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电子
模拟电子主要知识点整理
一、 半导体
N型半导体多数载流子为自由电子，P型半导体多数载流子为空穴。
1、限幅电路
VD
R
a、上限幅电路： b、下限幅电路：
+ + + +
E
R
uo
uo
ui
ui
VD
E

- a - - b -
限幅电压为E ,输入输出波形为： 限幅电压为E，输入输出波形为：

2发光二极管 发光二极管简称LED，是一种直接将电能转化为光能的的器件。当管子被施加正向电压时，LED发光。
3、 发光二极管的正、反向电阻均比普通二极管大得多，一般用万用表的R*1挡至R*1K挡均不能测试到发光二极管的发光情况，而R*10K挡使用15V的电池，能把有的发光二极管点亮。
4、 晶体管

三极管具有电流放大作用，电流放大作用的内部条件为：
a、发射区掺杂的杂志浓度远高于基区和集电区
b、集电结面积大于发射结面积
c、基区做得很薄
外部条件为；发射结正偏，集电结反偏
晶体管的特性曲线：

1） 、截止区：ib=0以下的区域称为截止区，截止区的特点是集电结与发射结均反偏，三电极电流均为0
2） 、放大区：放大区处于曲线近似水平部分，晶体管的发射结正偏，集电结反偏。此时ic=βib
3） 、饱和区：将uCE≤uBE时的区域称为饱和区。此时，发射结和集电结均处于正向偏置，晶体管处于饱和区时，ic由外电路决定，而与ib无关。此时对应的uCE值称为饱和压降，用UCES表示。此时晶体管没有放大功能
注：晶体管在电路中既可以作为放大器使用（工作在放大区），又能作为开关使用（工作在饱和区或截止区）。
晶体管的主要参数
电流放大系数：共发射极直流电流放大系数 β=≈
共发射极交流电流放大系数 β=
晶体管是利用基极电流来控制集电极电流的，是电流控制器件
场效应晶体管是一种电压控制器件
绝缘栅场效应晶体管是金属-氧化物-半导体绝缘栅场效应晶体管，简称MOS管或MOSFET
二、 放大电路

交流通路
直流通路
共发射极放大电路

电路分析
静态分析：

集射电压UCES 有
微变等效电路

Rbe=300Ω+(1+β)
Au==-=（式中负号表示输出电压与输入电压相位相反）
Ri=RB//Rbe，当不接负载RL时Au=-，通常RB>>Rbe，Ri≈Rbe，可见共发射极放大电路的输入电阻Ri不大。
放大电路开路时，输出电阻RO≈RC；接电阻RL时，输出电阻（要使放大电路的带负载能力强，就要使放大电路的输出级的输出电阻低一些）

微变等效电路

电压放大倍数略小于1

反馈电路
XO
Xi
Xi'

信号源 基本放大电路A 负载
Xf

反馈网络F
负反馈放大电路一般关系式如下 输入端各量关系 开环放大倍数
反馈系数 闭环放大系数
（AF为环路增益）|1+AF|为反馈深度
电压反馈，稳定输入电压；电流反馈，稳定输入电流。
并联反馈，改变静输入电流；串联反馈，改变静输入电压。
负反馈对放大电路的影响
1、提高放大倍数的稳定性
2、扩展通频带
3减小非线性失真
4、抑制内部干扰和噪声
5、改变输入电阻和输出电阻
电压串联负反馈使输入电阻增大，输出电阻减小
电流串联负反馈使输入电阻增大，输出电阻增大
电压并联负反馈使输入电阻减小，输出电阻减小
电流并联负反馈使输入电阻减小，输出电阻增大
虚短： 虚断：

为平衡电阻，
差动势放大电路放大倍数相当于一个三极管的放大倍数
差模输入信号为：

三、 集成运算放大电路

同相比例运算电路

电压跟随器具有延迟信号的作用，常用作阻抗变换器或缓冲器
1、 加法运算电路： 2、减法运算电路

(Rf对应反馈电阻R2,R1对应所接电阻，R2对应所接电阻，R对应接地电阻）

课本中
(Rf对应R2,R1、R2分别对应R11、R12)

数字电子主要知识点整理
一、 数制和码制
数制：数制是计数的方法，是人们对数量计数的一种统计规律。
几种常见数制的表示方法
1、十进制：它采用0、1、2、3、4、5、6、7、8、9十个基本数码，其计数规律是“逢十进一”。例如：1961可写为 1961=1×103+9×102+6×101+1×100
十进制数的特点：基数是10；计数规律是逢十进一
2、二进制：二进制只有两个数码0和1
二进制数的特点：基数是2；计数规律是“逢二进一”；各位数的权为2的幂
3、八进制：采用八个数码：0、1、2、3、4、5、6、7。
八进制数的特点：基数是8；“逢八进一”
4、十六进制：采用十六个数码：0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F，其中10~15分别用A~F表示。
十六进制数的特点：基数是16；“逢十六进一”；各位的位权是16的幂

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