.,Section 2.1 Point Defects,点缺点,4/81,4,图,2-1,点缺点：,(a),空位,(b),间隙原子,(c),小置换原子,(d),大置换原子,(e),弗兰克空位,(f),肖脱基空位,Figure 2-1 Point defects:(a)vacancy,(b)interstitial atom,(c)small substitutional atom,(d)large substitutional atom,(e)Frenkel defect,(f)Schottky defect.All of these defects disrupt the perfect arrangement of the surrounding atoms.,5/81,5,6/81,6,1,空位,(Vacancy),晶体中原子克服周围原子约束力，跳到别位置而在原有位置留下空结点，称为,空位,。它包含以下两类：,弗兰克（,Frank,）空位,晶体中原子迁移到晶体点阵间隙位置，在原位置形成空位。,肖脱基,(Schottky),空位,晶体中原子离开平衡位置，迁移到表面或其它界面而在原位置形成空位。,2,间隙原子,(interstitial atom),晶体点阵间隙位置出现原子称为,间隙原子,。间隙原子又分为同类间隙原子和异类间隙原子。显然，同类间隙原子可与弗兰克空位同时产生。异类间隙原子，多由半径很小异类原子形成。,2.1.1,分类,7/81,7,3.,置换原子（,Substitutional atom,）,异类原子代换了原有晶体中原子，而处于晶体点阵结点位置，称为置换原子，亦称,代位原子,。,各种点缺点，都破坏了原有晶体完整性。它们从电学和力学这两个方面，使近邻原子失去了平衡。空位和直径较小置换原子，使周围原子向点缺点方向松弛，间隙原子及直径较大置换原子，把周围原子挤开一定位置。因而在点缺点周围，就出现了一定范围点阵畸变区，或称,弹性应变区,。距点缺点越远，其影响越小。因而在每个点缺点周围，都会产生一个弹性应力场。,2.1.1,分类,8/81,8,1.,空位形成能和间隙原子形成能,形成一个空位（或间隙原子）所需要能量，称为,空位形成能,（或,间隙原子形成能,）。它包含,电子能,（缺点对晶体中电子状态影响）和,畸变能,。空位以前者为主，间隙原子以后者为主。,间隙原子形成能比空位形成能高出几倍。所以，空位形成比较轻易，数量比较多。,2.,空位引发熵变,n,个空位在,N,个位置上组合方式数目，若用,即产生,n,个空位几率表示，则,玻尔兹曼研究出熵统计学表示式为,2.1.2,点缺点对体系热力学能和熵影响,9/81,9,n,个空位造成系统排列熵改变为,若,N,不变，当,n0,。因,nN,，故,空位增加总是引发熵增加。,因为原子振幅改变，也可引发熵变，称为,振动熵,。空位增加，振动熵也增加。进而提升了系统熵变。,F=U-TS,F-,自由能，,U-,热力学能，,S-,熵值,空位形成，既可因其增加热力学能而升高系统自由能，又可因其增加熵值而降低系统自由能。所以，在一定温度下，可能存在着一个使系统自由能最低空位数量。空位引发系统自由能改变为,:,2.1.2,点缺点对体系热力学能和熵影响,10/81,10,可得自由能最低时空位浓度为,A,为材料常数，常取作,1,。,K,为,Boltzman,常数，约为,1.3810,-23,J/K,或者,8.6210,-5,ev/K,。,U,v,为产生每摩尔空位形成能，单位为卡,/mol,或者,J/mol,。,R,为气体常数，,1.978,卡,/mol,或者,8.31J/mol,。,间隙原子平衡浓度比空位低很多，可忽略不计。,不论空位和间隙原子，都是一个热平衡缺点。,2.1.3,空位与间隙原子平衡浓度,11/81,11,式,(27),与阿累尼乌斯表示很靠近，两种过程本质是相同，都是由原子热运动引发热激活过程。对于化学反应过程而言，只有当原子,(,或分子,),能量比平均能量高出能量足以克服反应激活能那部分原子才能参加反应；对于点缺点形成而言，只有比平均能量高出缺点形成能那部分原子才能形成点缺点。所以,点缺点平衡浓度与化学反应速率一样，随温度升高呈指数关系增加,。,在一定温度下，存在一个使系统自由能最低空位浓度，称为该温度下,空位平衡浓度,。空位形成能,U,V,愈小，空位平衡浓度愈大；温度愈高，空位平衡浓度也愈大。比如纯,Cu,在靠近熔点,1000,时，空位浓度为,10,-4,，而在常温下,(20),空位浓度却只有,10,-19,。,2.1.3,空位与间隙原子平衡浓度,12/81,12,晶体中点缺点浓度可能高于平衡浓度，称为,过饱和点缺点,，或,非平衡点缺点,。取得方法：,高温淬火：,将晶体加热到高温，然后快速冷却（淬火），则高温时形成空位来不及扩散消失，使晶体在低温状态依然保留高温状态空位浓度，即过饱和空位。,冷加工：,金属在室温下进行冷加工塑性变形也会产生大量过饱和空位，其原因是因为位错交割所形成割阶发生攀移。,辐照：,在高能粒子辐射下，金属晶体点阵上原子可能被击出，发生原子离位。因为离位原子能量高，在进入稳定间隙之前还会击出其它原子，从而形成大量间隙原子和空位（即弗兰克尔缺点）。在高能粒子辐照情况下，因为形成大量点缺点，而会引发金属显著硬化和脆化，该现象称为,辐照硬化,。,2.1.4,过饱和点缺点,13/81,13,原子,(,或分子,),扩散,就是依靠点缺点运动而实现。,点缺点引发,电阻增加,，晶体中存在点缺点时破坏了原子排列规律性，使电子在传导时散射增加，从而增加了电阻。空位存在还使晶体,密度下降,，体积膨胀。利用电阻或密度改变能够测量晶体中空位浓度及其改变规律。,空位存在及其运动是晶体高温下发生,蠕变,主要原因之一。,晶体在室温下也可能有大量非平衡空位（如从高温快速冷却时保留空位，或者经辐照处理后空位），这些过量空位往往沿一些晶面聚集，形成,空位片,，或者它们与其它晶体缺点发生交互作用，从而使材料,强度有所提升,，但同时也引发,显著脆性,。,点缺点形貌能够用电镜直接观察。点缺点其它性质如生成焓、生成熵、扩散激活能（或迁移率）、以及它引发晶体体积改变等，都能够经过各种物理试验测定。常见试验有：比热容试验；热膨胀试验；淬火试验；淬火退火试验；正电子湮没试验等。,2.1.5,点缺点与材料行为,14/81,14,计算铜在室温（,25,）下,),空位数目。假定铜空位形成能,Qv,为,20,000,卡,/mol,，铜晶格常数为,0.36151nm,。若要使空位浓度增加到室温下空位浓度,1000,倍，需要什么样温度下热处理？材料常数,A,为,1,。,例题,2-1,解答,The lattice parameter of FCC copper is 0.36151 nm.The basis is 1,therefore,the number of copper atoms,or lattice points,per cm,3,is:,例题,2-1 The Effect of Temperature on Vacancy Concentrations,15/81,15,Example 2-1 SOLUTION(Continued),在室温,T=25+273=298 K:,We could do this by heating the copper to a temperature at which this number of vacancies forms16/81,16,计算密度为,7.87g/cm,3,体心立方铁中空位数目。该铁晶体晶格常数为,2.866 10,-8,cm,，原子量为,55.847g/mol,。,Example 2-2 SOLUTION,The expected theoretical density of iron can be calculated from the lattice parameter and the atomic mass.,Example 2-2 Vacancy Concentrations in Iron,17/81,17,Example 2-2 SOLUTION(Continued),Lets calculate the number of iron atoms and vacancies that would be present in each unit cell for the required density of 7.87 g/cm,3,:,Or,there should be 2.00 1.9971=0.0029 vacancies per unit cell.The number of vacancies per cm,3,is:,18/81,18,Interstitialcy,-A point defect caused when a normal atom occupies an interstitial site in the crystal.,Frenkel defect,-A pair of point defects produced when an ion moves to create an interstitial site,leaving behind a vacancy.,Schottky defect,-A point defect in ionically bonded materials.In order to maintain a neutral charge,a stoichiometric number of cation and anion vacancies must form.,Kr,ger-Vink notation,-A system used to indicate point defects in materials.The main body of the notation indicates the type of defect or the element involved.,Other Point Defects,19/81,19,Figure When a divalent cation replaces a monovalent cation,a second monovalent cation must also be removed,creating a vacancy.,20/81,20,1926,年弗兰克,(Frank),估算了晶体理论强度。他假设晶体原子排列是完整。在外力作用下，滑移是由上下两层原子,整体刚性切动,来实现，即所谓,卡片式滑移,。计算结果，晶体,理论剪切强度,应为,这个计算值与试验值,相差,34,个数量级,。,1934,年，泰勒,(G.I.Taylor),、波朗依,(M.Polanyi),奥罗万,(E.Orowan),三人几乎同时提出了晶体中位错概念。尤其是泰勒把位错与晶体塑性变形时滑移过程联络起来，对弗兰克假设引发矛盾，作了有力说明。,2.2.1,金属理论强度和位错学说产生,Section 2.2 Dislocations,位错,21/81,21,金属,Al,Ag,Cu,-Fe,Mg,理论值,3830,3980,6480,10960,2630,实际值,0.786,0.372,0.490,2.75,0.393,表,2-3,金属理论剪切强度与实际值比较,图,2-2,卡片式滑移,=,b,x,b,a,S.P.,x,0,1,a,2,a,图,2-3,原子切动时受力改变曲线,22/81,22,23/81,23,位错理论,与弗兰克假设根本区分是，滑移并非上、下两部分晶体作整体性刚性滑移。,滑移是经过一排排原子、一列列原子、甚至一个个原子传递式移动来实现位错,是滑移传递过程中已滑移部分和未滑移部分交界限，一根位错线扫过滑移面，滑移面两边晶体才完成一个原子间距相对切动。,晶体,滑移,过程，就表现为位错运动过程。,1957,年，终于用电子显微镜直接观察到位错存在及其运动。,2.2.1,金属理论强度和位错学说产生,24/81,24,刃型位错,(Edge dislocation),刃型位错,和,刃型位错线,。,正刃型位错,，用“”表示；,负刃型位错,，用“”表示。刃型位错正负是相正确。,位错扫过滑移面，晶体上下两部分就完成一个滑移矢量切动。位错线移动方向称为,位错运动方向,，它与位错线是垂直。,刃型位错是晶体内滑移面上已滑移区与未滑移区交界限。在滑移过程中，位错线垂直于切应力方向（即滑移矢量方向）。位错运动方向，与切应力平行，与位错线垂直。,2.2.2,位错基本类型,25/81,25,图,2-5,刃型位错示意图,26/81,26,位错线周围晶格畸变区看成是存在着一个,弹性应力场,。,正刃型位错，滑移面上边晶格受到,压应力,；滑移面下边晶格受到,拉应力,；而在滑移面上，晶格受到是切应力。,通常把晶格畸变程度大于其正常原子间距,1/,4,区域称为,位错宽度,，其值约为,3,、,5,个原子间距。,位错是一条含有一定宽度细长,晶格畸变管道,。,刃型位错应力场能够与间隙原子和置换原子发生弹性交互作用。刃型位错往往总是携带着大量溶质原子，形成,柯垂尔（,Cottrell,）气团,或者,柯氏气团,。这会使位错晶格畸变降低，同时使位错难于运动，从而造成金属,强化,。,2.2.2,位错基本类型,27/81,27,2.,螺型位错,(Screw dislocation),滑移传递方式为：在滑移面上部与切应力平行且与滑移面垂直原子面，从前到后依次向左切动（纸面朝前）。,在已滑移区,ABEF,与未滑移区,EFDC,交界限,EF,处，就形成了一个被扭成螺旋面一维畸变区。,EF,如同一个螺钉轴线，也是晶体中螺旋面轴线。所以把这种一维畸变称为,螺型位错,。,EF,就是,螺型位错线,。,顺时针旋转前进者，为,右螺型位错,（符合右手法则。即以右手四指为旋转方向，则前进方向同右手拇指方向）。逆时针旋转前进者，为,左螺型位错,（符合左手定则）。一个螺型位错左旋或右旋，是不变，不是相正确。,2.2.2,位错基本类型,28/81,28,图,2-6,螺型位错示意图,图,2-7,螺型位错滑移面上下原子排列俯视图,29/81,29,30,Figure the perfect crystal(a)is cut and sheared one atom spacing,(b)and(c).The line along which shearing occurs is a screw dislocation.A Burgers vector,b,is required to close a loop of equal atom spacings around the screw dislocation.,30/81,螺型位错与刃型位错不一样，它没有额外半原子面。在晶格畸变细长管道中，只存在,切应变,，而无正应变，而且位错线周围弹性应力场呈轴对称分布。,螺位错应力场即使是纯切应力，但对非球形对称点缺点也产生作用。如体心立方中扁八面体间隙，在水平方向与垂直方向间隙半径不一样，其间隙原子会引发非球形对称畸变。螺位错纯切应力场可等效为一个拉应力，使等效拉应力方向上间隙尺寸变长，从而使间隙原子择优分布于受等效拉应力作用方向上。这种在螺位错周围择优分布溶质原子，叫做史诺克,(Snook),气团,。它对位错钉扎作用也很强，且与温度近似无关。,在室温下以,Cottrell,气团起主要作用，而高温以,Snook,气团起主要作用。,2.2.2,位错基本类型,31/81,31,3.,混合位错,已滑移区和未滑移区分界限（图中,AB,虚线），与切应力或滑移矢量既不平行又不垂直。这条线仍是一维畸变区，称为,混合型位错,。,混合位错实际是无数小刃位错和螺位错交替衔接。,位错定义为晶体滑移面上已滑移区和未滑移区交界限。实际就是沿交界限附近一个局部原子排列扰乱区域。,位错线与滑移矢量垂直，为刃位错，二者平行，为螺位错，既不垂直又不平行，为混合位错。,2.2.2,位错基本类型32/81,32,1.,柏氏矢量,不论位错线和位错运动方向怎样，位错运动引发原子切动方向，总是和切应力方向一致。位错运动引发原子切动方向和距离，称为,滑移矢量,。,假如把位错单纯看成一个缺点，它反应了位错周围点阵畸变情况。因为,Burgors,最先强调了这个矢量主要性，所以把位错运动引发原子切动方向和距离，称为“,柏氏矢量,”。记为,b,或,因为晶体点阵周期力要求，柏氏矢量必定是由一个原子平衡位置指向另一平衡位置。,柏氏矢量等于点阵矢量（或其整数倍）位错，称为,全位错,，柏氏矢量小于点阵矢量位错，称为,不全位错,。,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,33/81,33,2.,柏氏回路,柏氏矢量表示方法：一根位错线柏氏矢量，用柏氏回路方法确定。其步骤是：,人为要求位错线正向，用,t,或,表示（以位错线外为正）,围绕位错线，在完整晶体区域作右旋闭合回路即以右手拇指朝向位错线正向，按四指握旋方向作回路。回路每一步，都是从一个原子到另一相邻原子，最终回到起点；,在完整晶体中，不绕位错线，作一样步数相同回路，它必定不能闭合；,以不闭合回路终点（,F,）指向始点,(S),所得矢量，即为位错线柏氏矢量,b.,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,34/81,34,图,2-10,柏氏回路,(a),刃型位错,(b),螺型位错,35/81,35,2.,柏氏回路,不论柏氏回路大小怎样，所得柏氏矢量都是一样。柏氏矢量反应了位错周围点阵畸变或原子位移积累。,位错线,t,方向是人为，故而,b,方向也是相正确。前者改变，后者也随之改变然而对于给定位错，一旦确定了位错线方向，,t,与,b,关系是确定不变。,滑移面,定义为“位错线与其柏氏矢量共面面”。,上述确定柏氏矢量法则称为,FS/RH,法则,。,RH,表示右旋回路，,FS,表示由终点指向起点。,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,36/81,36,3.,柏氏矢量守恒性,既然同一根位错线运动，引发晶体原子切动大小和方向是相同，所以，不论围绕位错线哪一段作柏氏回路，不论柏氏回路起点和路径怎么选择，所得柏氏矢量都是一样。这就是柏氏矢量守恒性。所以：,一根不分岔位错线不论其形状怎样改变，它只有一个恒定柏氏矢量。,位错线不能终止在晶体内部，只能终止在表面或界面，或与其它位错线连成结点。,一根位错分为两个位错，其柏氏矢量之和亦守恒。或者说，汇聚在一个结点各位错线，若要求其正向（或背向）都指向结点，则它们柏氏矢量之和为零。即：,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,37/81,37,4.,柏氏矢量与位错类型关系,假如位错线正向,t,与柏氏矢量,b,平行，即为螺型位错。,t,与,b,平行且同向，为右螺位错，,t,与,b,平行且反向，则为左螺位错。,t,与,b,垂直，即为刃型位错。其正负可用右手法则确定。食指朝向位错线正向，中指（屈向与拇指食指垂直）朝向柏氏矢量方向，拇指（与食指垂直）即表示半原子面方向。,t,与,b,既不平行又不垂直，即为混合位错。混合位错柏氏矢量，能够分解为平行于,t,螺型分量和垂直于,t,刃型分量。,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,38/81,38,5.,柏氏矢量表示方法：,Ob,110:,柏氏矢量,b,1,1,a,十,1,b,十,0,c,，,b,=110,。,Oa,110:,b,2,1/2,a,十,1/2,b,十,0,c,b,2,=a/2110,柏氏矢量普通表示式,:,。,其模则为：,2.2.3,柏氏矢量和柏氏回路,图,2-12,柏氏矢量表示,39/81,39,结晶萌生,如晶体从液相中成长时，相邻两部分晶体发生碰撞，因其位向不一致，在交界处就会有大量位错出现。最简单晶界就是由位错垒积“墙”。若晶体从一些界面（容器壁或杂质等）开始形成，因基底不平也可能直接倾斜生长或螺旋式生长，从而萌生位错液流冲击也可使晶格错排而萌生位错。,冷却萌生,不论是凝固后或加热后冷却，因空位平衡浓度要下降，过饱和空位就可能凝聚成空位片，然后上下晶体塌陷，在原空位片边缘，会形成一个位错环。这种位错环都是刃型位错，如同从周围水平插入一圈“半原子面”，故其滑移面是垂直并经过位错环一个柱面，其柏氏矢量也与环面垂直（“柱面位错”）。,应力集中萌生,晶体内温度、浓度不均匀改变，结构改变，夹杂物与基体之间不均匀膨胀或收缩，变形过程中晶内障碍等等，都可能造成很大应力集中，从而引发位错萌生。所以，位错即使不是热平衡缺点，要得到没有位错晶体是十分困难。,2.2.4,位错萌生,40/81,40,单位体积晶体中所含位错线总长度，叫做,位错密度,。,在充分退火金属中，位错密度为,(10,5,10,6,)/cm,2,，经过猛烈冷变形金属，位错密度为,(10,10,10,12,)/cm,2,。,晶须,是由试验室制备极细而几乎没有缺点金属晶体。非晶态金属（金属玻璃），是失掉点阵特征，能够认为缺点靠近百分之百金属。,晶须结构靠近理想晶体，故其强度也靠近理论值。退火态强度较低。经过猛烈冷变形金属，位错密度剧增，又因其相互妨碍而使滑移困难，提升了强度。所以，实际使用各种金属强化方法，都是依靠增加晶体缺点而实现,。,2.2.5,位错密度及其与强度关系,41/81,41,图,2-15,位错密度及其与强度关系,42/81,42,位错滑移,使刃型位错运动切应力方向必须与位错线垂直；而使螺型位错运动切应力方向却是与螺型位错平行；,不论是刃型位错或螺型位错，它们运动方向总是与位错线垂直。对于刃型位错，晶体滑移方向与位错运动方向是一致，不过螺型位错所引发晶体滑移方向却与位错运动方向垂直。,上述两点差异能够用位错柏氏矢量给予统一。,不论是刃或螺型位错，使位错滑移切应力方向和柏氏矢量,b,都是一致；,两种位错滑移后，滑移面两侧晶体相对位移也是与柏氏矢量,b,一致，即位错引发滑移效果即滑移矢量,),能够用柏氏矢量描述。,2.2.6,位错运动,43/81,43,2.,滑移阻力,(,位错起动力,Peirls-Nabarro,力,),位错起动力就是使位错开始滑移所需剪应力，也叫作,派,-,纳力,（,Peirls-Nabarro Stress,）,。它也是晶体点阵对位错运动阻力，即滑移阻力。其表示式为,式中，,为位错开始滑移所需剪应力，,d,为滑移面面间距，,b,为柏氏矢量模。,c,和,k,为和材料相关常数。,滑移阻力随柏氏矢量大小呈指数上升。所以滑移方向应含有小原子重复距离或者高原子线密度。金属和合金密排方向满足此条件，所以也是滑移方向。,滑移阻力随滑移面面间距呈指数下降滑移面应为原子面密度大，面间距大密排面。所以说，,滑移最轻易沿着晶体中最密晶面上最密晶向进行。,2.2.6,位错运动,44/81,44,2.,滑移阻力,(,位错起动力,Peirls-Nabarro,力,),在共价键晶体（如硅）和聚合物中，位错不轻易运动。因为结合键强度和方向性，这些材料普通展现出脆性。,离子键晶体（如,MgO,等陶瓷）也极难滑移。首先，位错运动会破坏阴离子和阳离子周围电荷平衡，引发阴离子和阳离子之间结合键断裂。在滑移中，同性离子相遇还会产生排斥作用。和金属和合金相比，陶瓷柏氏矢量比较大，派,-,纳力大。陶瓷材料脆性断裂还与内部存在一些缺点（如孔洞）相关。,陶瓷材料增韧性方法：a,）相变（称为相变增韧，比如全稳定氧化锆）（,b,）机械孪晶（,c,）位错运动（,c,）晶界滑动。,普通，高温和压缩应力会造成更高韧性。在一定条件下，一些陶瓷材料能够含有很高塑性变形能力，即含有超塑性。,45/81,45,3.,位错攀移,刃位错垂直于滑移面运动叫,攀移,。,只有刃型位错才能发生攀移运动，螺型位错是不会攀移,。攀移时位错线运动方向恰好与柏氏矢量垂直。普通，半原子面收缩（正刃位错向上运动，负刃位错向下运动）叫,正攀移,，半原子面扩展叫,负攀移,。,滑移时不包括原子扩散，而攀移正是经过原子扩散而实现。正攀移，可吸收空位，或者释放间隙原子。负攀移，吸收间隙原子或释放空位。,非平衡点缺点能促进位错攀移。过饱和空位，有利于位错正攀移，不饱和空位浓度及过饱和间隙原子，有利于位错负攀移。这么，攀移时位错线并不是同时向上或向下运动，而是原子逐一加入，所以攀移时位错线上带有很多台阶,(,割阶,),。,2.2.6,位错运动,46/81,46,因为空位数量及其运动速率对温度十分敏感。所以位错攀移是一个热激活过程，,通常只有在高温下攀移才对位错运动产生主要影响,，而常温下它贡献并不大。,外加应力对位错攀移也有促进作用。显然切应力是无效，只有正应力才会帮助位错实现攀移，在半原子面两侧施加压应力时，有利于原子离开半原子面，使位错发生正攀移；相反，拉应力使原子间距增大，有利于原子扩散至半原子面下方，使位错发生负攀移。,2.2.6,位错运动,47/81,47,Figure The perfect crystal in(a)is cut and an extra plane of atoms is inserted(b).The bottom edge of the extra plane is an edge dislocation(c).A Burgers vector b is required to close a loop of equal atom spacings around the edge dislocation.,48/81,48,Figure A mixed dislocation.The screw dislocation at the front face of the crystal gradually changes to an edge dislocation at the side of the crystal.,49/81,49,Figure Schematic of slip line,slip plane,and slip(Burgers)vector for(a)an edge dislocation and(b)for a screw dislocation.(,Adapted from J.D.Verhoeven,Fundamentals of Physical Metallurgy,Wiley,1975,.),50/81,50,Figure (a)When a shear stress is applied to the dislocation in(a),the atoms are displaced,causing the dislocation to move one Burgers vector in the slip direction(b).Continued movement of the dislocation eventually creates a step(c),and the crystal is deformed.(d)Motion of caterpillar is analogous to the motion of a dislocation.,51/81,51,52/81,52,Calculate the length of the Burgers vector in copper.,Example,Burgers Vector Calculation,Figure(a)Burgers vector for FCC copper.(b)The atom locations on a(110)plane in a BCC unit cell,53/81,53,The length of the Burgers vector,or the repeat distance,is:,b=1/2(0.51125 nm)=0.25563 nm,Example SOLUTION,Copper has an FCC crystal structure.The lattice parameter of copper(Cu)is 0.36151 nm.The close-packed directions,or the directions of the Burgers vector,are of the form .The repeat distance along the directions is one-half the face diagonal,since lattice points are located at corners and centers of faces,54/81,54,The planar density of the(112)plane in BCC iron is 9.94,10,14,atoms/cm,2,.Calculate(1)the planar density of the(110)plane and(2)the interplanar spacings for both the(112)and(110)planes.On which plane would slip normally occur?,Example Identification of Preferred Slip Planes,Figure (a)Burgers vector for FCC copper.(b)The atom locations on a(110)plane in a BCC unit cell,55/81,55,Example SOLUTION,1.The planar density is:,2.The interplanar spacings are:,The planar density and interplanar spacing of the(110)plane are larger than those for the(112)plane;therefore,the(110)plane would be the preferred slip plane.,56/81,56,从提出位错假定到真正观察到位错差不多用了,25,年。,位错与晶体表面相交区域处于较高能量状态。当金属材料放入一些酸等浸蚀剂中进行化学反应浸蚀时，位错与晶体表面相交区域处腐蚀速率比基体更加快一些。这些位错腐蚀区域在光学显微镜下表现为,蚀坑,(Etch pits),。,利用蚀坑观察位错只能观察在表面露头位错，而在晶体内部位错则无法显示；另外，浸蚀法只适合于位错密度很低晶体，假如位错密度较高，蚀坑就会相互重合，无法分辨。高纯度金属和化合物晶体位错观察可用此法。,透射电镜（,TEM,）也用于观察晶体中位错。当大量位错线移动到晶体表面，就产生了能够在透射电镜下看到,滑移线,。一组滑移线组成了光学显微镜下能够看到,滑移带,。,2.2.7,位错观察,57/81,57,Figure 2-19 A sketch illustrating dislocations,slip planes,and etch pit locations.,图,2-19,位错、滑移面和蚀坑关系示意图,58/81,58,Figure 2-20 Optical image of etch pits in silicon carbide(SiC).The etch pits correspond to intersection points of pure edge dislocations with Burgers vector a/3 and the dislocation line direction along 0001(perpendicular to the etched surface).Lines of etch pits represent low angle grain boundaries,图,2-20,碳化硅（,SiC,晶体表面蚀坑分布光学图像,59/81,59,Figure 2-21 Electron photomicrographs of dislocations in,Ti,3,Al,:(a)Dislocation pileups(x26,500).(b)Micrograph at x 100 showing slip lines and grain boundaries in AI.(c)Schematic of slip bands development.,图,2-21 TiAl3,中位错透射电镜照片：,（,a,）位错塞积，,36500;,（,b,）,Al,滑移线和晶界,（,c,）滑移带形成示意