碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料研究进展综述.pdf

陶瓷含報Vol.44 _No.3第44卷，第3期2023年6 月D0I:10.13957/ki.tcxb.2023.03.001Journalof CeramicsJun.2023碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料研究进展综述秦刚1,2，邹顺睿，蒋龙飞1,2，许洁，单旭，刘一贺,李勉，胡芳1，周小兵，黄庆（1.宁波大学材料科学与化学工程学院，浙江宁波3152 11；2 中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进能源材料工程实验室，浙江宁波3152 0 1)摘要：碳化硅纤维增韧碳化硅(SiCr/SiC)复合材料具有优异的力学性能，以及耐高温、耐氧化、耐腐蚀、抗辐照和抗蠕变等一系列优点，在核能、航空航天、深海探测、轨道交通等诸多领域有着广阔的应用前景。从结构组成来看，SiC/SiC复合材料主要由三大结构单元组成：纤维、基体、界面相。高强度、近化学计量比、低氧含量碳化硅纤维的研制，是获得耐高温、耐氧化、抗辐照的碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料的关键。裂解碳/碳化硅多层复合界面相在航空航天领域具有较好的应用前景，新型的RE3Si2C2涂层在耐高温氧化方面具有潜在的优势，而三元层状过渡金属碳化物界面层则可能是未来制备核用SiCr/SiC复合材料的候选方案之一。而SiC/SiC复合材料的制备工艺各具优劣，针对不同的应用环境，可选择不同的制备工艺，多种制备工艺联用在制备高致密高热导力学性能优异的复合材料方面具有显著优势。此外，由于SiC/SiC复合材料难以一次成型制备出复杂形状的大尺寸构件，因此，SiC/SiC复合材料的可靠连接技术也是其走向应用必须解决的关键问题之一。针对SiCr/SiC复合材料的研究热点问题，概述了目前国内外关于SiCr、界面相、复合材料的制备方法以及连接技术等研究进展，以期为同行研究者与工程技术人员提供参考。关键词：碳化硅；纤维；碳化硅纤维增韧碳化硅复合材料；界面层；连接中图分类号：TQ174.75文献标志码：A文章编号：10 0 0-2 2 7 8(2 0 2 3)0 3-0 38 9-19Research Progress of Silicon Carbide Fiber Reinforced SiliconCarbide Ceramic Matrix CompositesQIN Gang 2,ZOU Shunrui,JIANG Longfei 2,XU Jie,SHAN Xu,LIU Yihe,LI Mian 2,HU Fang,ZHOU Xiaobing,HUANG Qing2(1.School of Materials Science and Chemical Engineering,Ningbo University,Ningbo 315211,Zhejiang,China;2.Engineering Laboratory of Advanced Energy Materials,Ningbo Institute of Materials Technology andEngineering,Chinese Academy of Sciences,Ningbo 315201,Zhejiang,China)Abstract:SiC fiber reinforced SiC ceramic composite(SiC/SiC)has been considered as promising candidate of structuralmaterials for aerospace and nuclear applications,since it has superior high temperature mechanical properties,as well asexcellent oxidation,corrosion,and irradiation resistance at high temperature.SiCf/SiC contains SiC fiber,SiC ceramic matrix,and interface between fiber and matrix on the view point of the microstructure.The development of high-strength,near-stoichiometric,low-oxygen content silicon carbide fibers is key to obtaining silicon carbide fiber-reinforced siliconcarbide ceramic matrix composites that are resistant to high temperatures,oxidation,and radiation.The crackcarbon/carbon-silicon carbide multilayer composite interface has good application prospects in the aerospace field,and thenew RE,Si2C2 coating has potential advantages in high-temperature oxidation resistance.The ternary layered transition metal收稿日期：2 0 2 2-0 7-15。基金项目：国家自然科学基金(1197 52 96,12 2 7 5337)；宁波市自然基金(2 0 2 1J199)。通信联系人：周小兵(198 2-)，男，博士，研究员；胡芳(198 8-)，女，博士，副教授。修订日期：2 0 2 2-12-2 9。Received date:2022-07-15.Correspondent author:ZHOU Xiaobing(1982-),Male,Ph.D.,Researcher;HU Fang(1988-),Female,Ph.D.,Associate professor.E-mail:;Revised date:2022-12-29.陶瓷含報2023年6 月390carbide interface layer may be one of the candidate schemes for preparing SiC/SiC composites for nuclear applications in thefuture.The preparation processes of SiC/SiC composites have their own advantages and disadvantages,and differentpreparation processes can be selected for different application environments.The combination of multiple preparationprocesses has significant advantages in preparing highly dense and thermally conductive composites.In addition,it isextremely difficult to fabricate SiCf/SiC composites with large size and complex shape.Therefore,the application of SiCf/SiCis highly dependent on a reliable joining method to assemble different simple-shaped pieces into large complex components.The research progress in SiC fiber interface,and the preparation method of SiCf/SiC composites,as well as their joiningtechnology,will be generally reviewed to provide reference for the peer scientists and engineers in this research field.Key words:SiC;fiber;SiC fiber reinforced SiC composite;interface;joining0引言碳化硅纤维增韧碳化硅(SiC fiber reinforcedSiC，SiC/SiC)复合材料有着高强度、高模量、耐高温、耐氧化、耐腐蚀、抗辐照和抗蠕变等一系列优点。其作为耐高温结构材料在航空航天、核能等领域具有十分广阔的应用前景1-4,比如用于航空发动机涡轮叶片、轻水堆核燃料包壳管的替代材料、聚变堆液态增殖剂流道材料以及核废料处理和储存的容器材料等5-6 。此外，SiCr/SiC 复合材料的组分可调，是可设计性强且性能优异的耐高温结构吸波材料7 。因此，具有结构与功能一体化的SiCr/SiC 复合材料是近年来国内外研究的热点之一。从结构组成来看，SiCr/SiC陶瓷基复合材料主要由纤维、基体，以及纤维一基体之间的界面相三部分组成。碳化硅纤维构成陶瓷基复合材料的骨架，是主要承载单元。碳化硅陶瓷基体在复合材料中主要是填充纤维预制件内部空隙，将纤维束包裹起来，连成一体，起到传递载荷及保护纤维的双重作用。界面相位于纤维与基体之间的结合处，在二者之间起到传递载荷的“桥梁”作用；此外，当裂纹扩展至中间层时，可通过裂纹偏转和界面脱粘等能量耗散机制，阻止裂纹向纤维内部扩展。因此，在SiCr/SiC复合材料的研究中主要涉及到以下几个关键问题：碳化硅纤维(SiC fiber,SiC)的制备,碳化硅纤维一基体之间的界面相，SiCr/SiC复合材料制备方法等。此外，由于SiCt/SiC复合材料难以一次成型制备出复杂形状的大尺寸构件，因此，SiCr/SiC复合材料的可靠连接技术也是其走向应用必须解决的关键问题之一。本文针对SiC/SiC复合材料的研究热点问题，简要概述了目前国内外关于SiC、界面相、复合材料制备方法以及连接技术等研究进展，以期为同行研究者与工程技术人员提供参考。1碳化硅纤维碳化硅纤维在SiC/SiC复合材料中主要起增强增韧的作用，是主要承载单元，是决定复合材料性能的关键要素之一。与氧化物纤维、碳纤维、氮化硅纤维等相比，碳化硅纤维在耐高温、耐氧化、抗蠕变等方面具有显著的优势。同时，碳化硅纤维与基体SiC具有良好的相容性，无热膨胀失配等问题。SiCr的制备方法主要包括化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)8、活性碳纤维转化法9-10 、超微细粉高温烧结法1和先驱体转化法12-13 等。CVD 法通常以钨丝或者碳纤维为模板，以CH3SiCl3硅源，在H中反应，获得含有钨芯或碳芯的碳化硅纤维。该方法制备的碳化硅纤维强度高，抗高温变性能优异，但是由于含有芯模，直径较粗，柔性差、难以编织，应用受限14。活性碳纤维转化法是以活性碳纤维为基底，与SiO气体在高温下反应，从而转化为碳化硅纤维。该方法工艺简单，但所制备的碳化硅纤维力学性能较差15。超微细粉烧结法是以碳化硅微粉与烧结助剂、纺丝助剂等混合，通过挤出纺丝，再高温烧结制得碳化硅纤维。该方法在高温烧结过程中由于有机溶剂挥发，易产生气孔，所得纤维强度较低16 。先驱体转化法最早是在197 5年由Yajima 等12 提出的，其工艺流程通常是以聚碳硅烷(Polycarbosilane，PCS)为先驱体，经过纺丝、交联固化、高温裂解、纤维烧成等一系列工艺获得碳化硅纤维，如图1所示。先驱体转化法制备碳化硅纤维具有显著的优势：首先，在分子结构设计方面，先驱体可设计性强，可引入Al、B、Zr等；其次，先驱体在高温下熔融，可纺性好，纤维直径细小，有利于后续复合材料预制件的编Spinning第44卷第3期DichlorodimethylsilaneSic fiberFig.1 Schematic diagram of SiC fiber fabricated by using precursor derived ceramic method织。此外，先驱体陶瓷化温度低，通过热解过程中的气氛调控，可控制纤维中的氧、碳等元素组成。该方法成本相对较低，已经实现工业化生产。第一代碳化硅纤维由于氧含量高达（12wt.%，且结晶性差，主要由SiC微晶(晶粒尺寸 17 0 0)，对碳化硅纤维的耐高温性能要求较高。因此，目前，基于NITE 工艺的研究主要集中在日本和美国等拥有耐高温性能更好的第三代碳化硅纤维的国家。其中，日本京都大学和美国橡树岭实验室经过多年的积累，已经基本实现SiCr/SiC复合材料的工业化生产，主要是面向服役环境极端苛刻的核能用SiC/SiC复合材料。Shimoda等6 7 以Al203、Y 2 0 3作为烧结助剂,研究了NITE工艺制备的不同PyC中间层厚度 SiCr/SiC 复合材料的力学性能。在PyC中间层厚度为2 50 nm时弯曲强度达到(78050)MPa、弹性模量为(2 47 13)GPa。我国在NITE工艺制备SiCr/SiC复合材料的研究鲜有报道，主要是以碳纤维替代碳化硅纤维，对热压烧结温度、烧结助剂等对复合材料性能的影响做了一些探索研究，包括中国科学院上海硅MeltSic/SiC composite陶瓷報2023年6 月MixinguniformHot pressed398酸盐研究所、国防科技大学、湖南大学等10 8-11。与 CVI、PI P、R M I 等工艺相比，NITE工艺直接采用结晶性良好的碳化硅粉体为基体材料，并在液相烧结助剂和10 MPa2 0 M Pa 的压力辅助下高温烧结，因此，NITE工艺制备的复合材料具有致密度高、孔隙率低、不含残余Si或C、结晶性好、热导率高、高温性能优异等优点。然而，由于需要高温和压力辅助烧结，易造成纤维损伤，导致纤维性能下降，难以制备形状复杂的器件112 O3.5电泳沉积法电泳沉积法(Electrophoretic Deposition,EPD)是近期发展出的一种高效、简单、渗透率高的SiCt/SiC复合材料制备方法，是将微米或纳米碳化硅颗粒制成高分散带电悬浊液，通过电泳作用，颗粒在电场力作用下向纤维编制件内渗透并沉积(见图11)6 8 。可在碳化硅浆料中同时添加烧结助剂，配制成浆料，经多次电泳沉积之后可在低温下获得低孔隙率碳化硅陶瓷基复合材料，这种方法还拥有不受尺寸和形状限制的优点，可制备大尺寸异形件(见图12)13-14。Gi1等6 发展了电泳沉积结合超声分散的技术，克服了沉积过程中外表面开孔堵塞的问题，并通过在碳化硅基体中添加适量的Al2O3-Y2O3-MgO作烧结助剂，在1750C 下热压烧结2 h，得到相对密度高达9 9.5%的SiCr/SiC复合材料。国防科技大学和中南大学等单位开展了电泳沉积法制备SiCr/SiC复合材料的相关工作6 911-11。其中，国防科技大学周新贵教授团队采用电泳沉积法与PIP法联用，制备了3D4dSiCr/SiC复合材料。结果显示，EPD工艺引人的碳化硅颗粒，使得EPD+PIP工艺制备的SiC/SiC复合材料热导率是PIP工艺的2.3倍。但引人碳化硅颗粒的同时也导致了纤维体积分数降低，以及界面层的破坏，造成EPD+PIP工艺制备的SiCr/SiC复合材料的弯曲强度(6 47.0 8 6 9.53)MPa与PIP工艺(98 9.6 8 7 8.10)MPa 相比下降了1/3 6 9,如图13所示。中南大学则利用电泳沉积技术在SiCt/SiC中Nano SiC powderDepositionSicfiberFig.10 Schematic diagram of the Nano-powder Infiltration and Transient EutectoidSic fabricelectrodes图11电泳沉积法制备SiCr/SiC复合材料实验装置示意图6 8 Fig.11 Schematic diagram of the EPD forpreparing SiCr/SiC composite(6s图12 韩国岭南大学制备的SiC/SiC复合材料圆管13Fig.12 SiC/SiC composite tube fabricated using EPD byYeungnum University,the Republic of Korea li4碳化硅连接技术SiCr/SiC 复合材料由于成型加工困难，难以一次成型制备大尺寸复杂形状的构件，往往需要使用连接技术将小尺寸简单形状的构件连接成大尺寸Sintering aidSic fiber/Fiber/nterfacialnterfacial layerlayer/SiC powderImpregnation andexsiccate图10 NITE工艺示意图引人了SiC纳米线（SiC Nanowires,SiCNWs），大幅提升了SiC/SiC复合材料在2 GHz18 G H z频段的吸波性能，其在15.6 GHz的反射系数约为-58.6 dB，有效吸收频带达6.13 GHz 16。Ultrasonicator0+SicsuspensionStainless steelsintering001Sic/SiccompositePower supply第44卷第3期复杂形状的构件而应用。因此，SiC/SiC复合材料的可靠连接技术是其走向工程化应用必须解决的关键技术问题之一。例如：SiCr/SiC复合材料如果用于核燃料包壳管，包壳管与端塞的连接密封技术即是呕须解决的关键技术瓶颈之一17 。对于在航空航天以及核用等极端条件下服役的碳化硅陶瓷基复合材料的连接，其本质是解决基体SiCr/SiC复合材料与连接层材料之间的界面结合问题，以及碳化硅连接结构与服役环境的相容性问题(包括耐高温、耐氧化、耐腐蚀以及耐辐照等)。其中，连接层材料的设计是关键，不仅需要考虑连接层材料本征的耐高温、耐氧化、耐腐蚀、耐辐照、力学、热学等本征特性，还需要考虑连接层材料与基体碳化硅之间的界面反应活性与热膨胀匹配。恰当的界面反应有利于获得高强度化学键合界面，而连接层与基体的热匹配则是控制界面残余热应力的关键，决定着连接结构的力学性能18 。如果连接层材料在高温连接后“消失”或者分解为SiC，实现无缝连接，将最有利于获得与基体碳化硅物理化学特性相近的连接界面，从而可有效控制连接层与基体的热匹配。国内外学者开展了大量关于SiC的连接的研(a)秦刚等：碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料研究进展综述399究工作，比较常见的连接方法有钎焊、扩散焊、Si-C反应连接、玻璃陶瓷连接、陶瓷先驱体连接、瞬态共晶相连接以及MAX相连接等119-12 3，具体如表4所示。在上述连接方法中，金属钎焊可实现碳化硅的低温无压连接，但耐高温耐腐蚀性能较差132 。扩散连接是采用活性金属为连接层，利用其在高温下与碳化硅之间的扩散反应实现连接，该方法简单易行，但缺点是易生成金属硅化物脆性相，并且中子辐照后易非晶化13-134。玻璃陶瓷连接是以 54 wt.%Si02-18.07 wt.%Al203-27.93 wt.%Y203(SAY)、6 0 w t.%Si 0 2-30 w t.%A l 2 0 3-10 w t.%MgO(SAMg)、49.7 w t.%C a 0-50.3 w t.%A l2 0 3(CA)等玻璃陶瓷为连接层材料，可实现无压连接，且连接温度较低，耐氧化性能好，是非核环境下碳化硅陶瓷连接的有效方法之一，但由于玻璃软化点较低，在高温、腐蚀及辐照等环境下的应用受到限制13-136 。Si-C 反应连接是利用Si与C之间的化学反应，获得SiC连接层。该方法理论上是有可能获得与基体碳化硅物相组成相同的无热应力的连接层界面。但在连接过程中，往往可能残留Si或者C，导致其抗腐蚀、抗氧化、耐高温(b)500m(c)interfacedissociation500m(d)deflected cracks50m图13.不使用电泳沉积的复合材料断裂截面(a)、(c)；使用电泳沉积的复合材料断裂截面(b)、（d)6 9Fig.13 Fracture surfaces(a),(c)of the composite fabricated without EPD.Fracture sections(b),50 um(d)of the composite fabricated with EPD 69陶瓷報2023年6 月表4 SiC/SiC,SiC 连接方法12 4-131Tab.4 Application of joining process of Sic/Sic,SiC composites 124-131400Joining technologyBrazingDiffusion bondingGlass-ceramicsjoiningSi-C reaction bondingCeramic precursorjoiningNITEMAX phase joining性能衰减，并且辐照肿胀(Swelling)与基体碳化硅之间存在差异而产生裂纹等缺陷137-138 。陶瓷先驱体连接是利用碳化硅陶瓷先驱体为连接层，经聚合裂解，陶瓷化后实现连接。该方法最大的挑战是难以在界面获得近化学计量比的碳化硅，常伴随有裂解碳及硅氧碳等杂相139-140 。瞬态共晶相连接技术是由美国橡树岭实验室Katoh等开发的，最早用于碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的制备中117.141。该方法是采用纳米碳化硅粉体以及10 vol.%左右的Al203-Y203烧结助剂作为连接层材料，在18 0 0 C以上连接碳化硅。该方法是目前核用碳化硅连接有效方法之一，但由于大量氧化物烧结助剂的加入在核能极端环境下易产生缺陷。同时，较高的连接温度有可能造成复合材料中纤维结构破坏而失效。MAX相(主要有TisSiC2、T i s A I C2 等)具有优异的耐高温、耐腐蚀和耐辐照性能，被认为是SiC陶瓷连接的优选材料之一。美国橡树岭实验室、日本东京大学、韩国岭南大学与韩国原子能研究所、欧洲(英国伦敦玛丽皇后大学与斯洛伐克科学院为代表)均开展了 MAX相连接碳化硅的工作142-148 。中国科学院宁波材料技术与工程研究所以TisSiC2和SiCw/TisSiC2流延膜为连接层材料，采用电场辅助连接技术，实现了SiC陶瓷的连接146.14,然而,由于基体 SiC(CTE:4.510 K-)与连接层 TisSiC(CTE：9.2 10-K-)之间存在较大的热失配148 ，连接层TisSiC2受到拉应力的作用，会在界面产生贯穿连接层的裂纹见图JoiningInterlayertemperature/CSi/16Ti(at.%)1330Si-44Cr(at.%)1420-1440Cu/TiCu/Ti/MoY203-Al203-SiO2C+Si+SiO2Polymethylsilane(V-PMS)+B4CSiC+Y203-Al203-SiO02TiSiC2Bendingstrength/MPa100013751600200-12001400-19001250-160014(a)，从而导致力学性能下降以及嬉变气体泄漏等问题。为了缓解界面热应力，该团队还设计出TiC(CTE:7.710-K-l)/TisSiC2全碳化物梯度连接层149-150 ，以及与SiC热膨胀系数较接近的Al4SiC4(CTE:6.210-k-)连接层材料151,在一定程度上缓解了界面热应力。同时，Al4SiC4材料具有良好的高温力学性能，其高温弯曲强度比室温弯曲强度高50%152 。并且Al4SiC4高温氧化性能优异，在高温氧化时，表面可形成致密的氧化铝和莫来石保护膜，可抑制其内部进一步的氧花U3-154。同时，A1l.SiC.还具有较强的耐腐蚀性能和耐辐照性能，与碳化硅相近。因此，Al4SiC4材料作为碳化硅的连接层材料具有广阔的应用前景。虽然梯度连接层和低应力连接层的设计在一定程度上缓解了界面热应力，但仍然与基体SiC之间存在一定的热失配,会在界面产生裂纹，而导致变气体泄漏以及力学性能下降等问题。为了从根本上解决连接层材料与基体碳化硅之间的热失配问题，以及连接层材料本征的极端环境服役性能不足等问题，中国科学院宁波材料技术与工程研究所打破高温不稳定相不宜作为连接层材料的常规思想，创造性地提出以“牺牲相”RE3Si2C2(RE为稀土元素）为连接层，利用RE3SizC2与SiC的低温共晶反应形成液相，可促进界面析出SiC和基体SiC的一体化烧结，并可在压力的辅助下通过挤出机制实现了SiC的无缝连接见图14(b)】15-156 。近期，该团队根据Yb-Si-C计算相图157 ，利用Yb;Siz2C2和SiC可Shearstrength/MPa71.0 10.066.0 20.050.0-76.014946566Ref.124 125 126 127 128 50.8 5.6129 120.0130 131 第44卷第3期在约12 7 5C的温度下发生共晶反应转变为液相的特点，又发展出低熔点的Yb膜为初始连接层，采用电场辅助连接技术，利用界面原位反应形成Yb3Si2C2，在130 0 150 0 实现了SiC陶瓷的无缝连接见图14(c),所得碳化硅无缝连接结构的弯曲强度可达 2 57 MPa156。该团队还将该连接层材料设计方法拓展至碳化硅陶瓷基复合材料连接领域，采用熔盐法制备Y3Si2C2和(a)秦刚等：碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料研究进展综述Ti,Sic,(b)裂纹401Pr:SicC,11S8-159,利用电场辅助连接技术，分别在16 0 0 和150 0 实现了C/SiC的无缝连接(见图 15)16 0-16 1。碳化硅陶瓷基复合材料无缝连接的实现，有望从根本上解决传统连接层材料与基体 SiC 之间的热失配等关键问题，将为大尺寸、复杂形状的碳化硅陶瓷基复合材料型号部件的制备提供支撑，并促进碳化硅陶瓷基复合材料在航空航天以及核能等重要战略领域的应用。Y,Si,C,1900(c)Yb,Si,C,130030m图14、通过不同连接填料连接的SiC接头的SEM图像：(a)TisiC,148；(b)Y y Si z C,15;(c)Y b s Si 2 C,157 Fig4msothjons jnwidntjongflle)(a)155030m(b)160030m(c)1650interface50m图15使用Y:Si2C2作为中间层在不同温度下近乎无缝连接C/SiC接头的SEM图像1158 Fig.15 SEMimages ofthe near-seamlessCicjoints joined at different temperatures withYSiC as interlayer ls5结语与展望SiCr/SiC复合材料具有优异的高温力学、抗氧化、耐腐蚀、耐中子辐照，且导热性能优异，是航空航天、核能等重要国防领域的关键战略材料之一。碳化硅纤维、纤维表面涂层、复合材料制备技术以及连接等技术的突破是其走向民用领域的关键。碳化硅纤维研发是复合材料耐高温、耐氧化、耐辐照性能的重中之重，近化学计量比、低氧含量、高熔点元素掺杂等是未来重点研究方向之一。裂解碳、氮化硼、碳化硅及其复合涂层在高温非核领域SiCr/SiC复合材料的应用中发挥了关键作用，RE3SizC2涂层在耐高温氧化方面具有显著优势，MAX相界面层则可能是未来核用SiCf/SiC复合材料制备的候选方案之一。CVI工艺已经在法国实现工业化生产，在大型薄壁复杂形状构件的制备上优势明显，针对薄壁管结构件，50 mPIP加CVI的方法可能更具优势，NITE工艺在制备规则形状的叠层板材是优选方案之一，而电泳沉积法在不规则形状的构件制备上可能是潜在的发展方向之一。SiCr/SiC 复合材料的连接技术是制备大型复杂构件以及走向工业化应用必须解决的关键技术之一，无缝连接技术有望从根本上解决传统连接层材料带来的热、力、辐照损伤等问题，是未来重点发展方向之一，但其工程化技术的研究仍需探索。参考文献：1 SNEAD L L,NOZAWA T,KATOH Y,et al.Handbookof SiC properties for fuel performance modeling J.Journal of Nuclear Materials,2007,371(1):329-377.2 SNEAD L L,NOZAWA T,FERRARIS M,et al.Siliconcarbide composites as fusion power reactor structuralmaterials J.Journal of Nuclear Materials,2011,417(1):330-339.50 m陶瓷報2023年6 月4023 KATOH Y,OZAWA K,SHISH C,et al.ContinuousSiC fiber,CVI SiC matrix composites for nuclearapplications:Properties and irradiation effects J.Journal 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