1、第十一章,电磁场的统一理论,11-4,位移电流 全电流环路定律,一 位移电流假设及其本质,+,-,I,c,（以,L,为边做任意曲面,S,）,稳恒磁场中,安培环路定理,L,极板上的电荷在变化；两个极板之间，传导电流等于零，整个电路传导电流不连续。,+,-,I,c,I,c,A,B,极板间,D,和极板面密度 是相等的，因此也是随时间变化的,，,即,极板上电荷,q,和面密度 随时间变化：,电位移通量,也,随时间变化，而且,+,-,I,c,I,c,A,B,放电时，极板电荷密度减小，板间电场减弱，的方向和 方向相反，但是 的方向恰和传导电流方向相同。,位移电流密度,麦克斯韦假设,电场中某一点位移电流密度等
2、于该点电位移矢量对时间的变化率,.,位移电流,通过,电场中某一截面的,位移电流等于通过该截面电,位移通量对时间的变化率,.,+,-,全电流,1,）全电流是连续的；,2,）位移电流和传导电流一样激发磁场；,3,）传导电流产生焦耳热，位移电流不产生焦耳热,.,+,-,全电流,产生磁场的原因,1,、电流,2,、,变化的磁场,产生电场的原因,1,、,电荷,2,、变化的电场,一般情况下的安培环路定理是：,二,全电流安培环路定理,磁场强度,H,沿任意闭合路径的,环流,等于穿过以该闭合路径为边界的任意曲面的全电流,全电流安培环路定理,。,*,r,例,11-14,如图所示，有一半径,R,=3.0,cm,的圆形平行平板电容器，现对该电容器充电，充电电路上的传导电流,I=,2.5,A,，若略去电容器的边缘效应，求：,(1),两极板间的位移电流和位移电流密度；,两极板间离开轴线,r,=2.0,cm,的点,P,处的磁感应强度。,解,：,(1),由于全电流是连续的,I,d,=,I,=2.5,A,(2),过,P,点作半径为,r,的闭合回路。,计算得,作业题：,11-11,*,r,
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