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1、 系统的基本初始化内容包括哪些？
概况
　　系统的引导和初始化是操作系统实现控制的第一步，也是集中体现系统优劣的重要部分。LINUX作为一个免费的准UNIX操作系统，在众多业余爱好者以及小型商业处理市场表现不俗，成为继WINDOWS系列后的另一个主流。了解LINUX系统的初始化，对于进一步掌握UNIX系统是十分有帮助的。
通常，LINUX系统的初始化可以分为两部分：内核部分和init程序部分。内核主要完成系统的硬件检测和初始化，init程序则主要完成系统的各项配置。
初始化详解
（1）．内核部分
通常情况下，计算机首先用LILO程序引导内核的一部分（这部分没有被压缩），以此来引导内核的其他部分。LILO程序是最常用的、也是比较完善的LINUX系统引导器，PC机通常从硬盘的引导扇区读取这部分程序。关于LILO程序的详细内容可以参照其他资料。
　　内核被解压缩并装入内存后，开始初始化硬件和设备驱动程序。下面是内核初始化系统的具体步骤（各个版本之间会有一定的差异，下面是2.2.16-22版本的一个例子）：
(1) 检测CPU的主频和控制台的显示类型，并对CPU速度用Bogo MIPS程序进行估算。
(2) 此后内核通过外设显示系统内存信息：如131072k(128M)，127820k剩余，使用的具体情况为：1048k内核代码，412k保留，1728k数据等。尔后是各类hash table的信息。
(3) 内核加载磁盘空间限量支持，完成CPU检测（包括检查数学协处理器），以及POSIX适应性检测。
(4) 初始化PCI BIOS，检测系统的PCI设备，并加载TCP/IP网络支持。
(5) 内核开始检测其他各种硬件设备：如PS/2端口设备，串行口设备，硬盘，软盘，SCSI等。

（2）．init程序部分
init程序通常在/sbin或/bin下，它负责在系统启动时运行一系列程序和脚本文件。init程序一旦被内核调用，便成为系统的第0号进程，该进程对于LINUX系统是十分重要的，有关它的详细内容请参阅其他资料。init进程做的每一步都由/etc/initab中的配置决定。
inittab文件的每一行包含四个域，格式为：
code:runlevels:action:command
(1) code域用单个或两个字符序列来作为本行的标识，这个标识在此文件中是唯一的。文件中的某些记录必须使用特定的code才能使系统工作正常。
(2) runlevels域给出的是本行的运行级别。LINUX系统运行在一定的级别下，当inittab文件指定了某一特定的运行级别时，该记录行包含的命令将被执行。RedHat系统通常设置了7个运行级别（0-6），各运行级别的说明包含在inittab文件的开头。
(3) action域指出的是init程序执行command命令的方式。比如：只执行command一次，还是在它退出时重启。
(4) command域给出相应记录行要执行的命令。

2、C程序和ARM的汇编程序之间相互调用必须遵守什么规则？并比较汇编程序调用C程序和C程序中调用汇编程序的区别。
遵守规则：
在使用C语言时，要用到和汇编语言的混合编程。若汇编代码较为简洁，则可使用直接内嵌汇编的方法；否则要将汇编程序以文件的形式加入到项目中，按照ATPCS(ARM/Thumb过程调用标准，ARM/Thumb Procedure Call Standard)的规定与C程序相互调用与访问。
在C程序和ARM汇编程序之间相互调用时必须遵守ATPCS规则。ATPCS规定了一些子程序间调用的基本规则，哪寄存器的使用规则，堆栈的使用规则和参数的传递规则等。
区别：
3、 何为交叉编译？简述采用交叉编译的原因及其特点。
交叉编译（cross-compilation）是指，在某个主机平台上（比如PC上）用交叉编译器编译出可在其他平台上（比如ARM上）运行的代码的过程。
交叉编译这个概念的出现和流行是和嵌入式系统的广泛发展同步的。我们常用的计算机软件，都需要通过编译的方式，把使用高级计算机语言编写的代码（比如 C代码）编译（compile）成计算机可以识别和执行的二进制代码。比如，我们在 Windows 平台上，可使用 Visual C++ 开发环境，编写程序并编译成可执行程序。这种方式下，我们使用 PC 平台上的 Windows 工具开发针对 Windows 本身的可执行程序，这种编译过程称为 native compilation，中文可理解为本机编译。然而，在进行嵌入式系统的开发时，运行程序的目标平台通常具有有限的存储空间和运算能力，比如常见的 ARM 平台，其一般的静态存储空间大概是 16 到 32 MB，而 CPU 的主频大概在 100MHz 到 500MHz 之间。这种情况下，在 ARM 平台上进行本机编译就不太可能了，这是因为一般的编译工具链（compilation tool chain）需要很大的存储空间，并需要很强的 CPU 运算能力。为了解决这个问题，交叉编译工具就应运而生了。通过交叉编译工具，我们就可以在 CPU 能力很强、存储控件足够的主机平台上（比如 PC 上）编译出针对其他平台的可执行程序。

4、 比较NOR Flash、NAND Flash、EEPROM的特点与区别。
EEPROM和FLASH 的最主要的区别
1、EEPROM 可以按“位”擦写而FLASH 只能一大片一大片的擦。 2.EEPROM 一般容量都不大如果大的话EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上NOR 型。 3.读的速度的话应该不是两者的差别只是EERPOM一般用于低端产品读的速度不需要那么快真要做的话其实也是可以做的和FLASH差不多。 4.因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个SST的除外类似于两管所以CYCLING 的话EEPROM比FLASH 要好一些到1000K次也没有问题的。
总的来说对与用户来说EEPROM和FLASH没有大的区别只是EEPROM是低端产品 容量低价格便宜但是稳定性较FLASH要好一些。 Flash memory指的是“闪存”所谓“闪存”它也是一种非易失性的内存属于 EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定不同厂家的产品有不同的规格) 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上用来保存BIOS程序便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点但是将其用来取代RAM就显得不合适因为RAM需要能够按字节改写而Flash ROM做不到

一般而言，flash分为nor和nand2种，简单的说就是用or门和and门搭建的2种flash。目前用为海量存储器的flash都是nand结构，而一些当成rom使用的flash为nor结构。至于他们的物理上的区别，我也不明白，为了让自己扫盲，特地找了篇比较他们特性的入门文章，看来还是要多学习才行。intel也在将nand flash向pc主存储器方向推广，目前的产业能力也预示着这并不是妄想，目前最高的容量的nand flash已经达到了16Gbit/单片，说不定过几年，我们就再也不能在pc里听见读写磁盘时候发出的吱吱声了。
性能比较

  flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　NAND的写入速度比NOR快很多。
　　NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别
　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本
　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

寿命(耐用性)
　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换
　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

坏块处理
　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

易于使用
　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。