1、AMP-RD EMC對策實務講義:
EMC 的定義
某一裝置, 或系統和其他裝置, 或系統同時運作時, 互相間不會因有 “干擾“ 問題而功能受到影響時稱可 “相容”
EMC 又為:EMI及EMS 兩項
何謂EMI其定義為: 某一裝置, 或系統在執行應具有功用的過程當中如出現有不利於對其他電子設備, 此訊號是不想要的,且是沒意義, 則稱此訊號為”EMI”
何謂EMS其定為某一裝置,或系統在行應具有功用的過程當中不受週圍電、磁環境影響的能力稱為”EMS”
二、EMI 測試說明
A. 項目:傳導干擾及輻射干擾
傳導干擾:專對電源部份作測試,測試頻
2、率為0.45MHZ~30MHZ
輻射干擾:專對所發射雜訊的干擾電場強度所作的量測,測量頻率
為30MHZ~1GHZ
B. 規格 (參考 FCC CLASS B SPEC.)
C.測量配備圖
傳導測試配備圖
D.實例說明:DVD PLAY
(實例圖一)
(實例圖二)
實例圖一說明:機器是在DVD PLAY狀態下作測試,測試天線為垂直方向,
LIMIT LINE 為 FCC CLASS-B,機器作360 度旋轉所作出來的數據,此時測試頻率30~300MHZ間發現有13點頻率超出規格。
3、
實例圖二說明:機器是在DVD PLAY狀態下作測試,測試天線為垂直方向,
LIMIT LINE 為 FCC Class-B,機器作360 度旋轉所作出來的數據,此時測試頻率300~1GHZ間發現有7點頻率超出
更改對策說明:A.DVD控制板加銅箔接地;可改善高頻部份
B.27MHZ振盪器串100Ω電阻降低振盪輸出,作此對策必須不能影響其正常功能運作;可改善倍頻超出部份
C. DVD 排線夾CORE;降低高頻部份
4、 D. DVD 電源線加CORE;降低低頻78.3MHZ
E. TUNER GND連接電源 GND至外部鐵板;將BASE下壓
F. AV IN 並電容 220p對地;消減因外部引線所帶出干擾信號
G. AC電源線加CORD;降低84MHZ之前的低頻及傳導部份
H. IC 74HC04 (PIN 5、6、7)加68 P電容,VCC至GND並 1u電容對地;降低IC 雜訊輸出
對策結果:
防制EMI 注意事項:
1. 所有輸入/輸出端須預留下地電容
5、位置
2. 振盪器預留接地位置
3. 所有信號回路線愈短愈好
4. 地面積愈大愈好(由其是類似單獨外接的按鍵 PCB)
5. 接地線考慮較粗
6. 下地螺絲孔須與PCB 接地導通並在表面留一環狀吃鍚面
7. 高頻信號處須注意理線及位置的擺設
8. 各電源處須預留下地電容防雜訊
9. 在信號發射處考慮加屏敝 (對於特殊情況下也可能無效且加其輻射輸出)
10. 在發射端排線加適合的 CORD
11. 外罩鐵殼彎角項密合,不要有 GAP,且透氣孔排列為圓型狀,避免輻射由90度角發射
EMS測試項目及目的:
1.靜電放電試驗(ESD)
目的:
6、模擬人體所帶靜電對電子產品的影響,試驗點是對所有接觸面,經空氣的放電試驗至15 kV,接觸試驗試至8kV。正負極性都試,至少各放電10次,放電間隔維持約1秒。
2.耐射頻輻射試驗( RS)
目的:經由天線輻射干擾頻率,試驗被試機器的耐干擾程度。干擾頻率的範圍為80MHZ~1GHZ,試驗標準為 1V/m、3V/m、10V/m在隔離室進行測試,天線與機器距離為3m
3.耐脈衝雜訊試驗
目的:模擬開關on/off切換時所產生的脈衝狀雜訊對電子產品的影響。干擾頻率為5kHz,試驗電壓標準為0.25kv~4kv,脈衝狀雜訊波形為5/50 nsec。
4.雷撃突波試驗
目的:模擬感應雷
7、擊對電子產品的影響。試驗電壓是0.5kv~4kv,電壓波形為1.2/50usec,電流波形是8/20usec,通信線試驗的電壓波形是18/700usec。正負極性都要試
5.耐射頻傳導試驗(CS)
目的:當有傳導性射頻電波直接由電源線或信號線注入時對電子產品的影響。試驗電壓為1V、3V、10V,頻率範圍為150k~80MHz。
6.耐電源頻率磁場試驗
目的:模擬電流流經電源線所產生電源頻率磁場對電子產品的影響。試驗標準為1A/m,3A/m,10A/m,30A/m,100A/m。
7.耐脈衝磁場試驗
目的:模擬雷電流經建築物,金屬結構物時所產生脈衝磁場對電子產品的影響。模擬感應線圈須注入雷突波電流。試驗標準為100A/m、300A/m、1000A/m
8.耐電壓瞬降、瞬斷及變動試驗
目的:模擬電源電壓發生快速瞬降、瞬斷及緩慢連續變動時對電子產品的影響。試驗電壓為額定電壓的0%、40%、70%電壓變化的持續時間為0.5cycle,1cycle,5cycle,10cycle,25cycle及50cycle。
9. AC電源輸入低頻導電性干擾試
目的:模擬電源電壓發生低頻100Hz至2400kHz對額定電壓的1%~10%電壓時對電子產品的影響。