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材料的介电性.ppt

1、本章内容,材料的热容,材料的热膨胀,材料的热传导,材料的热稳定性,第二级,第三级,第四级,第五级,*,中,第二章 材料的电学性能,1,本章内容,金属的导电性,合金的导电性,半导体的导电性,材料的介电性,材料的超导电性,2,介电材料的应用领域,绝缘材料:介电材料,又称电介质。,3,第四节 材料的介电性,电介质的定义与特征,电介质的极化,电介质的基本常数,电介质的应用,4,1.,电介质的定义与基本特征,在电场作用下,能产生极化与偶极子,并存在有内电场,的物质。,物质,电介质,半导体,导体,是一类特殊的绝缘体。,电介质,导体,高电场作用,5,电介质的类型,气体,液体,陶瓷,玻璃,离子晶体,NaCl,

2、等,H,2,,空气,六氟化硫等,水,石油等,云母,瓷,橡胶,聚苯乙烯等,钛酸钡、铁酸铋、钛酸铅等,6,电介质的特征,从电场特性来看,(,a,)导体中:内部电场为零(平衡状态),电场终止于,导体表面并与表面垂直。,(,b,)在电介质中:内部存在电场,表面会产生束缚电荷。,载流子:,导体的载流子为电子;半导体的载流子为电子和空穴;,电介质的载流子主要为离子。在传导上,导体为自由电,子,而电介质则以电极化。故对极化的研究是介质物理的,主要任务。,7,介电常数:,是指以电极化的方式传递、存贮或,记录电的作用。,电导:,是指电介质在电场作用下存在泄露电流。,介电损耗:,是电介质在电场作用下存在电能的损耗

3、介电强度:,是指在强电场下可能导致电介质的破坏。,电介质的四大基本常数,好的电介质要求较容易极化,具有较高的介电常数和介电,强度,较低的电导和介电损耗。,8,第四节 材料的介电性,电介质的定义与特征,电介质的极化,电介质的基本常数,电介质的应用,9,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,+,-,插入电介质,束缚电荷,在电场作用下产生束缚电荷的现象称为,电介质的极化,。,2.,电介质的极化,10,与极化相关的物理量,电偶极矩,极化电荷(束缚电荷),电极化强度,P,电介质极化程度的量度,由极化而引起的宏观电荷,11,电介质的极化机制,电介质在外加电场作用下产生

4、宏观的电极化强度,实际上是电介质微观上各种极化机制贡献的结果。包括电子式极化、离子式极化、电偶极子转向,极化和空间电荷极化等。电子极化和离子极化又都,可分为,位移极化,和,弛豫极化,。,极化,电子式极化,离子式极化,电偶极子极化,空间电荷极化,位移极化,弛豫极化,位移极化,弛豫极化,12,电介质,极性材料,非极性材料,只有位移极化的电介质,有转向极化的电介质,根据极化类型对电介质进行分类,微观上,,根据参加极化的微观粒子的种类,电介质的分子极化可分为三类:,电子位移极化,;,离子位移极化,;,电偶极子转向极化,。,13,电子位移极化与电子位移极化率,在外电场作用下,电子云相对原子核的位移是弹性

5、联系,其振动频率在光频范围,所以电子极化又称光极化,极化建立和消除的时间极,短,约,10,-15,10,-16,s,。,E,电子位移极化,在外电场作用下,构成原子外围的,电子云相对于原子核发生位移,感应偶极矩:,14,平衡建立后,-Q,Q,x,a,以电子云中心为参考点,核沿电场方向移动,x,,使核移动的电场力为,核移动后,受到电子云的库仑力为,15,与温度无关,-Q,Q,x,a,电偶极矩,电子极化率:由电子产生的偶极矩与作用于该分子的电场强度之比。,16,电子位移极化结论,同族元素:由上到下增大;,同周期元素:不定;,电子位移极化率与温度无关;,极化率为快极化:,10,-15,10,-16,s

6、该极化无损耗。在光频下,只有电子极化,介质的光折射率为:,17,离子位移极化和极化率,离子晶体的介电常数值比,n,2,值大的多,如,8.43,1.99,CaF,2,110-114,7.3,TiO,2,4.68,2.13,KCl,介电常数,n,2,因此,必然存在电子极化外的其他极化机制。,离子位移极化,:离子晶体中正、负离子发生相对,位移而形成的极化,称为离子(位移)极化,(Ionic polarization),。,18,-q,+q,E,K,=?,当位移不是很大时,可将正负离子间的恢复力看成为准弹性力,根据正、负离子对的固有谐振频率用实验方法求解,k,值。,E,19,正负离子位移形成的偶极

7、距,离子极化率,根据离子晶体的势能,E(x),,可以得到,k,值。,20,离子位移极化率与电子位移极化率几乎有相同的数量级;,离子位移极化只可能在,离子晶体,中存在,液体或气体介质中不存在离子极化;,离子位移极化只与,离子晶体结构参数,有关,与温度无关;,离子位移极化建立或消除时间与,离子晶格振动周期有相同数量级,,10,-12,10,-13,秒,。,离子位移极化模型(一维),离子极化结论:,21,偶极子转向极化和极化率,当极性分子受外电场作用时,偶极子就会产生转矩,由于偶极子与电场方向相同时具有最小位能,于是就电介质整体来看,偶极矩不再等于零,而,出现沿电场方向的宏观偶极矩,这种极化现象称为

8、偶极子转向极化。,E,22,每一偶极子的势能,Boltzman,统计分布,极性分子固有极距,极化建立时间:,10,-6,10,-2,秒,为慢极化。,23,极化形式,发生极化的电介质,极化的频率范围,和温度的关系,能量消耗,电子位移极化,一切陶瓷介质中,直流,-,光频,无关,没有,离子位移极化,离子结构介质,直流,-,红外,温度升高,极化增强,很微弱,离子松弛极化,离子结构的玻璃、结构不紧密的晶体及陶瓷,直流,-,超高频,随温度变化有极大值,有,电子松弛极化,钛质瓷、高价金属氧化物基陶瓷,直流,-,超高频,随温度变化有极大值,有,转向极化,有机材料,直流,-,超高频,随温度变化有极大值,有,空间

9、电荷极化,结构不均匀的陶瓷介质,直流,-,超高,随温度升高而减弱,有,自发极化,温度低于居里点的铁电体,直流,-,超高频,随温度变化有显著极大值,很大,各种极化形式的综合比较,24,第四节 材料的介电性,电介质的定义与特征,电介质的极化,电介质的基本常数,电介质的应用,25,3.,基本常数,静态介电常数,真空介电常数,相对介电常数,介电常数,可理解为在单位,电场强度下,单位体积中,所存储的能量。,电容,介电常数(,dielectric coefficient,),26,介电强度,击穿,指当施加于电介质上的电场强度或电压增大到一定,程度时,电介质由介电状态变为导电状态的现象。,介电强度,填充电介

10、质的目的是使极板间可承受的电位差能,比空气介质承受的更高些,即提高其介电强度。,27,电介质的电导,电介质中的带电质点在电场作用下做定向迁移形成的。,固体电导,电子电导,离子电导,电子和空穴,可移动的正负离子和离子空位,低电场下,高电场下,28,体电导和表面电导,体电导率:由材料的本质所决定,与试样尺寸无关。,表面电导:表示介质抵抗沿表面漏电的性能。,29,电击穿,U,I,O,U,b,U,b,为击穿电压(击穿电场,E,b,=U,b,/d,,,d,为介质厚度),30,固体介质击穿的一般规律:,固体介质的击穿电场大于液体和气体介质,E,b,(气体),=3,10,6,V/m,E,b,(液体),=,1

11、0,7,10,8,V/m,E,b,(固体),=,10,8,10,9,V/m,固体介质击穿是永久性的,从击穿过程看:,-,电场的破坏,变成导体,电击穿;,-,介质本身的破坏:,a,)热破坏,热击穿;,b,)机械破坏,机械击穿,31,电击穿的特点:,电击穿必须满足:电导率,小、,tan,小、散热条件好,无气隙、无边缘放电。,b.,击穿电场范围较窄:,10,8,10,9,V/m,32,介电损耗,在外电场作用下,由电导作用和极化作用引起的,电介质内的能量损耗。,介电损耗,电导损耗,介质极化损耗,静电场中,交变电场中,电导损耗,电导损耗,电导损耗,并联等效电路,串联等效电路,33,引起介电损耗的微观机制

12、普通无机晶体介质,(NaCl,SiO,2,等,),只有位移极化,损耗来源:离子电导,与电导率成正比,无定形玻璃介质,电导损耗、松弛损耗和结构损耗(,Si-O,网络变形),多晶陶瓷,离子电导,松弛损耗和夹层损耗,多相复合介质,界面电荷积累,“,夹层极化,”,34,有损耗电容器的等效电路和向量图,并联等效电路,串联等效电路,35,损耗角和损耗因素,向量图,损耗角,tan,损耗因素,理想(真空)电容器无损耗,,=0,;,越大,说明介质损耗越大。,36,电介质基本常数之间的关系,提高电介质的介电常数有利于提高电容器的存储电荷量,然而介电损耗也将随之增加,因而寻找一种兼具有高介电常数和低介电损耗的电介

13、质是当前科学研究者的任务。,材料的介电常数越大,其介电强度不一定高;,电介质的电导越大,介电损耗也越高。,37,一些材料的介电性能,材料,相对介电常数,介电强度,/(kV,cm,-1,),真空,1,水,78,纸,3.5,1.4,红宝石云母,5.4,16,琥珀,2.7,9.0,瓷器,6.5,0.4,熔凝石英,3.8,0.8,玻璃,4.5,1.3,电木,4.8,1.2,聚乙烯,2.3,5.0,二氧化钛,100,0.6,38,第四节 材料的介电性,电介质的定义与特征,电介质的极化,电介质的基本常数,电介质的应用,39,电介质的应用领域,电容器,场效应晶体管,超级电容器,信息存储,声纳,超声波,红外探

14、测器,高介电常数材料,铁电材料,压电材料,热释电材料,40,电介质领域专家,陈湘明,陈湘明,浙江大学,教授,长江学者,主要研究方向:,长期从事铁电与介电材料的基础与应用,研究,现主要研究方向为微波介质陶瓷、,多铁性材料、铁电与驰豫铁电材料。,钨青铜结构,CaCu,3,Ti,4,O,12,陶瓷,41,电介质材料应用一:超级电容器,单位重量储存的能量能达到一般蓄电池的水平。,与锂离子电池或其它蓄电池联用,作为短时驱动电源,应用于电动汽车的动力电池领域。,应用于大型石化、电子、纺织等领域的重要电力系统或大功率系统使输出电压稳定。,特点:长寿命、大容量、高充放电速率。,42,电介质材料应用二:铁电存储

15、器,英文名称,:,FRAM,原理:利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。,特点:长寿命、快的写入速度、非易失性。,43,电介质材料应用三:液晶材料,液晶是一种特殊的液态晶体或晶态液态,是液态和晶态的中间态。,由于液晶分子间的相互作用力很弱,其排列很容易受到外加电场的影响,即发生转向极化。,1888,年,奥地利莱茨尼尔发现,具有两个熔点,即在较低的温度时熔化浑浊的液体,在较高的温度时才变为澄清的液体。,液晶显示器的原理是利用电场,控制液晶分子电偶极矩的转动。,使在不同的电场下形成不同的,灰阶亮度。,44,小结,电介质的极化,电介质的基本常数,介电材料及其应用,电介质 极化形式,介电常数 介电强度 介电损耗 电介质的电导,超级电容器 铁电存储器,压电材料 热释电材料,45,

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