1、FloTHERM V8 Introductory Training Course Tutorial 4 练习4 模型细化 本练习指导用户改进电子机箱的表示,请完成以下步骤: 1. 用离散元件替代PCB中元件的均匀表示。 2. 增加辐射热传递处理 3. 求解和分析结果。 练习4 模型细化 Load(读取) “Tutorial 3”并将它保存为“Tutorial 4”。 将’title’(标题)设为 “Refined model of the set top box”。 在项目管理窗口(PM)中,对名为“Electronics” 的组件和简单部件“PCB 1”进行扩展。
2、将PCB板的名称由"PCB 1:0"改为"PCB 1"。 删除位于PCB 1上的元件“Component”。 我们现在要定义此‘Apply over board’(均布于整个板)热源并将它建模为独立的元件,同时仍将其余部分保留为均匀分布热源。 选中“PCB 1”,点击‘Component’(元件)简单部件图标 ,此图标在调色板中(可通过热键F7或点击图标打开调色板) 如果对网格进行了改动会有一窗口弹出,点击‘No’(否)。 右键点击此元件进入‘Construction’菜单。并更名为“Comp1”。 为此元件分配一个7.0W的功率。 定义位置:Xo=35mm
3、Yo=30mm 选择‘Top’(位于 PCB板上部);尺寸:Xo=25mm, Yo=25mm, Zo=7mm.。 Continued… 将‘Modeling Option’(建模选项)选项设为‘Discrete’ (离散)并选择‘Solid Component’(固体元件)。 在‘Component Material’(元件材料)项中点击‘Material’ (材料)并在弹出的窗口中点击‘New’(新建)创建一种新的材料。. 定义这种材料的名称为“Lumped Chip” 并给它一个‘Constant’ (恒定的)热传导系数值20W/mK 。 点击‘OK’退出此对话
4、框并在‘Material Selection’(材料选择) 列表中选中“Lumped Chip”点击‘Attach’(应用于),将这种材料应用于元件“Comp1”。 点击‘OK’(确定)退出 ‘PCB Component’对话框。 依上述步骤,在“PCB1”上创建以下元件: PCB1 热耗 位置(mm) 尺寸(mm) (W) Xo Yo Side Xo Yo Zo General 3.5 0 0 Top 190 210 5 Comp 2 0.5 35 105 Top 20 20 2 生成一个2 x 2的阵列模型,Pitch(
5、间距)为Xo = 40 mm, Yo = 35 mm Comp 3 1.0 130 35 Top 20 20 4 Comp 4 1.5 130 65 Top 25 25 2 备注: 1. “General” 是 ‘Apply over board’(均布于整个板),所有其它的元件都是 ‘Discrete’(离散)和‘Solid Component’(固体元件)。 2.“General”不需要材料属性。其他元件都要应用"Lumped Chip"材料属性。 3. 使用Pattern(阵列)选项为“Comp2”创建一个2x2的元件阵列。
6、 展开 “PCB 2”。 重复与我们在PCB 1中创建元件相似的步骤,为“PCB 2”创建下表中的元件。 PCB2 热源 位置(mm) 尺寸(mm) (W) Xo Yo Side Xo Yo Zo Gen_bot 1.0 0 0 Bottom 150 90 3 Comp_b1 1.0 75 15 Bottom 15 15 3 Gen_top 1.5 0 0 Top 150 90 3 Comp_t1 1.0 35 55 Top 15 15 3 Comp_t2 0.5 95 25 Top 10
7、 10 2 备注: 1. 在创建上述元件之前要删除原有的器件。(在此是“Component:0”和“Component:1”)。 2. Gen×××类元件是‘Apply over board’ (均布于整个板)的,它没有任何材料属性。 3. 其他元件均为‘Discrete’ (离散)和 ‘Solid Component’(固体元件),并有"Lumped Chip"的材料性能。 如果您愿意,可以在此求解这一模型,并与练习3中PCB板的平均温度进行比较。您会发现,建立了‘Discrete’ (离散)和‘Solid Component’(固体元件)之后,板的最大温度与练习3中会有所
8、不同,但平均温度应该相近。 PCB 1 平均温度值 : __________ PCB 2平均温度值: __________ 在项目管理窗口(PM)中,展开“Structure”(结构)组件。 右键点击"Chassis",进入‘Construction’菜单。将‘Modeling Level’(建模级别)项从‘Thin’(薄) 改为 ‘Thick’(厚)。如果对网格进行了改动会有一窗口弹出,点击‘No’(否)。 这样就使置顶盒机箱的各个壁面都参与辐射,并计算机箱壁的热分布。 在项目管理窗口(PM)中,
9、选中PCB1下的“Comp1”并在 实体调色板中点击‘Monitor Point’(监控点)图标。 右键点击新生成的监控点,进入‘Location’(安置)菜单将其更名为“MB_Comp1”。 此监控点位于“Comp1”的中心,用于监控这一元件的温度。一般来说,监控点设在系统中最重要的元件内。这样,可以使用户能够动态的跟踪求解过程以确保其逼近合理值。 重复上述步骤,在PCB2子组件的元件“Comp_t1”内部设置一个监控点。 命名为 “DB_Comp1。 进入‘System Grid’(系统网格)对话框并使用‘Medium’(中等)网格设置。保存此项目,选
10、择菜单[Solve/Re-initialize](求解/重新初始化)重新初始化,并运行‘Sanity Check’(错误诊断)。 有关‘Block Correction Groups’(块校正组)的信息可以忽略。如果没有提示任何错误或警告信息,就可以点击图标开始求解了。 ‘Monitor Point v Iteration’ 曲线需要刷新。删除当前的‘Monitor Point v Iteration’曲线。点击‘Create New Plot’ (创建新曲线)图标,在 ‘Type:’(类型)下选择 ‘Monitor Point v Iteration’。弹出‘Plot Param
11、eters’ 对话框,,点击 ‘OK’。新曲线中监测点将会被刷新。 记录元件温度: MB_Comp1 = _________ C DB_Comp_t1 = _________ C 几分钟后各变量应该收敛,各监控点稳定在右面显示的数值上。 求解收敛后启动Visual Editor可视编辑器。 通过在整个求解域创建温度,速率和速度的‘Plane Plots’(可视化平面图)来观察结果。不要忘了,创建平面图需要您点击图标‘Create Plane’ 图标。 确保‘Show Tooltip Cell’被选中,在之前创建的平面上探测温度值。 一旦创
12、建平面,按“w”键将显示模型的线框图,允许观察盒子的内部结构。 查看整个求解域最热点位置方法如下:展开‘Scalar Fields’,选则 ‘Temperature’,然后选中 ‘Show Range’ 。一个红色星号和一个绿色星号分别显示了模型最热与最冷点的位置。 注意这些点的位置以及它们的温度值。 最大温度Max. temp. ______°C. 位置Location : X: __________, Y: ___________, Z: ___________ 最大温度Max. temp. ______°C. 位置Location :
13、 X: __________, Y: ___________, Z: ___________ 点击图标打开表格窗口。 展开table表并选中Geometry,在results中选择 ‘Solid Conductors’ 并同时选择‘Collapsed Resistance’(压缩阻尼)及其下‘Smart Part Details’ (简单部件详细)。点击‘OK’ (确定)退出对话框。 选择不同的表单页以查看不同的结果。进入‘Cuboid Fluxes’(立方体热流量)显示页。查找在Y-low面上的 “Comp1”中的最小,最大和平均surface to surfac
14、e (S-S)温度,并纪录如下: 最小温度Min. Temp.: _______°C 最大温度Max. Temp.: _______°C 平均温度Mean Temp.: _______°C 选择‘Resistances’ 页。注意可通过每个‘Resistances’ (阻尼)的‘Net Volume Flow’ (净流量)察看流入和流出系统的气体流量。对于每个阻尼,记录如下内容: Low Y Plate Low Z Plate High Z Plate 流入系统: ________ ________
15、 流出系统: ________ ________ ________ 如果您为方便起见要改变单位设置,可在Visual Editor中,选择Settings项为Volume flow rate改变单位。 检查表窗口中的体积流量值现报告单位为cfm。 关闭Visual Editor窗口并保存更改。 回到项目管理窗口(PM)中,选择菜单[Model/Modeling](模型/建模)。 在’Radiation’(辐射)项的三个可选项中,选择‘Radi
16、ation On’(考虑辐射) ,引入模型的辐射。 同时,选中‘Store Surface Temperatures’(保存表面温度)。 点击‘OK’(确定)退出此对话框。 在“Structure” 组件中,右键点击“Chassis”,进入‘Radiation’(辐射)。 点击 ‘New’ (新建)创建一个新的辐射属性。 将这一属性命名为 “Sub-divided 100mm”。 在‘Surface’(表面)项中选择‘Sub-divided Radiating’并输入值100mm作为其‘Subdivid
17、ed Surface Tolerance’。 点击‘OK’退出此对话框。 通过将窗口底部的’Attachment’(应用于)项设置为‘Default All’(缺省为全部)并点击‘Attach’ (应用于)可将这种属性应用于箱体的各个面。 将同样的辐射属性应用于两个PCB板。 现在,‘Exchange Factor Calculator’(交换因子计算器)被激活了。点击它开始交换因子辐射计算。 计算结束,点击 运行标准CFD求解器。再次对考虑辐射的情况求解。 备注:‘Sub-divided Radiating’ 所指的表面辐射不是均匀的,而是考虑了每
18、100m范围的空间温度变化。 求解收敛之后,再次点击项目管理窗口(PM)或绘图板(DB)中图标启动Visual Editor。 依前文所述的过程观察结果并纪录如下: 记录元件温度: MB_Comp1 = _________ C DB_Comp_t1 = _________ C 下列点的位置和温度值。 最低温度Min. temp. ______°C. 位置Location : X: __________, Y: ___________, Z: ___________ 最高温度Max. temp. ______°C. 位置Location :
19、 X: __________, Y: ___________, Z: ___________ 在Visual Editor创建一个surface曲面温度云图。 在‘Select Mode’下,点击模型附件空白处,取消任何选择。然后现在PM中选种两个 PCB元件,接着在Visual Editor 中按做曲面温度云图。 点击图标.再次打开表格窗口。 与前面一样,注意察看以下信息: 1.对于PCB1上的“Comp1”,纪录 Y-low面的 surface-surface温度。 最小温度Min. Temp.: _______°C 最大温度Max. Temp.: _______°C 平均温度Mean Temp.: _______°C 将上述结果与不考虑辐射场时计算所得的结果进行比较。 FloTHERM/V8 Page 12






