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2016中级维修电工四级模拟练习题(4)电子技术与电气测量.doc

1、四、电子技术与电气测量 1.测量电压时应将电压表(B)电路。 A、串联接入 B、并联接入 C、并联接入或串联接入 D、混联接入 2.测量电流时应将电流表(A)电路。 A、串联接入 B、并联接入 C、并联接入或串联接入 D、混联接入 3.当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随(D)变化。 A.正向电流 B.正向电压 C.电压 D.反向电压 4.点接触型二极管应用于(C )。A、整流 B、稳压 C、开关 D、光敏 5.点接触型二极管可工作于(A )电路。 A、高频 B、低频 C、中频 D、全频 6.三极管是由三层半导体材料组成的,有三个区域

2、中间的一层为(A)。 A、基区 B、栅区 C、集电区 D、发射区 7.用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(A)。 A、已经击穿 B、完好状态 C、内部老化不通 D、无法判断 8.2.0 级准确度的直流单臂电桥表示测量电阻的误差不超过(B )。 A、±0.2% B、±2% C、±20% D、±0.02% 9.调节电桥平衡时,若检流计指针向标有“-”的方向偏转时,说明(C) A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻 B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻 C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻 D、通过检流计电流小、应减小比较臂的电

3、阻 10.调节电桥平衡时,若检流计指针向标有“+”的方向偏转时,说明 (A)。 A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻 B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻 C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻 D、通过检流计电流大、应减小比较臂的电阻 11.直流双臂电桥的测量误差为() A、 B、 C、 D、 12.直流单臂电桥测量几欧姆电阻时,比率应选为(A )。 A、0.001 B、0.01 C、0.1 D、1 13.直流单臂电桥测量十几欧电阻时,比率应选为(B)

4、 A.0.001 B.0.01 C.0.1 D.1 14.直流单臂电桥用于测量中值电阻,直流双臂电桥测量电阻在(B)欧以下 A.10 B.1 C.20 D.30 15.直流单臂电桥测量小阻值电阻时,不能排除(A),而直流双臂电桥则可以。 A、接线电阻及接触电阻 B、接线电阻及桥臂电阻 C、桥臂电阻及接触电阻 D、桥臂电阻及导线电阻 16. 直流双臂电桥达到平衡时,被测电阻值为(A) A.倍率度数与可调电阻相乘 B. 倍率度数与桥臂电阻相乘 C. 桥臂电阻与固定电阻相乘 D. 桥臂电阻与可调电

5、阻相乘 17.直流双臂电桥工作时,具有(A )的特点。 A、电流大 B、电流小 C、电压大 D、电压小 18.直流单臂电桥使用(C)伏直流电源。 A、6 B、5 C、4.5 D、3 19.直流双臂电桥为了减少接线及接触电阻的影响,在接线时要求(A)。 A、电流端在电位端外侧 B、电流端在电位端内侧 C、电流端在电阻端外侧 D、电流端在电阻端的内侧。 20、示波器中(B)经过偏转板时产生偏移 A、电荷 B、高速电子束 C、电压 D、电流 21.表示数字万用表抗干扰能力的共模抑制比可达(A) A.80~120Db B.80Db C.

6、120Db D.40~60Db 22.示波器的Y轴通道对被测信号进行处理,然后加到示波器的(B)偏转板上。 A.水平 B.垂直 C.偏上 D.偏下 23.示波器的X轴通道对被测信号进行处理,然后加到示波器的(A)偏转板上。 A.水平 B.垂直 C.偏上 D.偏下 24.数字存储示波器的频带最好是测试信号带宽的(C)倍 A.3 B.4 C.6 D5 25.(B)适合现场工作且要用电池供电的示波器 A、台式示波器 B、手持示波器 C、模拟示波器 D、数字示波器 26.晶体管特性图示仪零电流开关是测试管子的

7、B) A.击穿电压、导通电流 B. 击穿电压、穿透电流 C.反偏电流、穿透电流 D.反偏电压、导通电流 27.晶体管毫伏表测试频率范围一般为(D).。 A.5Hz ~20MHz B.1KHz~10MHz C.500Hz~20MHz D.100Hz~10MKz 28.晶体管型号KS20-8中的8表示(A) A.允许的最高电压800V B. 允许的最高电压80V C.允许的最高电压8V D.允许的最高电压8Kv 29.晶体管毫伏表最小量程一般为(B)。 A、10mV B、1mV C、1V D、0.1V

8、30.下列不是晶体管毫伏表的特性是(B )。 A、测量量限大 B、灵敏度低 C、输入阻抗高 D、输出电容小 31.晶体管毫伏表专用输入电缆线,其屏蔽层、线芯分别是(B )。 A、信号线、接地线 B、接地线、信号线 C、保护线、信号线 D、保护线、接地线 32.低频信号发生器的输出有(B )输出。 A、电压、电流 B、电压、功率 C、电流、功率 D、电压、电阻 33.低频信号发生器的频率范围为(A)。 A、20HZ~200KHZ B、100HZ~1000KHZ C、200HZ~2000KHZ D、10HZ~2000KHZ 34.信号发生

9、器输出CMOS 电平为(A)伏。 A、3~15 B、3 C、5 D、15 35.信号发生器的幅值衰减20dB其表示输出信号(C)倍。 A、衰减20 B、衰减1 C、衰减10 D、衰减100 36.测量交流电流应选用(B)电流表。 A、磁电系 B、电磁系 C、感应系 D、整流系 37.根据仪表取得读数的方法可分为(D )。 A、指针式 B、数字式 C、记录式 D、以上都是 38.根据仪表测量对象的名称分为(A )等。 A、电压表、电流表、功率表、电度表 B、电压表、欧姆表、示波器 C、电流表、电压表、信号发生器

10、 D、功率表、电流表、示波器 39.电工仪表按工作原理分为(D )等。 A、磁电系 B、电磁系 C、电动系 D、以上都是 40.兆欧表的接线端标有( A)。 A、接地E、线路L、屏蔽G B、接地 N、导通端L、绝缘端G C、接地 E、导通端L、绝缘端G D、接地 N、通电端G、绝缘端L 41.当测量电阻值超过量程时,手持式数字万用表将显示(A) A、1 B、 C、0 D、 42.手持式数字万用表的电源电压为(D)伏。 A、6 B、5 C、4 D、9 43.78及79系列三端集成稳压电路的封

11、装通常采用(A) A.TO-220 、TO-202 B.TO-110 、TO-202 C.TO-220 、TO-101 D.TO-110 、TO-220 44.CW7806 的输出电压、最大输出电流为( A)伏。 A、6V、1.5A B、6V、1A C、6V、0.5A D、6V、0.1A 45.CW78L05型三端集成稳压器件的输出电压及最大输出电流为(B)。 A、5V、1A B、5V、0.1A C、5V、0.5A D、5V、1.5A 46.一般三端集成稳压电路工作时,要求输入电压比输出电压至少高(A )V。 A、2 B、3 C、4 D、1.

12、5 47.三端集成稳压器件CW317的输出电压为(D)伏。 A.1.25 B.5 C.20 D.1.25~37 48.三端集成稳压电路W317,其输出电压范围为(A)V。 A、1.25——37 B、17 C、7 D、6 49.符合有“1”得“0”,全“0”得“1”的逻辑关系的逻辑门是(D)。 A.或门 B与门 C.非门 D.或非门 50.符合有“0”得“0”,全“1”得“1”的逻辑关系的逻辑门是(B )。 A、或门 B、与门 C、非门 D、或非门 51.符合有“1”得“1”,全“0”得“0”的逻辑关系的逻辑门是(A)。

13、 A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门 52.符合有“0”得“1”,全“1”得“0”的逻辑关系的逻辑门是(D)。 A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门 53.云母制品属于(A). A.固体绝缘材料 B.液体绝缘材料 C.气体绝缘材料 D.导体绝缘材料 54.双向晶闸管是(A)半导体结构。 A.四层 B.五层 C.三层 D.两层 55.单结晶体管的结构中有(B )个基极。 A、1 B、2 C、3 D、4 56.单结晶体管两个基极的文字符合是(D)。 A. C1、C2 B.D1、D2 C.E

14、1、E2 D.B1、B2 57.单结晶体管发射极的文字符号是(C)。 A、C B、D C、E D、F 58.单结晶体管的结构中有(C )个PN结。 A、4 B、3 C、1 D、2 59.单结晶体管是一种特殊类型的(D )。 A、场效管 B、晶闸管 C、三极管 D、二极管 60.普通晶闸管边上P 层的引出极是(D )。 A、漏极B、阴极C、门极D、阳极 61.普通晶闸管的额定电流是以工频(C )电流的平均值来表示的。 A、三角波B、方波C、正弦半波D、正弦全波 62.普通晶闸管的额定电压是用(B)表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均

15、值 D、最小值 63.电容器上标注的符号2μ2,表示该电容数值为( B)。A、0.2μ B、2.2μ C、22μ D、0.22μ 64.电容器上标注的符号224表示其容量为22,其单位是(D )。 A、F B、Μf C、mF D、pF 65.使用电解电容时(B )。 A、负极接高电位,正极接低电位 B、正极接高电位,负极接低电位 C、负极接高电位,负极也可以接高电位 D、不分正负极 66.集成运放通常有(B )部分组成。 A、3 B、4(输入极、中间极、输出极、偏置电路) C、5 D、6 67.理想集成运放输出电阻为(

16、C) A.10Ώ B.100Ώ C.0 D.1KΏ 68.集成运放开环电压放大倍数通常在(C)dB。 A、60 B、80 C、80~140 D、100 69.理想集成运放的差模输入电阻为(D)。 A、1M欧姆 B、2M欧姆 C、3M欧姆 D、无穷大 70.下列不是集成运放的非线性应用的是(C )。 A、过零比较器B、滞回比较器C、积分应用D、比较器 72.集成运放输入电路通常由(D )构成。 A、共射放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、差动放大电路 73.单片集成功率放大器件的功率通常在(B )瓦左右。

17、 A、10 B、1 C、5 D、8 74.适合高频电路应用的电路是(C )。 A、共射极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、差动放大电路 75.通常信号发生器能输出的信号波形有(D )。 A、正弦波 B、三角波 C、矩形波 D、以上都是 76.为了增加带负载能力,常用共集电极放大电路的(B)特性。 A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 77.输入电阻最小的放大电路是(C )。 A、共射极放大电路B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路D、差动放大电路 78.能用于传递交流信号,电路结构简单的耦合方式

18、是(A )。 A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 D、电感耦合 79.要稳定输出电压,减少电路输入电阻应选用(B )负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联 80.要稳定输出电流,减小电路输入电阻应选用(D )负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联 81.要稳定输出电流,增大电路输入电阻应选用(C)负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联 ★串联反馈使电路的输入电阻增加;并联反馈使电路的输入电阻减小; 82.射极输出器 的输出电阻小,说明该电路的(A)。 A.带负载能力强

19、 B. 带负载能力差 C。减轻前级或信号源负载 D.取信号能力强 83.共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是(B)。 A.大 B.小 C. 相等 D.不定 84.能用于传递交流信号且具有阻抗匹配的耦合方式是(B )。 A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 D、电感耦合 85.串联型稳压电路的取样电路 与负载的关系为(B)连接。 A.串联 B.并联 C.混连 D.星型 86.串联型稳压电路的调整管接成(B )电路形式。 A、共基极 B、共集电极 C、共射极 D、分压式共射极 87.常用的稳压电路

20、有(D)等。 A、稳压管并联型稳压电路 B、串联型稳压电路 C、开关型稳压电路 D、以上都是 88.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( B)。 A、直流成分 B、交流成分 C、交直流成分 D、高频成分 89. 处于截止状态的三极管,其工作状态为(B )。 A、射结正偏,集电结反偏 B、射结反偏,集电结反偏 C、射结正偏,集电结正偏 D、射结反偏,集电结正偏 90.分压式偏置共射放大电路,稳定工作点效果受(C)影响。 A.RC B.RB C.RE D.Uce 91.固定偏置共射放大电路出现截止失真,是(B )。 A、RB 偏小 B

21、RB 偏大 C、Rc 偏小D、 Rc 偏大 92.分压式偏置共射极放大电路,更换大管子,其静态值会(C) A、增大 B、变小 C、不变 D、无法确定 93.基极电流iB 的数值较大时,易引起静态工作点Q 接近(B)。 A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真 94.固定偏置共射极放大电路,已知RB=300KΩ,RC=4KΩ,Vcc=12V,β=50,则UCEQ 为(B)V 。 A、6 B、4 C、3 D、8 95.分压式偏置共射放大电路,当温度升高时,其静态值IBQ 会(B ) 。 A、增大 B、变小 C、不变 D、无法确定

22、 96分压式偏置共射极放大电路,稳定工作点效果受(C)影响。 A、RC B、RB C、RE D、UCC 97.基极电流iB 的数值较大时,易引起静态工作点Q 接近(B)。 A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真 98.放大电路的静态工作点的偏低易导致信号波形出现(A)失真。 A、截止 B、饱和 C、交越 D、非线性 99.下列集成运放的应用能将矩形波变成尖顶脉冲波的是(C) A、比例应用 B、加法应用 C、微分应用 D、比较强 100.多级放大电路之间,常用共集电极放大电路,是利用其(C )特性。 A、输入电阻大、输出电阻大

23、B、输入电阻小、输出电阻大 C、输入电阻大、输出电阻小D、输入电阻小、输出电阻小 101.单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20 伏,每个整流二极管所承受的最大反向电 压为( B)。 A、20V B、28V C、40V D、 56V 102.RC选频振荡电路适合( B)KHz以下的低频电路。 A、1000 B、200 C、100 D、50 103.RC 选频振荡电路,当电路发生谐振时,选频电路的幅值为( D)。 A、2 B、1 C、1/2 D、1/3 104.RC选频振荡电路,当电路发生谐振时,选频电路的相位移为(D)度。 A、90 B、180

24、 C、0 D、-90 105.RC选频振荡电路,能测试电路振荡的放大电路的放大倍数至少为(B)。 A.10 B.3 C.5 D.20 106.LC 选频振荡电路,当电路频率高于谐振频率时,电路性质为( C)。 A、电阻性B、感性C、容性D、纯电容性 107.LC选频振荡电路达到谐振时,选频电路相位移为(A)度。 A、0 B、90 C、180 D、-90 108.下列逻辑门电路需要外接上拉电阻才能正常工作的是(D )。 A、与非门B、或非门C、与或非门D、OC 门 109.差动放大电路能放大( D)。 A、直流信号B、交流信号C

25、共模信号D、差模信号 110.(A )差动放大电路不适合单端输出。 A、基本 B、长尾 C、具有恒流源 D、双端输入 111.音频集成功率放大器的电源电压一般为(A)伏。 A.5 B.10 C.5~8 D.6 112.TTL与非门电路低电平的产品典型值通常不高于(B)伏。 A、1 B、0.4 C、0.8 D、1.5 113.容易产生零点漂移的耦合方式是(C) A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 D、电感耦合 dddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddd

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