太阳能光伏接线盒的应用与要求.doc

接线盒如何选取
接线盒的选择主要看的信息应该是组件的电流大小，一个是工作的最大电流，一个是短路电流，当然短路电流时组件能够输出的最大电流，按照短路电流核算接线盒的额定电流应该是安全系数比较大的，按照最大工作电流算接线盒的话就是安全系数小一点。

首先来讲，我们必须确立的一个条件，不论是短路电流也好，还是最大工作电流也好，组件所标称的数据都是在标准的测试条件下的数值即环境温度 25℃，标准的光照强度1000W/m2，AM1.5条件下的测试数据。

但是我们必须明确一点，组件发到不同地区，不同地区的光照强度会产生变化的，像西藏、宁夏及新疆等部分地区部分时间段的光照强度可能会达到1700W/m2左右，那么这个时候电池片的电流和电压将会随着光照强度的变化而变化，本人做过这一方面测试，当光照强度从1000-1300W/m2时，电流成线性上升的趋势。

因此，现在对于大多数的组件生产厂家来讲没有明确的选型标准，可能都是经验值，有的选择的标准是最大工作电流的1.25倍，有的选择系数是1.3、1.4 但是我认为都没有科学依据。

笔者认为最科学的选择依据应该根据应该拿出电池片的电流电压随光照强度的变化规律，必须了解你所生产的组件用在那个地区，在这个区域内的光照最强的时候是多大，然后对照电池片的电流随光照强度的变化曲线，查处可能的最大电流，然后选择接线盒的额定电流，应该比较科学。

还有至于组件多少瓦，给我配一个这么多瓦的接线盒的说法是不确切的，如果你选择156*156 的片子做组件，不论你的组件有几片组成，目前所有的组件电池片的连接方式都是串联的方式连接，因此电池片的性能已经决定了组件的电流大小，电压就取决于组件的电池片的串联数量，所以组件的电流大小是选择接线盒的重要参数，开路电压不是没有用，只是参考一下就可以了，因为开路电压有关的只是二极管的反向耐压，一般的情况下都可以满足，因为晶体硅电池的发电原理就是低电压高电流，所以一定要关注接线盒的电流，非常非常重要的参数！接线盒重要的就是稳定性与可靠性，满足长时间安全使用，因此接线的散热性和二极管的节温至关重要，只有节温低，接线盒的结构散热良好才能够保证接线盒长期工作的可靠安全性。

二极管节温低有多方面益处，一方面是保证接线盒自身的安全，另一方面就是关系到组件的安全。接线盒都是经过认证的，从他的本身来讲，材料大家用的都差不多，防护等级都是测试过的，只要是供应商不动材料脑筋，选接线盒的时候没必要自己再去做环境试验。

因此对于组件厂选择接线盒就关心两个方面的指标就足够了：

第一方面就是二极管的额定电流节温测试结果。

由于二极管的节温过高会导致二极管的本身的损坏和使用寿命的降低，大家对于半导体的寿命应该有所了解，同时对接线盒盒体的自身安全也是很大的威胁，另外温度过高长时间可能会危及组件的安全，比如温度过高可能会导致背板的松动等等。非常危险！

目前市场流通的接线盒在75℃恒温环境温度，通过标称的额定电流1小时，二极管节温179℃以上，这是一个非常可怕的数据。做组件的朋友都知道，组件层压的温度应该在150℃左右，179℃这个温度可想一下有多么危险，因为我们测量的都是二极管箱体表面温度，二极管芯片的温度会更高，二极管的管脚都是铜，铜的导热系数远远高于塑料封装材料的导热系数，因此接线端子的温度会非常高，目前很多接线盒厂家为了降低二极管在盒体内部的节温，把接线端子设计的非常大，为了把二极管工作的热量传导到端子上，可以满足二极管在做TUV测试时的节温要求，但是热量因为是塑料壳体，热量是散发是非常慢的，这样的话，满足TUV测试时没有问题的，因为测试的条件是通额定电流1h，另外就是通额定电流的1.25倍1h，这时不计算二极管的节温了，很多目前市场上的接线盒此时的节温已经在200℃以上，接线盒本身可能会受热变形，但是此时按照标准判定合格的标准只是看看二极管的功能性，不看其他的。但是组件在实际应用过程当中，发生遮蔽效应的时间是不确定的，因此如果长时间工作的话，热量散发不出来，长时间积累，对接线盒本身的安全潜在的威胁巨大，并且导致背板粘接层松软的可能性也是完全存在的。

第二方面就是要关心接线盒的整体电阻，因为这个涉及到功率的损耗，测试可以这样，把接线盒的连接器正负极连接到一起，然后用微欧表测量两侧端子头部的整体电阻，这个电阻值就是接线盒长期工作包括导线在内的整体电阻，电阻越大的盒子功率损耗越大，非常不利！目前156多晶的240W以上组件大多用的都是双排二极管设计，由于考虑认证时二极管的节温要满足测试，接线端子设计的非常大，因此导致接线盒的整体电阻都比较大，通常情况下目前市场上的产品电阻均大于13毫欧。这么大的电阻功率损耗对于组件来说也是一个相当可怕的数据。

太阳能接线盒二极管如何选择
1、根据光伏组件的功率，150w、180w,还是230w，310w？
2、组件的其他规格
3、二极管的参数，10amp、12amp、15amp或者25amp？
4、最重要的一点，短路电流是多大?
对于这个测试，选择二极管要看以下几个量
电流（大的好）
最大结温（大的好）
热阻（小的好）
压降（小的好）
反向击穿电压（一般40V就远远够了）

光伏接线盒内的二极管的反向截止电压怎么检测
我是专业做太阳能接线盒设计的，08年开始做的。我是用晶体管图示仪，看好X轴；Y轴单位大小，电阻保护设为1欧姆，连接上后调节电压，图示仪上一条线转变方向的那一点就是电压值了，几刻度，在乘以你设定的Y轴最小单位即可
太阳能光伏接线盒综合测试仪
仪器简介
功能特点
技术指标
注意事项
仪器操作技巧

太阳能光伏接线盒综合测试仪
英译：Solar PV Junction Box Tester
编辑本段仪器简介
　　TPJXC型智能型太阳能光伏接线盒综合测试仪可测试接线盒及其组件的压降、漏电流、温漂以及导通直流电阻等参数，能满足20-300W接线盒（6个二极管至一个二极管）的测试所需的要求，广泛应用在接线盒生产厂家和光伏组件生产厂家对接线盒电气性能参数测试，以提高接线盒产品的性能及质量。
　　扬州拓普电气科技有限公司专业打造的TPJXC型智能型太阳能光伏接线盒综合测试仪采用微电脑控制，320*240点阵的大液晶屏幕显示，测量快速，显示清晰明了。并带有故障报警的功能。测量时无需用户反复拔插接线端子倒线，按照人机对话的方式，一次性全自动快速准确地检测光伏接线盒所有电气性能参数，提高用户的工作效率。
编辑本段功能特点
　　1、二极管的伏安特性，即导通压降值；
　　2、二极管反向漏电流；
　　3、通流温升试验，是通过一定工作电流和一定的时间，反复检测常温下和高温下二极管的导通压降和反向漏电流；
　　4、导通直流电阻测试，可以通过测试导线的电阻值判断接线盒引线是否短芯、是否铆压可靠等；
　　5、可以设置漏电流和导通压降阈值（极限值），超限报警提示。
编辑本段技术指标
　　1、电流设定：0-20A（可根据二极管的数量来设定）
　　2、电压设定：45V、50V、90V、100V、135V、150V；（可根据二极管的耐压来设定）
　　3、漏电流测量范围：0-100mA 精度0.1%；
　　4、导通压降测量范围：0-20V精度0.1%；
　　5、导通电阻测量范围：0-2000mΩ 精度0.1%；
　　6、显示位数： 4位；
　　8、工作电源：220V/500
编辑本段注意事项
　　1、同一接线盒频繁测试，可能出现二极管压降减小、漏电流加大的现象，这是因为频繁测试，二极管发热所致，这是正常现象；
　　2、测试的二极管的压降超过阈值，不一定是二极管质量问题，要考虑到正负极引线的电阻值和接触电阻值的影响，引线断丝或焊接、铆压不牢会造成测试线的导通电阻加大，从而导致整个回路压降超过阈值，此时可以通过使用“导通电阻测试”功能测试导通电阻判断原因；
　　3、测试导通电阻的自制转接线必须保证可靠，插头插座簧片要接触可靠，过松要及时更换，以免大电流测试烧坏簧片；
　　4、仪器四周必须通风良好，保证散热通道畅通。
编辑本段仪器操作技巧
　　测试正向压降通常要比理论计算值略大零点几伏，这是正常现象，因为显示的正向压降是二极管的正向压降 + 导线直流电阻 + 各个接头的接触电阻总和，如果发现结果超出理论值太大，需要分别检测各个电阻值甄别原因。
　　导通电阻测功能中的正向压降结果能帮助用户准确有效地判断，准确测试二极管正向压降。这种接线方式采用“导通电阻测试”功能，能扣除导线电阻压降和接触电阻压降，准确获得二极管的正向压降
单晶硅棒、单晶抛光片加工工艺 关于硅材料知识 切片技术等
本文链接：
单质硅有无定形及晶体两种。无定形硅为灰黑色或栗色粉末，更常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的生产）及制造硅化物。晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。高纯度的金属硅（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。 　　由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片；测试用硅片。6sigma品质网 ^ \/C7t _+Q-|
　　半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。多晶硅所使用的原材料来自硅砂（二氧化硅）。目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。6sigma品质网4m.E&^({2m2n [ Q'_'e j$n8Y
　　多晶硅的品质规格：6sigma品质网 H x v2f(D/P;h4O
　　多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅；等级分为一、二、三级免洗料。6sigma品质网7C]3h3l n r o
　　多晶硅的检测：6sigma品质网 T j-H!P v R o a+m
　　主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命；外形主要是块状的大小程度；结构方面要求无氧化夹层；表面需要经过酸腐蚀，结构需致密、平整，多晶硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。对于特殊要求的，还需要进行体内金属杂质含量的检测。　
x6x(f c(E L0 　　单晶硅棒品质规格：6sigma品质网)H*g j&S m!h3y
单晶硅棒的主要技术参数6sigma品质网 O4_ p7n9y n A

型号
5U O A6s e p0P型或A型
] y a n k/b ` c0晶向
d V G3X9|!X8a [4B2S+}0<111><100>6sigma品质网&~ n m U @ l9T*E
电阻率
S A D F p _ d8f Y00.0001ohm.cm-100ohm.cm
w4D6X v*w.D h n L ` W0电阻率均匀性6sigma品质网 S d [0P G t2d j A
<25%
%d0M s O G:S ^ S zK0位错密度6sigma品质网/l*{"| E3C m u
无位错
3^ @(O r O B n,}0OISF密度6sigma品质网 a3[,D u K
<500cm２
.? h(S6e,h n9P1w;`0氧含量6sigma品质网 u+y R A `8T/j+j a
根据客户要求6sigma品质网 R7V7m t/x l7F
碳含量6sigma品质网 J s0X m |/o c8E!l ^ U8n
<1ppma6sigma品质网 G w D,`#? M
主要考面取向密度6sigma品质网 v$B T!y+p:U
根据客户要求
g s B4q Q ^ a!{1_0　　其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。 6sigma品质网 \0{.u:K {
　　测试方法：
7x;e U*F.R/O P0 　　电阻率：用四探针法。6sigma品质网 K%h s/T8B+} y:B ~
　　OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。6sigma品质网 m)J `'N t D f
　　碳含量：利用红外分光光度计进行检测。6sigma品质网/O c @0X \$|2C
　　单晶硅抛光片品质规格：6sigma品质网,J B u7G ` e v
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数6sigma品质网&C-bj#N L Y:\
厚度（T）6sigma品质网 j k ]'Tw3Q \1u W
200-1200um6sigma品质网 I i(f7d G4M$s3}
总厚度变化（TTV）
x.O&V$`'y ]"\ W t0＜10um6sigma品质网 A#W F;p&h
弯曲度（BOW）6sigma品质网*[ T _(g+y6r!K"f"L s G
＜35um
9{ f ^ W v0C G A0翘曲度（WARP）6sigma品质网 V&c#c%Q y u `.A P
＜35um
|*`.|7` ~ K+y V0单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
$g a S#u H(M6a0 　　（2）加工工艺知识6sigma品质网 | J8W \!W y l ] q P
　　多晶硅加工成单晶硅棒：6sigma品质网8?1u y O [0Q e x
　　多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：
_+a Q `!P \ {9| d*o0 　　CZ（Czochralski）法6sigma品质网1G [ O x V E,S B
　　FZ（Float-Zone Technique）法6sigma品质网:I+s ?6T T0G
　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
(o _(^ j L0 　　目前国内主要采用CZ法
*[ x g T q2y b0 　　CZ法主要设备：CZ生长炉
n K h I&`;X ` o"j0 　　CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
9Z k M b ~5r0 　　（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁6sigma品质网 J7b/^-c w1}
　　（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件6sigma品质网 j z(v W(K J3p"s
　　（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀
w(i P X l7W u0 　　（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统
%pC M:w$W R0 　　加工工艺：6sigma品质网 m,_,u5s+U
　　加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长
.h S.z { g-A*x:}].w0 　　（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼磷，锑，砷。6sigma品质网)_.q8|4v8J3k G
　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。6sigma品质网 k3]7n2`-H b v7d*`"y
　　（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
r7`)V g Z } ? t0 　　（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
{ w#v&\3n4e B0 　　（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。6sigma品质网0G;f!}#k H
　　（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。6sigma品质网 { `,s%x;o [2V9X,X4v
　　单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
0I z']"n d D0 　　加工流程：6sigma品质网 G ` J$r4L XZ&u A |-y&J Z
　　单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
d s6z F Z ]0 　　倒角→研磨 　　　腐蚀--抛光→清洗→包装
8{ y b S X*p B$Z0 　　切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。6sigma品质网7e E7P.k A+d
　　切断的设备：内园切割机或外园切割机
*h0k O1y#F q U0 　　切断用主要进口材料：刀片6sigma品质网 H D v O [
　　外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。6sigma品质网 K g J'K p2I9{ z$H V
　　外径滚磨的设备：磨床6sigma品质网 O5W M |+~i
　　平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。6sigma品质网;P p0} w [ L(W
　　处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
$v N/?'D x {,A0 　　切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
\#L#^8p j I m0 　　切片的设备：内园切割机或线切割机6sigma品质网 e a,t Q z a S
　　倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。6sigma品质网:WI#C%\%u _ {
　　倒角的主要设备：倒角机6sigma品质网5|$O z d0x x t"U
　　研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
M9J#h0J Z R0 　　研磨的设备：研磨机（双面研磨）6sigma品质网 N,^-A X#R!m X
　　主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。6sigma品质网 W(G a3b [,s C w L I
　　腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。6sigma品质网1L \ e `*H.y
　　腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。6sigma品质网 { ^ S b N { T
　　　　　　　　（B碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
y$f M&_$^ N ^ Y G0 　　抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
M X Q G _0A0 　　抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。6sigma品质网 s V$X k e6w E ^ n v
　　抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；6sigma品质网2O } Q6m g
　　　　　　　　精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
} ? @.T R0 　　主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。6sigma品质网 x ^ e n0n5\ `;l
　　清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。　
^ n5y r*A7B Q O0 　　清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。
)n,e Y.G z0 　　主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
H h g)i |"n0 　　（3）损耗产生的原因6sigma品质网 |(a d K3y c
　　A.多晶硅--单晶硅棒
R \5Q D A0 　　多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。6sigma品质网 F!i o l;G b N+o
　　重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。6sigma品质网7x h z f @ ^4p k5}
　　重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。6sigma品质网 _ N.T h7p+x s
　　损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。6sigma品质网 K B*H+^ S [)q6g M!c
　　单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。
j E,I*H f m0 　　单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。
g N$d r ?'[(T0 　　例：6sigma品质网 j q#U y S8b&U1Q W
6sigma品质网 ` w0y T k7r _:T
4英寸6sigma品质网 L G |0T K q;K.T
5英寸6sigma品质网8Z2`6x6B;| L \
标称直径6sigma品质网%k2D't.O z)M Q
100mm
^ L w X N Q M j$|0
125mm6sigma品质网 u(| e N,O h o!{,B
拉晶直径
Z.J#~ U g&w0T h X } _ Q0
106mm
G[5?/f p!N)q u0
131mm6sigma品质网 } V M Q9j P4u
磨削损耗
:S a M I _ @*f0
12.36%
*\-h8g m!@ Z1` {&Z b3B0
9.83%6sigma品质网%b L2] G Z,k X-z t
拉制参考损耗6sigma品质网 h!p d e+T8] P U#S W:z H
0.7%
K3Z b D jV d S"a0
0.8%
S#y r!T [0
合计损耗6sigma品质网&Y!H h+?s3T K
13.06%6sigma品质网 A&Z;F9_ Z w Z
10.63%
(^$T,N M U9v0
此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为7．5％。6sigma品质网 e H!b1s#U$^"Y&[ c
　　从多晶硅--单晶硅棒总损耗率：4英寸约为45．3％6sigma品质网 U,| ^1d9B)N
　　　　　　　　　　　　　　　　5英寸约为43．8％6sigma品质网8a ` g _ E%H z6r
　　B、单晶硅棒--单晶硅抛光片
*U @0_ ] u&L'o K0 　　单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内园切割机在切割过程中由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约34％-35％。如采用线切割机则损耗较小。
q"A*i V y0 　　例：
H kZ v a e Z0g0   Q,v n&@ J I0
4英寸
N(H"{ e v u q1|0
5英寸6sigma品质网 ~0] n4p _'P1N
切片刀厚6sigma品质网5Q t |&wK M r4j"\
310+256sigma品质网 H7u b Z5H j!y `!K
380+25
E k T H*O6_.A L R X0
硅片厚度6sigma品质网 k9X V v |
650
(| W*D r&c%n t Q0
7506sigma品质网 J H A q0y,p$] Z
损耗率6sigma品质网 ` M'V%D z s
34%6sigma品质网 T i j,A%m,k P c D
35%
B g q T X ` V0
　　其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约16.67%-19.23%。
.` q h S P x0 　　例：6sigma品质网5} [ {8k$i:N Y B J
H D,P D8F&o7[ F5N r0
4英寸
?3H2x;]6Q.t0
5英寸6sigma品质网 K-G x"g [&u P%H
切片厚度6sigma品质网)l H C(x pV U,P e }
6506sigma品质网"N K f U T u2r2vb:u ~1L
7506sigma品质网.{ f ~ X+@ Q.P
抛光厚度
g i V2Q V m2\ [0
525
-m!r F#i&V0
625
D t1A z l V!f | ~0
损耗率6sigma品质网 j(\!p*N F V U
19.23%
/[ b+^9Z o,R!P0
16.67%6sigma品质网 H s G { Es

　　从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5％、倒角1％、磨片5％、腐蚀2％、退火2％、抛光5％、清洗2％，此间损耗率约20％6sigma品质网 W'Y P3w r$_ C
　　从单晶硅棒--单晶硅抛光片的总损耗率：4英寸约为57．4％6sigma品质网 B9]*k ]%H ~ W
　　　　　联系人:莫丽霞 13925779651 邮箱szmolisa@.生产产品有：纯水设备，中水回用设备，超纯水设备
产品用途，生产各行业产品都要用的例如：光伏行业（生产拉晶、切片、电池片、多晶硅原料，洗料，切割液，光伏行业化学品等）半导体行业（生产芯片、LED、LCD、玻璃、集成电路等） 电子行业（生产电镀产品，电阻电容）生产化学生产都会用到的，光电光学产品材料都要用到超纯水设备！
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　　　　　　　　　　　　　　　5英寸约为56.7％
太阳能电池组件生产工艺流程图
太阳能电池组件生产工艺流程图
 阳电池组件是将太阳光能直接转变为直流电能的阳光发电装置。多个组件经串联和并联可组成发电方阵，提供较大的电功率。太阳电池组件具有单个组件功率大，可靠性高的特点，可单只或组成阵列使用。
组件是由高转换效率的单片太阳电池、抗老化EVA胶膜、高透光率低铁钢化玻璃和由氟塑料、涤纶复合而成的Tedlar(TPT)背膜组成。这些元件在真空下加热层压成为一个整体，最后经安装阳极化防腐铝合金边框和接线盒，成为组件成品。具有效率高、寿命长、安装方便、抗风、抗冰雹能力等特性。

太阳能电池组件生产工艺流程

产品特点
· 采用高转换效率的电池片（加图片）、高透光率和高机械强度的钢化玻璃、抗老化的EVA、耐候性优良的TPT封装而成。

· 并网系统
· 独立光伏电站
· 水泵
· 电讯
· 阴极保护系统
· 建筑一体供电系统