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高速电路 接口电平最佳详解.doc

1、 高速电路 (由于高速电路有很多参考资料,本文并不侧重全面讲述原理、各种匹配和计算方法,而是侧重评析一些高速电路的优缺点,并对常用电路进行推荐使用。) 一、 高速信号简介: 常见的高速信号有几种:ECL电平、LVDS电平、CML电平 其中ECL电平根据供电的不同还分为: ECL――负电源供电(一般为-5.2v) PECL――正5V供电 LVPECL――正3v3供电,还有一种2.5V供电 一般情况下,常见的高速信号都是差分信号,因为差分信号的抗干扰能力比较强,并且自身产生的干扰比较小,能够传输比较高的速率。 二、 几种常见的高速信号: 1、

2、PECL电平 从发展的历史来说,ECL信号最开始是采用-5.2V供电的(为何采用负电源供电下面会详细说明),但是负电源供电始终存在不便,后来随着工艺水平的提升,逐渐被PECL电平(5V供电)所替代,后来随着主流芯片的低电源供电逐渐普及,LVPECL也就顺理成章地替代了PECL电平。 PECL信号的输出门特点: A、 输出门阻抗很小,一般只有4~5欧姆左右: a、 输出的驱动能力很强;直流电流能达到14mA; b、 同时由于输出门阻抗很小,与PCB板上的特征阻抗Z0(一般差分100欧姆),相差甚远当终端不是完全匹配的时候,信号传到终端后必然有一定的反射波,而反射波传会到源端后,也不

3、能在源端被完全匹配,这样必然发送二次反射。正因为存在这样的二次反射,导致了PECL信号不能传输特别高的信号。一般155M、622M的信号还都在使用PECL/LVPECL信号,到了2.5G以上的信号就不用这种信号了。 c、 B、 PECL信号的回流是依靠高电平平面(即VCC)回流的,而不是低电平平面回流。所以,为了尽可能的避免信号被干扰,要求电源平面干扰比较小。也就是说,如果电源平面干扰很大,很可能会干扰PECL信号的信号质量。 a、 这就是ECL信号出现之初为何选用负电源供电的根本原因。一般情况下,我们认为GND平面是比较干净的平面。因为我们可以通过良好的接地来实现GND的平整(即干扰很

4、小)。 b、 从这个角度来说,PECL信号和LVPECL信号都是容易受到电源(VCC)干扰的,所以必须注意保证电源平面的噪声不能太大。 C、 对于输出门来说,P/N二个管脚不管输出是高还是低,输出的电流总和是一定的(即恒流输出)。恒流输出的特性应该说是所有的差分高速信号的共同特点(LVDS/CML电平也是如此)。这样的输出对电源的干扰很小,因为不存在电流的忽大忽小的变化,这样对电源的干扰自然就比较小。而普通的数字电路,如TTL/CMOS电路,很大的一个弊病就是干扰比较大,这个干扰大的根源之一就是对电源电流的需求忽大忽小,从而导致供电平面的凹陷。 D、 PECL的直流电流能达到14m

5、A,而交流电流的幅度大约为8mA(800mV/100ohm),也就是说PECL的输出门无论是输出高电平还是低电平,都有直流电流流过,换一句话说PECL的输出门(三极管)始终工作在放大区,没有进入饱和区和截至区,这样门的切换速度就可以做得比较快,也就是输出的频率能达到比较高的原因之一。 下面是PECL电平的输入门结构: 其中分为二种:一种是有输入直流偏置的,一种是没有输入直流偏置,需要外接直流偏置的。 一般情况下,ECL/PECL/LVPECL信号的匹配电阻(差分100欧姆)都是需要外加的,芯片内部不集成这个电阻。 大家可以看到,VCC-1.3V为输入门的中间电平(即输入信号的

6、共模电压),对于LVPECL来说大约为2V,对于PECL来说为3.7V。 也就是说,我们要判断一个PECL/LVPECL电平输入能否被正常接收,不仅要看交流幅度能否满足输入管脚灵敏度的要求,而且要判断直流幅度是否在正常范围之内(即在VCC-1.3V左右,不能偏得太大,否则输入门将不能正常接收)。在这一点上与LVDS有很大的差别,务必引起注意。 2、 CML电平 CML电平是一种比较简洁的电平,它内置匹配电阻(输入输出都有50欧姆的电阻),这样用户使用的是否特别简单,不需要象ECL电平一样加一堆的偏置电阻和匹配电阻。 CML电平的输出门和输入门: A、 由于输出门也

7、有50欧姆的匹配电阻,使得二次反射信号也能被这个电阻匹配掉,这样就避免了多次反射导致的信号劣化(振铃现象)。在这一点,与ECL电平相比有很大的改进,所以CML电平所能支持的速率比较高, 一般情况下,2.5G/10G这样的高速信号都是采用CML电平来传输,不再采用LVPECL信号。 从光口的抖动指标来看,CML电平具有抖动指标小的特性。对比3种电平抖动方面的性能:CML最优、ECL次之、LVDS比较差。这就是一般情况下LVDS信号很少做为光接口驱动信号的原因之一(当然,输出信号幅度比较小、电流驱动能力比较弱应该也是原因之一吧。) B、 同样的,CML电平也是采用恒流驱动方式。 C、 CM

8、L电平的输出AC摆幅能达到800mV D、 一般情况下,CML电平可以是直流耦合方式对接,也可以是交流耦合方式对接。 E、 3、 LVDS电平 LVDS电平与PECL和CML电平来说有几个比较显著的特点: A、 LVDS电平的驱动电流很小才4mA,所以功耗特别小,输出摆幅为400mV。当系统种有很多这种信号的时候(如TDCS6440G芯片有64对的622M 的LVDS收发),它的功耗优势就能体现出来。在我们设计系统的过程中,芯片的功耗和系统的散热一直是重点考虑的问题。 B、 LVDS电平可以做成支持热插拔,从而支持做为背板驱动,而PECL/LVPECL和CM

9、L电平一般情况下不支持热插拔,不能用在背板驱动。从电路的结构上我们也可以看到LVDS的输出门结合了PECL电平和CML电平的特点,并且通过串阻的限流,可以限制浪涌电流的产生,避免门的损坏,CML电平也能做成支持热插拔,但是普通的CML电平不一定能支持热插拔。 C、 LVDS的输入门与其他输入门有一个显著的特点,前面有一个类似于直流电平漂移适配电路(ADAPTIVE LEVEL SHIFTER),这个电路能够适应直流电平(common-mode voltage)的变化的,使得输入直流电平变化范围可以很宽(0.2V~2.2V)。也正因为这样,LVDS比其他信号有更强的共模抗干扰能力。因为LV

10、DS的差分线一般情况下离得比较近,一旦有干扰,P、N二个信号会同时受到干扰,这样导致P/N同时上升或者下降,而LVDS通过这个均衡电路就能很好地适应这种干扰,从而提高共模抗干扰能力。 这一点与PECL电平有显著的差别,PECL信号是要求直流电平在VCC-1.3V左右,偏差不能太大,否则就不能正常接收。 D、 另外,LVDS输入门内部集成了100欧姆的匹配电路,所以芯片外部就不需要加匹配电阻了,大大简化了设计的难度。如果在BGA下需要加一堆的匹配电阻的话,其设计难度确实不是一般的大。 E、 另外,LVDS还能容忍收发器之间的GND电平差达到+-1V左右。这个特性使得LVDS在用于二个不同系

11、统之间的互连的时候就显得特别方便,它可以不要求二个系统的GND平面完全等电势。例如,主框与从框之间可以通过LVDS信号互连起来。 三、 高速信号的回流和匹配: 1、 信号回流: 如上图,A、B是一个高速信号的差分对,A对应的回流为C;B对应的回流为D。 A和B的电流大小相等,方向想法,同理C和D也是如此。当差分信号A/B之间的距离足够近的情况下,C/D也是足够的近,那么由于C、D大小相等,方向相反,所以流过回流平面的电流为0,也就是说,A和B的回流不依赖于回流平面,而是差分线之间实现回流。当然前提条件是C/D足够近,当然,在实际的应用中,只能实现大部分的

12、电流在差分线之间回流,还是有一部分的回流是经过回流平面的,所以回流平面还是要保证完整,否则容易出问题。 说到这里,我们顺便讲一下强耦合和弱耦合的说法,如果差分线之间的距离很近,回流基本上是经过差分线之间,而很少通过回流平面,那么称之为强耦合;否则称之为弱耦合。 可以说强耦合对回流平面依赖比较低,而弱耦合对回流平面依赖比较高。那么是不是设计的时候把差分线设计成越近越好呢,也不完全是这样,因为在实际的PCB设计过程中,为了确保差分线的等长,经常需要把其中的一根线拐弯打折,这样,对于强耦合来说,阻抗变化的影响就比较大,而对于弱耦合来说,阻抗变化就比较小,此时弱耦合就比较有优势了。 讲

13、到差分线,肯定会有等长的要求,那么一个差分线之间的等长应该控制到什么程度就比较合理呢,做完全等长做不到,也不必要。其实一个差分线的不等长,就等效于P、N信号存在相位差,其结果就是上升沿和下降沿变缓或者出现台阶,导致稳定部分减少,也就是说,应该根据信号的速率综合考虑才对,信号速率越高,等长要求就越严格。 同时要注意的是,差分线二根线之间不等长的累加问题,如一个差分信号从一个单板到另一个单板的情况下,存在本板内部、背板、另一个单板内部,都可能存在不等长,所以板际的信号更应该严格控制等长。 2、 高速信号的匹配和对接的基本需求: 不同电平之间的匹配和对接有很多种方式,不同的资料有不同

14、的提法,这些提法各有各的道理,在这里,我们会选择几种进行讲解,从实际应用的角度来说哪一种方式比较好。 对于高速信号的匹配和对接方面,从电气方面来考虑的话,主要考虑:AC信号的摆幅和回路和DC电平的幅度和回路二个方面。 如果从实际设计的方便和合理的角度来考虑的话,要把握几个基本原则:容易布板;功耗最小,匹配方式最简单(阻容个数最少)。 一般情况下,如果是同一种电平信号的对接,基本上都是采用直流耦合方式对接就可以了。如PECL&PECL;LVPECL&LVPECL;LVDS&LVDS;CML&CML。因为他们自己的输出和输入的AC和DC肯定是匹配得上的。 但是对于不同信号电平之间的对接来说

15、AC的幅度和DC的幅度不一定能够完全对应得上,所以必须考虑好AC和DC的幅度。在这种情况下,采用交流耦合的方式比较常见,当然也可以直流耦合(一般情况下要用电阻分压等方式来实现AC和DC的幅度相匹配) 3、 高速信号匹配和对接举例: a、 LVPECL&LVPECL (PECL同理) l 方式一: 图3-3-1 图3-3-1的匹配方式是PECL电路的基本匹配模型,其中:2个50欧姆的作用,既是交流匹配的电阻,所以应该在离输入端很近的地方;还是充当直流回路的偏置电阻。 由于是同一种电平对接,AC摆幅和DC电平当然没有问题(符合下表), 优缺点: 只有

16、二个匹配电阻,电阻个数最少,但是二个电阻都必须靠输入端比较近的地方放置,PCB布板可能有点困难。 最大的缺点就是需要VCC-2V的电源,如果这种电路的路数很多,为此提供VCC-2V还是可以的,如果路数不多,那么就不值得了。经过演化变化成图3-3-2 l 方式二 图3-3-2 图3-3-2是从图3-3-1演化而来,R1=130/R2=82(3v3);R1=82/R2=130(5v)。 其中R1/R2既充当交流匹配电阻(50欧姆),也充当直流偏置电阻。 缺点是: 4个电阻都必须放在离输入端很近的地方,对PCB布板造成困难。 匹配电阻功耗比较大,如果路数很多的话,对

17、单板的功耗来说是一个比较大的问题(静态电阻很小)。 所以,在实际的布板过程中,我们并不提倡使用这种电路。 l 方式三 图3-3-3 图3-3-3是一种资料上很少提,但是却很有用的电路方式,其中R1=140~200欧姆(3v3),R1=270~330欧姆(5V),R2=100欧姆。 R1为输出门提供偏置电流,R2为交流信号提供匹配。输入门的直流电平直接利用输出门的直流电平,并不需要外来的上下拉电阻来提供。 这种电路的优点: 电阻个数很少,只有3个。 只有R2一个电阻必须放在离输入门比较近的地方,R1放置的地方可以比较随便,只要不引入过长的线头(过长

18、的线头会导致反射)就可以了。PCB布板比较容易处理。 这种电路的功耗比图3-3-2小得多。 这种电路是一个优选电路。 b、 LVPECL&PECL 对于LVPECL和PECL来说,虽然AC的摆幅相同(800mV),但是直流电平不一样,所以无法之间用DC耦合对接起来。 在这种情况下,我们可以考虑用AC耦合方式来处理。 l 方式一 图3-3-4 其中: R1=140~200欧姆 属于直流偏置电阻 C1为耦合电容,可以放在线上的任何一个地方,不一定在源端,也不一定要在末端。 R2=100欧姆 属于交流匹配电阻,一定要放在末端。 R3、R4为K级别的电阻,

19、必须满足R4/(R3+R4)=(VCC-1.3V)/VCC的比值就可以了。R3/R4是为输入端提供直流电平,所以对PCB上的位置没有特殊要求,只需要不引入长线头就可以了。 优点:对于交流耦合来说,器阻容器件的个数算是比较少的了;只对一个电阻的位置(R2)有要求,其他的没有要求;功耗也比较小。 这种电路还带来另外一个优点,那就是当LVPECL输出没有交流信号的时候,那么输入端却可以依靠100欧姆的电阻,使得P/N维持一个电压差,从而保证输入端的稳定(恒为“0”或者“1”)。大家可以联想到芯片LOS信号的检测机制――看输入的信号是否为长“0”或者长“1”。为芯片的正确检测LOS提供了保证。而图

20、3-3-5的匹配方式是无法解决这个问题的。 属于优选电路类型。这种方式可以推广到LVPECL&LVDS;LVDS&LVPECL等电平的对接。 l 方式二 图3-3-5 图3-3-5电路是很多资料推荐使用的,从原理上分析没有错,但是从实用的角度来说并不是最佳方案。 电路(a)种的R2/R3既做为交流匹配电阻,又做为输入直流电平,由于R2/R3 共4个电阻必须放在输入引脚附近,所以可能导致PCB布板困难。同时功耗也比较大。 电路(b)应该说有比(a)比较大的改进,虽然从电阻的个数上来说还多了一个,但是PCB布板容易,并且功耗比较小。其R2/R3阻值可以是K级别

21、的。 此方案不提倡使用。 l 方式三 图3-3-6 图3-3-6从原理上来说也没有错,但是R2/C1/R3/R4等7个阻容必须放输入端很近,把它当作一个点才行。所以对于PCB布板来说肯定还不如方式二方便,更不要说方式一了。 此方案不推荐使用。 c、 LVPECL&LVDS 对于LVPECL输出,LVDS输入的信号来说,LVPECL的直流输出电平为2V左右,而LVDS的直流输入可以为0.2V~2.2V,所以直流电平本身不是关键。对于交流电平来说LVPECL输出最大为800mV,甚至超过1V,而LVDS的输入交流电平一般不能承受800mV的输入(具体还

22、得看芯片资料的说明),一般是认为最大在400mV左右。所以如何把交流幅度调整到LVDS能够接受的范围才是关键。 图3-3-7 以上是LVPECL到LVDS的DC和AC二种耦合的示意图。 具体的电阻值请参考其他资料,自行计算。 d、 LVPECL&CML 对于LVPECL输出CML输入的信号来说,LVPECL的输出交流摆幅比较大, 可能会超过CML电平的最大输入摆幅,所以一般情况下应该加衰减。同时也要关注直流电平。 同样,有AC耦合和DC耦合二种。 图3-3-8 一般情况下,二种不同直流电平的信号(即输出信号的直流电平与输入需求的直流电平

23、相差比较大),我们比较提倡使用AC耦合,这样输出的直流电平与输入的直流电平独立。 e、 CML&LVPECL 对于CML输出,LVPECL输入来说,由于直流电平相差很大,所以一般采用交流耦合方式。而CML输出的交流幅度一般不会大于LVPECL接收的交流幅度,所以交流方面只需要考虑匹配就可以了,不需要考虑幅度。 有些资料提供的匹配电路图如下: 图3-3-9 本人认为,图(a)(b)存在图3-3-5、图3-3-6所描述的相同弊病,最好采用如图3-3-10结构的电路。 同样,本人认为图(c)的100欧姆电阻放在电容后面对于PCB布板来说更方便一些,从匹配

24、的角度来说更好一些。 图3-3-10 f、 LVDS&LVDS 应该说LVDS之间的对接是最简单的对接了。 图3-3-11 g、 CML&CML 图3-3-12 CML电平一般情况下使用直流耦合就可以了。当然如果二个芯片的供电电源不同就必须用交流耦合了。因为此时二个芯片直接的直流电平不同,不能直接对接。 h、 LVDS&CML;CML&LVDS 一般情况下,不会存在LVDS与CML之间的对接,因为CML电平一般用在高速信号,如2.5G/10G等场合。而LVDS一般很难用在那么高的速率。 在这里要注意的是,输出交流幅

25、度是否落在输入交流幅度之内。 图3-3-13 四、 其他几个知识点的补充 1、 电流驱动和电压驱动方面的差异: 在传输线理论分析的时候,我们总是分析一个电压波形的传递,并未考虑电流能力(驱动电流的大小),而事实上,对于高速信号来说,为了要快速响应,或者长距离传输,都是采用电流驱动的。 LVDS/LVPECL/CML电平,在输入端都有匹配电阻(50/100欧姆),这些电阻都是对于输入门来说承担的是把电流转换成电压的任务。因为对于一个输入门来说,它对电流的需求并不大,它需要的是足够的电压幅度。既然芯片需要的是电压幅度,为何输出端不直接把电压传递过来呢。那是因为电压传

26、递速度比较慢,并且容易受到干扰。而电流驱动反应速度快,抗干扰能力强。 同样的道理,E1/T1驱动也是电流型驱动,在接收端有一个电流转成电压的电路(这个电路同时也承担着匹配的任务)。 大家可以在理解一下TTL/CMOS电路,如果驱动能力比较弱的话,信号的上升沿和下降沿就会很缓,能传的频率就会很低。虽然单端信号如TTL/CMOS信号的频率特性与驱动电流有关,但还是应该称这类的信号为电压驱动类型的信号。 2、 耦合电容的选取 耦合电容的大小选择与信号的频率(最低频率)有关,对于时钟信号来说最低频率就是它本身的频率,但是对于数据来说,就必须考虑最长的连“0”和“1”了。下图就很好地解释了电

27、容量小,会导致电容饱和,从而导致信号劣化的情况。 知识点:在SDH中有一个扰码的概念,扰码其中的一个很重要的作用就是打破长连“0”和“1”。 那么从技术的角度来说,是不是耦合电容容量越大越好呢,那么请看下面的电容的等效电路图。 其中R1就是我们平常所说的ESR(等效串阻),R2就是电容的漏电流;另外,还有一个等效电感。 可见,R1代表对信号电压的损耗,R2代表漏电流,也是对电流的损耗。电感是对信号上升沿下降沿的损耗,即高频特性的损耗。 一般地,电解电容比起瓷片电容来说,R1比较大,R2比较小(是M级别的),电感也比较大。所以高速信号都不会用电解电容来做为耦合电容的;音响放

28、大器中倒是经常用电解电容做为耦合电容,那是看中了电解电容的大容量。在加上音频毕竟是频率比较低,信号幅度也比较大。 而瓷片电容的一般R1很小,R2接近无穷大,电感量也比较小。一般情况下,瓷片电容的电容量越大,其电感量也就越大,频率特性就越差,漏电流也越大(即R2变小)。所以,在高速电路中,我们为了保证频率特性,要求电感量越小越好,即瓷片电容的容量越小越好,这就与前面说的电容饱和问题形成了一种矛盾。 所以,耦合电容容量的选择是一个折中的过程。一般地,2.5G/10G的时钟信号选择0.01uf的电容(甚至更小的电容量也可以)是比较合适的(当然选择0.1uf也没有什么问题),但是数据信号,由于要考

29、虑长“0”和“1”,我们还是建议要大于0.01uf,采用0.1uf就可以了(虽然有很多资料通过计算说明选择0.01uf就够了)。 小于2.5G的信号,一般选用0.1uf的耦合电容即可。 3、 为何我们经常把的单线阻抗控制在50欧姆? 在高速信号中,我们经常把差分阻抗控制在100欧姆,单端控制在50欧姆,为何不是其他的阻值呢?有人说,是因为芯片匹配要求的。那么芯片为何要把匹配做成50欧姆(100欧姆)呢? 因为,特征阻抗为30欧姆的时候,频率响应特性很好,但是传输损耗比较大。而75欧姆的特性阻抗的情况下,传输损耗比较小,但是频率特性比较差。于是最终折中到50欧姆上。 这就可以理解2M同轴线、155M同轴线都是75欧姆,而不是50欧姆的原因――是为了减少损耗,提高传输距离。 4、 高速信号的点对多点。 一般情况下,高速信号都是点对点的,当然也偶尔会有点对多点的需求,这时候,要求只能有一个点匹配(这就要求中间的几个点在接收端不能内部带有匹配电阻),并且匹配电阻必须在线的最末端。PCB布线的时候必须保证这些点都是在同一条线上(绝对不能出现开叉)。 5、

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