间歇振荡器工作原理.doc

间歇振荡器工作原理
晶体管工作于共发射极方式, 其集电极电压通过变压器T反馈回基极, 而变压器绕组的接法应实现正反馈。 当电路一接通, 立即产生强烈的自激振荡, 晶体管迅速进入饱和工作区, 集电极电压uce达到饱和电压0.3V左右。该正反馈过程对应脉冲上升沿。时间很短,因此上升沿很陡。当晶体管进入饱和区后, ib就失去了对ic的控制作用。 但ic仍可稍有增大, 因为变电器的电感(磁通)使ic不能突然停止增长。ic的继续增长(但小得多)使变压器绕组上维持感应电压, 极性不变, 但同时基极电容CB被充电, 所以基极电压ube在下降。ube的下降使基极电流ib减小。 这个过程需要一定时间, 对应于脉冲的平顶阶段。
当ib减小到ic /β时, 晶体管又进入放大状态, 于是ib的减小引起ic的减小, 造成变压器绕组上感应电动势方向的改变, 这一改变的趋势进一步引起ib的下降。 如此又开始强烈地循环, 直到晶体管迅速地改变成截止状态。 这个过程也很快, 它对应脉冲的下降沿。 在这个过程结束时, 变压器上的压降方向与图1(a)中标的方向相反, 并且很大, 因此ube变成一个很负的负值。
当晶体管截止后, ic =0。但变压器中的磁通不能立即消失, 这些储藏的能量通过集电极分布电容(和变压器的电感)形成高频谐振, 造成反峰。 这些高频振荡被变压器耦合到基极去, 基极承受反向电压的能力低, 故往往在绕组两端并上二极管来衰减振荡。 常用2AP9型锗二极管作为阻尼二极管。
晶体管截止后, 振荡器进入休止阶段。 此时电容CB通过RB、RW和电源放电, 由于RC时间常数大, 这个过程是较慢的。 放电时ube逐渐上升, 当ube升到0.6V左右时, 晶体管重新开始导通, 于是下一周期开始, 重复上述各阶段。
间歇振荡器的计算是很复杂的。平顶阶段时间T1与变压器磁化电流、 电感量和基极RC时间常数等有关, 间歇时间T2与RC放电时间常数有关。 振荡周期T= T1 + T2 。实际电路中发射极还接有ReCe, 它的充、放电也起作用。这里不再详细讨论。 应当指出的是变压器工作在脉冲状态, 所以是脉冲变压器。
从上述各阶段的工作情况可知, 基极电路中接上可调电位器RW可以改变充放电时间常数, 因此改变了振荡周期。

间歇振荡器工作原理
作者： | 出处：维库开发网 | 2010-10-11 11:01:34 | 阅读 438 次
间歇振荡器工作原理,在图1(a)中, 晶体管工作于共发射极方式, 其集电极电压通过变压器T反馈回基极, 而变压器绕组的接
在图1(a)中, 晶体管工作于共发射极方式, 其集电极电压通过变压器T反馈回基极, 而变压器绕组的接法应实现正反馈。 当电路一接通, 立即产生强烈的自激振荡, 晶体管迅速进入饱和工作区, 集电极电压uce达到饱和电压0.3V左右。该正反馈过程对应脉冲上升沿。时间很短,因此上升沿很陡。见图1(b)。当晶体管进入饱和区后, ib就失去了对ic的控制作用。 但ic仍可稍有增大, 因为变电器的电感(磁通)使ic不能突然停止增长。ic的继续增长(但小得多)使变压器绕组上维持感应电压, 极性不变, 但同时基极电容CB被充电, 所以基极电压ube在下降。ube的下降使基极电流ib减小。 这个过程需要一定时间, 对应于脉冲的平顶阶段。

图1
当ib减小到ic /β时, 晶体管又进入放大状态, 于是ib的减小引起ic的减小, 造成变压器绕组上感应电动势方向的改变, 这一改变的趋势进一步引起ib的下降。 如此又开始强烈地循环, 直到晶体管迅速地改变成截止状态。 这个过程也很快, 它对应脉冲的下降沿。 在这个过程结束时, 变压器上的压降方向与图1(a)中标的方向相反, 并且很大, 因此ube变成一个很负的负值。
当晶体管截止后, ic =0。但变压器中的磁通不能立即消失, 这些储藏的能量通过集电极分布电容(和变压器的电感)形成高频谐振, 造成反峰。 这些高频振荡被变压器耦合到基极去, 基极承受反向电压的能力低, 故往往在绕组两端并上二极管来衰减振荡。 常用2AP9型锗二极管作为阻尼二极管。
晶体管截止后, 振荡器进入休止阶段。 此时电容CB通过RB、RW和电源放电, 由于RC时间常数大, 这个过程是较慢的 放电时ube逐渐上升, 当ube升到0.6V左右时, 晶体管重新开始导通, 于是下一周期开始, 重复上述各阶段。
间歇振荡器的计算是很复杂的。平顶阶段时间T1与变压器磁化电流、 电感量和基极RC时间常数等有关, 间歇时间T2与RC放电时间常数有关。 振荡周期T= T1 + T2 。实际电路中发射极还接有ReCe, 它的充、放电也起作用。这里不再详细讨论。 应当指出的是变压器工作在脉冲状态, 所以是脉冲变压器。
从上述各阶段的工作情况可知, 基极电路中接上可调电位器RW可以改变充放电时间常数, 因此改变了振荡周期。

(变形)间歇振荡器  
2008-04-15 22:27:35  分类： 电子 |  标签： |字号大中小 订阅
间歇振荡器是利用脉冲变压器和单级放大器组成强正反馈的振荡器。其特点是，输出矩形脉冲宽度窄，占空比大，效率高。 
间歇振荡器可分为它激式和自激式两种。通常用作脉冲的产生和整形，本节只讨论自激式间歇振荡器。 
共射极自激间歇振荡电路如图Z1630所示。 

波形如下: 

Tγ为脉冲变压器，用于传输脉冲信号，其工艺结构比普通变压器要求高。Rb、C为定时元件，决定振荡频率，D为阻尼二极管。输出脉冲的形成可以分为以下四个阶段。 
变形间歇振荡器，是一般间歇振荡电路的改进电路。其特点在于用一个自耦变压器代替一般的传输变压器产生正反馈而形成振荡。电路原理图如图Z1632所示， 

其振荡过程如下： 
1．前沿阶段:当接通电源后，发射结正偏产生ib和ie。ie流经L1，在L1两端产生上正下负的感
应电势e1，同时在L2两端也产生上正下负的感应电势e2。由于C1两端电压不能突变，因而，e2负
端直接加在T管基极，使ib增大，ie 进一步增大，从而再次增大了L2 两端感应电势e2，形成强烈的
正反馈，使T管迅速饱和，集电极电流ic，流经Rc,形成脉冲的前沿。 
2．平顶阶段:T管饱和后，L2两端电势e2就分别对C1、C2充电，一路是通过Re对C2充电，一路是通过Re和T管发射结电阻rbe对C1充电。在充电过程中，c1两端电压逐渐增大，充电电流减少。当Ib=Ic/Hfe时，T管退出饱和区，进入放大区，平顶阶段结束。平顶阶段的持续时间决定于c1的容量和对C1充电的速度。 
3．后沿阶段:当T管退出饱和区进入放大区后ib进一步减小，因而在L2两端的感应电压极性为上负下正，从而使ib进一步减小。这种强烈地正反馈过程使T管迅速截止，Rc两端输出电压为零，这就形成了输出电压的下降沿（后沿）。 
4．问歇阶段:T管截止后，电源EC通过L1、L2、Rb 对电容C1反向充电，使基极电位降低。另一方面，L2两端电压（上负下正）对C2反向充电，L2、C2组成振荡回路，C2两端电压按正弦规律变化。当T管基极电压达到起始导通电压时，T管导通，间歇阶段结束。此后又重复上述各过程，产生间歇振荡。 
这种电路结构简单，振荡频率稳定，广泛运用于电视机的行振荡电路中。

间歇振荡器
间歇振荡器是利用脉冲变压器和单级放大器组成强正反馈的振荡器。其特点是，输出矩形脉冲宽度窄，占空比大，效率高。间歇振荡器可分为它激式和自激式两种。通常用作脉冲的产生和整形，本节只讨论自激式间歇振荡器。
共射极自激间歇振荡电路如图Z1630所示。Tγ为脉冲变压器，用于传输脉冲信号，其工艺结构比普通变压器要求高。Rb、C为定时元件，决定振荡频率，D为阻尼二极管。输出脉冲的形成可以分为以下四个阶段
1．前沿阶段
当接通电源后，T管导通,产生ib、ic电流。ic流经L1时，产生上端为正的感应电压，同时，经变压器耦合，在L2产生基极端为正的感应电压，使基极电位生高，ib进一步增大且经T管放大，从而使ic进一步增大，形成强烈正反馈,结果使T管迅速饱和,输出电压Uo＝UCES，接近为零,形成输出脉冲的前沿。
2．平顶阶段
T管饱和后，正反馈过程结束，流经L1中的电流近似线性增大，与此同时，L2中的感应电压极性、大小不变，并经发射结给电容C充电，充电常数为（因为Rb"rｂｅ），随着充电的进行，电容两端电压增大，基极电位逐渐降低，ib减小，从而使ic减小，直到时，T管脱离饱和区,进入放大区,平顶阶段结束。显然,输出脉冲宽度tk由充电时间常数rbeC决定。
3．后沿阶段
T管进入放大区后，ib继续减小，ic亦相应减小，从而在L１感应出上端为负的感应电压，经变压器耦合，在L2上感应出基极端为负的电压，使基极电位进一步降低，ib进一步减小，促使Iｃ更小，形成强烈正反馈，其结果使T管迅速截止，形成脉冲的后沿。由于T管由导通到截止的时间极短，因而电流ic的变化率极大，故在L1上感应出很高的反冲电压，使T管集电极电位大大升高。同时，在基极上产生很高的负压。图中二极管D用来抑制反冲电压以防止晶体管击穿。
4．间歇阶段
T管截止后，电容C两端充电电压为上负下正,使基极反偏,维持T管截止。同时，电容C通过Rb、Ec放电，由于放电时间常数Rbc很大，故放电电流变化缓慢，L２上感应电压极小，可忽略不计。因此，基极电位由负按指数规律上升并趋向+Ec,当基极上升到起始导通电压时，三极管再次导通。此后周而复始，从而产生自激振荡。显然，间歇时间与放电时间常数Rbc有关。计算间歇时间tb的近似公式为。式中ｎ为变压器的变比。因为tb 》tk，间歇振荡器周期为:。
上式表明，调节Rb和C值，可改变振荡周期T。输出电压、电流波形如图T1631所示。这种电路结构简单，调节方便。它主要应用在电视机的场振荡电路中。
免费考研网

间歇式振荡器
上传者：卤煮火烧  浏览次数:619 分享到：  开心网 人人网 新浪微博 EEPW微博
　　下图是一种间歇式振荡器，可作简易报信器，如门铃等。
　　图中555连接成音频振荡器，其特点是在电源中串入电位器W。刚按下开关AN接通电源时，C1上电位高，振荡强，但是随着消耗电流增大，在W上的电压降也增大，当W上的压降增大到约2V时，555停振，电源电流减小，接着又给C1充电，使555电源上升，于是电路又振荡，以后重复上述过程。结果，扬声器就发出间歇的鸣叫声。W阻值约400Ω左右。

用LED对手电筒进行改进
2011-05-08 11:00:47 来源:互联网
这里描述的电源把电压从一节手电筒电池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同时用电源把LED和手电筒电池串联起来。设计这种电路是为了用LED对手电筒进行改进。增压电路在有两节电池的手电筒中将代替的一节电池，LED装置则代替白炽灯(见图1)。

结果是，仅用一节手电筒电池，LED手电筒就可以用很长时间。该设计最大的难点是：当电源只有一端与电池相连而另一端与白炽灯相连时，提高电压。
图2所示的电源电路要靠一个窍门来工作。在LED装置中，有一个与LED相连的二极管，以便当电源吸收电流时，电流也通过该二极管。在这期间，LED是反向偏置的。经过一段很短的时间，电源停止吸收电流而转向供电，这样LED处于正向偏置状态。
“工作部分”是一个间歇振荡器，这个振荡器采用两个晶体管而不是通常的一个晶体管。当晶体管导电时，PNP型晶体管将电感的一端与电源正极相连，NPN型晶体管将电感的另一端与电源负极相连。电流一直在电感中积累直到一个晶体管饱和为止。基极电压的翻转使得两个晶体管迅速截止。
当两个晶体管截止，以及电感线圈中的电压随着电流流过电感而反向之后，电感通过二极管D1和D2释放电流。结果，原是正极的一端现在通过D2与电池负极相连，使得电感发生翻转。另外，原是负极的一端通过D1与电池正极相连。当电路振荡时，电感不断地在这两种连接状况(电流通过晶体管积累以及通过D1和D2释放)中变化。
4.7千欧的电阻可以地与LED并联而稍微降低导通启电压。在原来的设计中，导通电压从大约1.3伏降到小于1.1伏。这是很有意义的，因为一节新的碱性手电筒电池放电到1.1伏所需时间很可能就是其放电到1.3伏所需时间的两倍。
与2N4401相连的100千欧电阻是用来保证总有足够的漏极电流而使晶体管导通，从而启动振荡器。电感是用连续＃32单股磁性金属线在铁氧体软磁性材料TC8.2/3.7/4-3E7环形磁心上绕45匝制成的。在15和30匝处分别有抽头，这样构成每部分15匝的三个部分。振荡频率在1.6伏电池电压时是17kHz。
(本文转自电子工程世界：

行振荡器
 行振荡器的任务是产生频率为15625Hz、幅度在2～3V的矩形脉冲，以推动行激励级和行输出级，使它们工作在开关状态。
行输出级要求在64μS的行扫描周期内，有18μS～20μS的截止期，44μS～46μS的导通期，行振荡器产生的矩形脉冲应满足这个要求。另外，行振荡器应是一种压控制振荡器（VCO），其振荡频率和相位受AFC电路输出的控制电压的影响，在行振荡器的输入端设有稳频电路，以提高行同步的稳定性。
一、间歇振荡器工作原理
在图8-9(a)中，晶体管工作于共发射极方式，其集电极电压通过变压器T反馈回基极，而变压器绕组的接法应实现正反馈。当电路一接通，立即产生强烈的自激振荡，晶体管迅速进入饱和和工作区，集电极电压uoe达到饱和电压0.3V左右。该正反馈过程对应脉冲上升沿。时间很短，因此上升沿很陡。见图8-9(b)
当晶体管进入饱和区后，ib就失去了对ic的控制作用。但ic仍可稍有增大，因为变压器的电感（磁通）使ic不能突然停止增长。ic的继续（但小得多）使变压器绕组上维持感应电压，极性不变，但同时基极电容CB被充电，所以基极电压ube在下降。ube的下降使基极电流ib减小。这个过程需要一定的时间，对应于脉冲的平顶阶段。
当ib减小到ib/β时，晶体管又进入放大状态，于是ib的减小引起ic的减小，造成变压器绕组上感应电动势方向的改变这一改变的趋势进一步引起Ib的下降。如此又开始强烈地循环，直到晶体管迅速地改变成截止状态。这个过程也很快，它对应脉冲的下降沿。在这个过程结素时，变压器上的压降方向与图8-9(a)中标的方向相反，并且很大，因此ube变成一个很负的负值。
当晶体管截止后，Ic=0。但变压器中的磁通不能立即消失，这些储藏的能量通过集电极电极分布电容（和变压器的电感）形成高频谐振，造成反峰。这些高频振荡被变压器耦合到基极去，基极承受反向电压的能力低，故往往在绕组两端并上二极管来衰减振荡。常用2AP9型锗二极管作为阻尼二极管。
晶体管截止后，振荡器进入休止阶段。此时电容CB通过RB、Rw和电源放电，由于RC时间常数大，这个过程是较慢的。放电时ube逐渐上升，当ube升到0.6V左右时，晶体管重新开始导通，于是下一周开始，重复上述各阶段。
间歇振荡器的计算是很复杂的。平顶阶段时间T1与变压器磁化电流、电感量和基极RC时间常数等有关，间歇时间T2与RC放电时间常数有关。振荡周期T=TI+T2。实际电路中发射极还接有ReCe，它的充、放电也起作用。这里不再详细讨论。应当指出的是变压器工作在脉冲状态，所以是脉冲变压器。
从上述各阶段的工作情况可知，基极电路中接上可调电位器Rw可以改变充放电时间常数，因此改变了振荡周期。

二、行间歇振荡器
图8-10（a）是一个变压器耦合的行间歇振荡器，图8-10(b)是其简化电路。该振荡器的工作原理与前述的间歇振荡器原理相同，不再重复。区别只是由于行频高，所以基极或发射极定时回路的时间常数比较小；另外为提高行同步的稳定性，行振荡器常设有稳频电路。

下面讨论图8-10(b)所示的行间歇振荡器中，由电感L、电容C、与电阻R组成的稳频电路的作用。
1.不加稳频电路
振荡器的基极电压ub波形如图8-11(a)所示，ub0为基极导通的正向偏置电压。在t1—t2期间，晶体管导通；在t.>t2时晶体管截止。当t=t3时，ub上升至ub0，晶体管再由截止变导通。
2.加稳频电路
由于L、C组成一个LC振荡回路，并且接在行振荡器基极电路中，因此，当电源接通时，LC回路由于电压激励产生正弦振荡，这个振荡叠加在具有指数放电规律的基极电压上，使ub的波形如图8-11(b)所示。稳频电路中的L、C决定了正弦振荡的频率和相位，R是阻尼电压，它影响LC回路的Q值，决定了正弦振荡的振幅。如果改变稳频电路的参数，则ub的幅度与相位也随之改变。
由于晶体管的导通电平是会随温度变化等原因发生改变的，当外界因素使ub0产生其变化量的变化时，如果没加入稳频电路，振荡管由截止变导通的时间将提前t1的变化量，而加入稳频电路后，则时间将提前t2的变化量，显然Δt2 <Δt1。这表明稳频电路减少了外界因素对行振荡周期的影响，提高了行振荡器的频率稳定度。同时，稳频电路还可以提高振荡器的抗干扰能力，如图8-11(c)所示。当具有一定幅度的干扰脉冲叠加在基极电压上时，如果没有加稳频电路，脉冲电压会超过ub0，而使振荡管错误导通，加入稳频电路后，干扰脉冲就不能起作用了。
3．  变形间歇振荡器
前述的稳频电路缺点是比较复杂，如果振荡变压器及其元件的参数离散性较大时，调试工作也麻烦，不利于大批量生产。目前绝大多数分立元件电视机的行振荡器都采用变形间歇振荡器，优点是电路结构比较简单，频率稳定度高。

图8-12是变形间歇振荡器的典型电路，行振荡线圈L是在塑料骨架上饶制的自耦变压器，变压器磁芯是由铁氧体材料制成的螺纹磁芯，旋转插在磁芯中的方孔里的塑料调节杆，可以使磁芯在线圈中的位置移动，起到改变线圈电感量的作用。线圈绕组L1和L2分别为400～500匝和200～300匝。

基极偏置电压由Ec经R6、R7、Vd、R5、R4供给，来自鉴相器的误差电压EAFC也加在基极，控制振荡器工作，C2为稳频电容。对变形间歇振荡器的工作原理不多介绍，只给出其工作波形如图8-13所示。

4．行振荡器的电压控制特性
为了提高行扫描电路的抗干扰能力，采用锁相技术，即把行输出的信号与输入的外来同步信号相比较，由AFC电路根据两者的相位差输出一个误差信号电压，从而控制行振荡器的频率和相位。但是要使锁相环路能够锁定于外来同步信号的频率上，将决定于这个环路捕捉信号的能力和捕捉范围（又叫引入范围）。
锁相环路的捕捉范围是：当环路的压控振荡器为f0时，只要外来信号的频率f介于f1p～f2p之间（f1pH的范围叫捕捉范围；当电视机已处于同步状态时，慢慢改变行频fH，在失去同步之前能够保持同步的fH范围叫保持范围。由于电视机中设有行频自动控制（AFC）电路，所以它的行频保持范围大于捕捉范围。如图8-14所示。如果没有AFC系统，则电视机的行频捕捉范围和保持范围是相同的。我国广播电视接受机的标准规定，甲级和乙级电视机的行同步捕捉范围分别为不小于±400Hz和±200Hz，行同步的保持范围分别为不小于±800Hz和±400Hz。

由于行振荡器是压控振荡器，要求AFC系统在行同步捕捉范围内给出不同的误差电压来控制行振荡器的频率。将行振荡器频率变化值与控制电压变化值之比叫做压控振荡器的压控灵敏度β，电脑为是Hz/V。
β=△fH /△EAFC
式中
△fH-----压控振荡器的频率变化值；
 △EAFC -----输入的控制电压变化值。
在电路中，压控灵敏度越高越好，但为了提高振荡器的抗干扰能力而采用的稳频措施又使压控灵敏受到限制，所以压控灵敏β一般在1000～2000Hz/V。此外，改变压控振荡器的直流偏置，也可以改变其振荡频率。振荡频率与直流偏置的关系是：
           T=Rb*Cb*ln(1+Ec/Eb)
式中
           T——振荡周期（S）
           Rb——振荡充放电贿赂的等效电阻；
           Cb——振荡器充放电回路的等效电容；
           Ec——晶体管集电极电源电压；
           Eb——晶体管基极等效的电源电压。