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单晶硅设备工艺流程课件.ppt

1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单晶硅设备培训,目录,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片工艺流程,3.,单晶炉展示,4,.,产品展示,5,.,单晶炉种类,6,.,单晶炉结构,7,.,各个部件的作用,8,.,单晶工艺流程,9,.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,硅的提炼:,硅,,Si,地球上含硅的东西多的很好像,90%,以上都是晶硅的,也就是单晶硅。,太阳能级别的硅纯度,6N,以上就可以了。,开始是石头,(石头都含硅),把石头加热,变成液态,在加热变成气态,把,气体通过一个密封的大箱子,箱子里有,N,多的子晶加热,两头用石墨夹住的,气体

2、通过这个箱子,子晶会把气体中的一种吸符到子晶上,子晶慢慢就变粗了,因为,是气体变固体,所以很慢,一个月左右,箱子里有就很多长长的原生多晶硅。,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,目录,单晶硅片工艺流程:,1.,酸洗:使用稀硝酸,HNO3,进行清洗,去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。,2.,清洗:清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。,3.,单晶硅料烘干:去除水分。,4.,挑料:区分,P,型,,N,型硅料。,5.,配料:对拉晶的硅料型号进行匹

3、配。,6.,单晶炉拉晶:,7.,硅棒检测:检查有无位错,棱线断等现象。,8.,开断:将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。,9.,包装:将开断后的单晶硅棒进行包装,送至下一道工序,10.,磨圆:将单晶硅棒四个直角进行磨圆。,11.,多线切割:瑞士的,264,,,265,。日本的,PV800,MDM442DM,设备进行切割。,0.33mm,。,线切割原理:,12.,清洗:,13.,单晶硅片检测:,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,目录,目录,

4、1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,目录,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,单晶炉种类:,单晶炉,目前可以分为:小松炉;,642,炉;,70,炉;莱宝炉;,80,炉;,85,炉;,90,炉;,95,炉;,97,炉。,目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为,80,炉;,85,炉;,9

5、0,炉。,各个单晶炉的工作原理相同,都是根据,4,的速度进行晶体直径控制及可控硅整流提供,50V,直流电源,进行加热。,小松炉;,642,炉;,70,炉,电气控制部分为按钮式;莱宝炉产生后,以后的单晶炉都采用触摸屏式。,目录,1.Si,的介绍,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,目录,1.Si,的介绍,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升

6、介绍,10.,加热部分,1.,提拉头:,提拉头:晶升电机,晶转电机,离合器,钢丝绳,光感,限位,磁流体等部件组成。,作用 :在拉晶过程中,提供晶升与晶转速度,通过,PCC,控,制模块,的开关量变化,来控制晶体直径。,2.,副室,翻板阀,主室:,翻板阀作用:在拉晶过程中,对于提纯,拉,ABCD,段时,用,于隔离主室与副室,使主室温度,压力一定。,副室作用:拉晶过程中,已拉出的单晶棒存放的位置。,主室作用:容纳加热器,石英坩埚,导流罩等,用于硅料,融化的容器。,炉盖:,CCD,测径仪,观察窗,水路接头,整体锻造,超低碳不锈钢法兰,主室内部:,籽晶夹,籽晶,石英坩埚,加热器,单晶棒,石棉碳粘,三瓣埚

7、目录:,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,单晶炉工艺流程:,准备作业,热态检漏,取单晶和籽晶,石墨件取出冷却,真空过滤器清洗,真空泵油检查更换,石墨件清洗,单晶炉室清洗,石墨件安装,石英坩埚安装,装硅料,籽晶安装,抽空,检漏,充氩气,升功率,融料,引晶,放大,放肩,转肩,等径生长,收尾,降功率,停炉冷却,详细介绍:,1.,准备作业:,穿戴好洁净工作服,鞋,带好一次性手套,耐高温手套,,研磨巾,酒精,吸尘器,防尘口罩。准备好扳手等各类

8、工具。准备好取晶和放石墨件的小车。并确认水,电,,气等正常。,2.,热态检漏:,检查上一炉功率关闭时间,在停炉冷却,2,小时后,关闭,氩气总阀,开始愁高空,并记录时间。炉压到,3,帕 以下,,关闭主室球阀和真空泵电源。如,0.5,小时不到,3,帕,需,通知维修人员处理。,3.,取单晶和籽晶:,关闭,2,个速度,关闭氩气。打开翻板阀,将单晶替,升至副室,慢慢旋转出副室,用晶快降下降单晶,在,地面放木板,使单晶尖头垂直接触到木板,剪短籽晶,连接,将单晶放入专用小车上。,4.,石墨件取出冷却:,升炉盖,取出导流罩,保温盖。石英坩埚等放在指定位置。,5.,真空过滤器清洗:,用 洗尘管清理各个真空管道

9、并将真空过滤箱中的过滤器取出,清理完毕后,按原位置安装。,7.,单晶炉室清洗:,8.,石墨件安装:,9.,硅料安装:,6.,真空泵注油:,当油标高于,1/2,时,禁止注油。,10.,籽晶安装:,将副室旋出,重锤安装后,将籽晶安装,插好销头。,钢丝绳,重锤,籽晶,11.,抽空检漏:,先用副泵抽到,2700,帕以下后,关闭副室球阀和副泵电源,打开真空泵球阀,打开真空主泵。炉压达到,20,帕时,,冲氩气,打开主,副室流量计,调节到,30L/min,,过,5,分钟后,,关闭氩气,流量计仍保持原来的位置,待炉压,5,帕时关闭主室,球阀,关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时,漏速,0.34,帕,

10、/,分。如达不到,需重复上述操作。,12.,冲氩气,升功率,融料:,打开主室阀,打开氩气流量阀,使氩气流量在,20-30L/min,,,使炉内压力在,10001500,帕。功率每,0.5,小时加一次。,13.,引晶,放大,放肩,转肩,等径:,引晶,放大,放肩,转肩,等径,收尾,取硅棒,目录,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,晶升,晶转:,SL,控制示意图:,SL,自动等径原理:,晶升伺服电机:,晶升系统调试详解:,1.,将引晶器归,0

11、2.,给定速度,0.5,,等待,23,分钟,观察平均拉速值,如果不同,,调节,Z (SL A/D),,使数值一样。,3.,给定数值,2,,等待,12,分钟,观察平均拉速值,如果不同,,调节,F (SL A/D),,使数值一样。,4.,重复,2.3,步骤,使给定,0.5,和,2,时,都于平均拉速相同。,5.,给定,0.5,,调节,Z (SL SP),,使之相等。,6.,给定,2,,调节,Z (SL SP),,使之相等。,7.,调节,DIS,,调节引晶器数值。,晶体速度控制界面:,目录,1.,硅料的提炼,2.,单晶硅片生产流程,3.,单晶炉展示,4.,产品展示,5.,单晶炉种类,6.,单晶炉

12、结构,7.,各个部件的作用,8.,单晶工艺流程,9.,晶升,,埚升介绍,10.,加热部分,直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场,是指为了熔化硅料,并使单晶生长保,持在一定温度下进行的整个系统。,热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚,(,三瓣埚,),、坩埚托杆、坩埚,托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、金属电极、托,杆、都设置了保护板、保护套。,加热器是热场中很重要的部件,是直接的发热体,温度最高的时候可以达到,1600,以上。,常见的加热器有三种形状,筒状、杯状、螺旋状。目前绝大多数加热器为筒状,硅单晶厂房使用的是直筒式形状的加热器。右图为加热器。,石墨电极

13、的作用,一是平稳的固定加热器,二是通过它对加热器输送电流,因此要求电极厚重,结实耐用,它与金属电极和加热器的接触面要光滑、平稳,保证接触良好,通电时不打火。石墨电极也是有高纯石墨加工而成。,右上图为石墨电极示意图、右下图为连接石墨电极和加热器的石墨螺栓。,坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了石墨坩埚的支撑体,要求和下轴结合牢固,对中性良好,在下轴转动时,托杆及托盘的偏摆度,0.5mm,。,支撑体的高度是可以调节的,这样可以保证熔料时,坩埚有合适的低埚位,而拉晶时,有足够的埚跟随动行程。,保温罩分为上保温罩、中保温罩和下保温罩。,保温罩是由一个保温筒外面包裹石墨碳毡而成。石墨碳毡的包裹层数视情况而定。,

14、下保温罩组成了底部的保温系统,它的作用是加强埚底保温,提高埚底温度,减少热量损失。,中、上保温罩的作用也是为了减少热量的损失。只不过保温罩外面的石墨碳毡的层数不一样,这样使得温度梯度不一样。,排气的方式有上排气和下排气。厂房现在使用的比较多的是上排气。这样,上保温罩上面就存在几个排气孔,这些排气孔保证在高温下蒸发的气体的排出。,保温盖由保温上盖、保温碳毡和保温下盖组成。即两层环状石墨之间夹一层石墨碳毡组成,其内径的大小与导流筒外径相匹配,平稳的放在保温罩面板上。,导流筒,由内外筒之间夹一层石墨碳毡组成。导流筒主要是为了控制热场的温度梯度和引导氩气流。,压环,由几截弧形环构成的一个圆形环状石墨件

15、它放置在盖板与炉壁接触处,是为了防止热量和气体从炉壁与盖板的缝隙间通过。,右上图是压环,右下图为安装后的效果图。,安装电极,炉底碳毡,反射底板,下保温罩,石墨环,、石英环,加热器,中保温罩,石墨托杆,石墨托盘,装三瓣埚,下降主炉室,上保温罩,导气孔,保温盖板,装导流筒,压环,对中顺序,在整个安装过程中,要求整个热系统对中良好,同心度高,需要严格对中:,坩埚轴与加热器的对中。将托杆稳定的装在下轴上,将下轴转动,目测是否偏摆。然后将钢板尺平放在坩埚轴上,观察两者之间的间隙,间隙是否保持不变,加热器圆心是否对中。接着装托盘,托盘的中心也要跟加热器对中。,加热器与石墨坩埚的对中:转动托碗,调整埚位,让石墨坩埚与加热器口水平(此时的埚位成为平口埚位),再稍许移动加热器电极,与托碗对中,这时石墨坩埚和加热器口之间的间隙四周都一致。,煅烧,新的热场需要在真空下煅烧,煅烧时间约,10,小时左右,煅烧,3,5,次,方能投入使用。使用后,每拉晶,4,8,炉后也要煅烧一次。,煅烧功率,不同的热场不一样,一般要比引晶温度高,炉子煅烧最高功率一般在,110KW,。,

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