合成条件对In2O3纳米线阵列结构及气敏性能的影响.pdf

用S B A-1 5硬模板复制技术在不同温度下制备具有纳米线阵列结构的I n2O3系列样品.利用X射线衍射仪、场扫描电子显微镜和紫外可见光光度计对样品的晶体结构、晶粒尺寸、晶胞参数、形貌及带隙宽度等进行表征,并测试分析样品对乙醇气体的气敏性能.结果表明:样品均为球形纳米I n2O3晶粒有序排列生长组成的三维纳米线阵列结构;随着烧结温度的增加,样品的晶粒尺寸和纳米线直径增大,纳米线间距减小;当烧结温度为4 5 06 5 0 时,样品的晶胞参数和带隙宽度随烧结温度的增加分别呈增大和减小趋势;当乙醇气体质量浓度为11 0-4m g/L,测试温度为3 2 0时,4 5 0烧结I n2O3样品的灵敏度最大为5 0.5 9.关键词:纳米线阵列;模板复制技术;介孔结构;气敏性能中图分类号:T B 3 8 3 文献标志码:A 文章编号:1 6 7 1-5 4 8 9(2 0 2 3)0 4-0 9 5 0-0 7E f f e c t so fS y n t h e s i sC o n d i t i o n so nS t r u c t u r ea n dG a s-S e n s i n gP r o p e r t i e so f I n2O3N a n o w i r eA r r a y sYANGY a n1,GONGJ i e1,2,S UN H a o1,WANGX i n q i n g3(1.C o l l e g e o fM e c h a n i c a la n dE l e c t r i c a lE n g i n e e r i n g,C h i n aJ i l i a n gU n i v e r s i t y,H a n g z h o u3 1 0 0 1 8,C h i n a;2.C o l l e g e o fM o d e r nS c i e n c ea n dT e c h n o l o g y,C h i n aJ i l i a n gU n i v e r s i t y,H a n g z h o u3 1 0 0 1 8,C h i n a;3.C o l l e g e o fM a t e r i a lS c i e n c ea n dE n g i n e e r i n g,C h i n aJ i l i a n gU n i v e r s i t y,H a n g z h o u3 1 0 0 1 8,C h i n a)收稿日期:2 0 2 2-0 5-0 5.第一作者简介:杨 燕(1 9 9 4),女,汉族,硕士研究生,从事气敏材料合成和性能的研究,E-m a i l:1 0 9 6 0 4 1 1 6 1q q.c o m.通信作者简介:宫 杰(1 9 6 4),男,汉族,博士,教授,从事纳米功能材料合成、结构和性能的研究,E-m a i l:j l s f d x g j 1 6 3.c o m.基金项目:国家自然科学基金(批准号:5 1 1 7 2 2 2 0).A b s t r a c t:W eu s e dS B A-1 5h a r dt e m p l a t er e p l i c a t i o nt e c h n o l o g yt op r e p a r eI n2O3s e r i e ss a m p l e sw i t hn a n o w i r e a r r a ys t r u c t u r e sa td i f f e r e n t t e m p e r a t u r e s.T h ec r y s t a l s t r u c t u r e,g r a i ns i z e,u n i tc e l lp a r a m e t e r s,m o r p h o l o g ya n db a n dg a pw i d t ho f t h es a m p l e sw e r ec h a r a c t e r i z e db yX-r a yd i f f r a c t o m e t e r,f i e l ds c a n n i n ge l e c t r o nm i c r o s c o p ea n dUV-V i ss p e c t r o p h o t o m e t e r,a n dt h eg a ss e n s i t i v i t yo f t h es a m p l e s t oe t h a n o lg a sw a s t e s t e da n da n a l y z e d.T h er e s u l t ss h o wt h a tt h es a m p l e sa r ea l l t h r e e-d i m e n s i o n a ln a n o w i r ea r r a ys t r u c t u r e s f o r m e db yt h eo r d e r l ya r r a n g e m e n t a n dg r o w t ho f s p h e r i c a ln a n oI n2O3g r a i n s.W i t ht h e i n c r e a s eo f s i n t e r i n gt e m p e r a t u r e,t h eg r a i ns i z ea n dn a n o w i r ed i a m e t e ro f t h es a m p l e s i n c r e a s e,a n dt h en a n o w i r es p a c i n gd e c r e a s e s.T h eu n i t c e l l p a r a m e t e r sa n dt h eb a n dg a pw i d t ho f t h es a m p l e ss h o wa n i n c r e a s i n ga n dd e c r e a s i n gt r e n dr e s p e c t i v e l yw i t ht h e i n c r e a s eo f s i n t e r i n gt e m p e r a t u r e i nt h er a n g eo f s i n t e r i n gt e m p e r a t u r e f r o m4 5 0t o6 5 0.Wh e nt h em a s sc o n c e n t r a t i o no f e t h a n o l g a s i s11 0-4m g/La n dt h et e s tt e m p e r a t u r ei s3 2 0,t h es e n s i t i v i t yo ft h eI n2O3s a m p l es i n t e r e da t4 5 0i s t h em a x i m u mo f 5 0.5 9.K e y w o r d s:n a n o w i r ea r r a y;t e m p l a t er e p l i c a t i o nt e c h n o l o g y;m e s o p o r o u ss t r u c t u r e;g a s-s e n s i n gp r o p e r t y随着经济的发展与生活水平的提高,人们的安全意识不断增强,环保问题已引起人们广泛关注1,由于气敏传感器可对环境气体质量进行监控分析,因此在环境监测领域应用广泛2-3,根据不同反应原理可分为半导体式、固体电解质式、接触燃烧式、电化学式和高分子式4-8等气敏传感器,其中氧化物半导体气敏传感器具有成本低、稳定性高和易携带等优点9.氧化物半导体材料是气敏传感器的核心,直接影响传感器的检测质量和使用性能1 0.根据载流子类型,氧化物半导体材料分为n型(I n2O31 1,S n O21 2,Z n O1 3)和p型(C u O1 4,N i O1 5,C O3O41 6)两种.I n2O3作为一种典型的n型半导体气敏材料,具有较宽的禁带宽度、较高的电导率和良好的气敏性能1 7-1 9.目前已制备多种形态和尺寸的纳米I n2O3,如纳米颗粒2 0、线状结构2 1、花状结构2 2、片状结构2 3、管状结构2 4、中空结构2 5、介孔结构2 6和分级结构2 7等.通过调节纳米材料的微观形貌和尺寸可进一步改善并提升材料的气敏性能.介孔纳米材料具有较大的比表面积和规则的多孔结构,可有效促进气体分子的传输扩散,并为气体分子与材料表面吸附-脱附提供更多的反应活性位点,因而表现出良好的气敏性能.Z h u等2 8用溶剂热法合成了具有高单分散性、平均尺寸约为9 0n m和孔径约为24n m的介孔I n2O3纳米球样品,对11 0-4m g/L乙醇的灵敏度响应值可达2 9.6,明显优于相同尺寸的粉末样品.利用S B A-1 5硬模板复制技术制备样品的纳米形态相同,且去除模板后的孔壁有序度较高2 9,有利于吸附-脱附气体.基于此,本文用该方法合成I n2O3,并通过控制烧结温度获得4个具有相同纳米形态但晶粒尺寸不同的I n2O3样品.通过对比研究,分析烧结温度导致材料纳米微结构形态及有序度变化对气敏性能的影响.1 实 验实验试剂P E O-P P O-P E O(P 1 2 3),HC l(水溶液),C8H2 0O4S i(四乙氧基硅烷,T E O S),I n(NO3)3,N a OH,CH3CH2OH,C6H1 4(正己烷)均为分析纯试剂,且使用前未经进一步纯化.S B A-1 5硬质模板合成:按比例将C8H2 0O4S i滴入聚醚P 1 2 3和盐酸的混合溶液中,在4 5水浴下恒温搅拌后静置2 4h;将所得混合物转移至高压反应釜并置于烘箱中,于1 3 0反应2 4h;将所得反应物经抽滤、洗涤、干燥后置于马弗炉中,5 5 0焙烧6h,最终得到S B A-1 5模板.I n2O3-x(x=3 5 0,4 5 0,5 5 0,6 5 0)样品的合成:按比例将I n(NO3)3和S B A-1 5模板同时与乙醇混合,于4 5恒温水浴搅拌至干燥后加入相应的正己烷继续搅拌至干燥;将干燥后的样品置于马弗炉中分别经3 5 0,4 5 0,5 5 0,6 5 0焙烧2h;将焙烧后的样品置于8 0浓N a OH溶液中,1 00 0 0r/m i n离心去除模板;对离心后的沉淀物进行洗涤、干燥后即可得到样品I n2O3-x粉末.用s m a r t L a b型X射线衍射仪(日本R i g a k u公司)测试分析样品的晶体结构,C u-K 线,管流为4 0mA,管压为4 0k V,步长为0.0 2,测试速度为2/m i n;用S U-8 0 1 0型扫描电子显微镜(日本日立公司)测试分析样品的微观形貌;用UV-2 6 0 0型紫外可见近红外分光光度计(日本S H I MA D Z U公司)分析样品的带隙宽度.气敏元件制备按半导体旁热式气敏元件的装配工艺进行.取一定量的样品与去离子水混合研磨至糊状,将N i-C r加热线插入A l2O3陶瓷管中,以提供加热温度.将已制备的气敏元件在3 0 0 老化,以提高稳定性.最后,由WS-6 0 A智能气敏测试仪对制备的样品进行气敏性能测试,检测相对湿度为6 0%5%.由于I n2O3为n型半导体,因此灵敏度由S=Ra i r/Rg a s计算,其中Ra i r为空气中的电阻值,Rg a s为目标气体中的电阻值.此外,在注入和移除目标气体后,将阻值变化量达到稳定阻值9 0%时所用时间分别定义为响应和恢复时间.159 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n2O3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 2 结果与讨论2.1 X R D测试分析不同烧结温度下所得样品的X射线衍射(X R D)谱如图1所示.由图1可见:样品的各衍射峰均与立方I n2O3特征衍射峰相对应,未观察到其他衍射峰,表明所得样品均为单相的立方I n2O3;随着烧结温度的增加,衍射峰强度增加,半峰宽减小,可定性判断样品的结晶度提高,晶粒尺寸增大.对各样品的衍射峰进行指标化分析,并利用S c h e r r e r公式3 0计算,得到各样品的晶胞参数和晶粒尺寸分别为1 0.1 1,1 0.1 0,1 0.1 1,1 0.1 2n m和1 2.4,1 2.9,1 4.6,1 5.2n m,各样品的晶粒近似呈球形.样品的晶胞参数和晶粒尺寸随烧结温度的变化曲线如图2所示.图1 I n2O3样品的X R D谱F i g.1 X R Dp a t t e r n so f I n2O3s a m p l e s图2 I n2O3样品的晶胞参数和晶粒尺寸随烧结温度的变化曲线F i g.2 C h a n g ec u r v e so fu n i t c e l lp a r a m e t e ra n dg r a i ns i z eo f I n2O3s a m p l e sw i t hs i n t e r i n g t e m p e r a t u r e由图2可见,样品的晶粒尺寸随烧结温度的增加而增大,晶胞参数在4 5 06 5 0呈增大趋势,但3 5 0样品大于4 5 0样品的晶胞参数.这是由于3 5 0 的烧结温度较低,使样品的结晶度较低,导致样品结构中I n空位缺陷较多3 1,使原子间的结合能降低,导致3 5 0 样品大于4 5 0 样品的晶胞参数,晶粒尺寸比4 5 0样品小.在温度从3 5 0上升至4 5 0的过程中,样品中I n空位的结构缺陷逐渐减少,晶胞结构趋于完整.在4 5 0以后,随着烧结温度的增加,样品晶粒尺寸增大3 2,使样品的比表面积和表面能降低,原子间的结合能降低,导致样品的晶胞参数随烧结温度的增加而增大.表明制备结晶度较好的I n2O3样品烧结温度至少为4 5 0.2.2 S EM测试分析不同烧结温度制备I n2O3样品的扫描电子显微镜(S EM)照片如图3所示.由图3可见,各样品均呈由球形纳米颗粒定向排列组成的三维束状纳米线阵列结构,经测量各样品的纳米线直径和纳米线的间距分别为1 0.8,1 1.7,1 3.1,1 4.0n m和5.0,4.0,3.0,2.0n m.样品的纳米线直径和间距随烧结温度的增加分别呈增大和减小趋势,这是因为S B A-1 5硬模板孔径和间距一定,随着烧结温度的增加,I n2O3样品的晶体逐渐生长,导致样品纳米线的直径逐渐增大,纳米线间距逐渐减小.2.3 紫外可见分光光度计测试分析I n2O3样品的紫外可见光吸收光谱分析如图4所示,其中图4(A)为各样品的紫外可见光吸收光谱(UV-V i s).根据公式(h)1/n=A(h-Eg)(1)计算带隙宽度,其中为吸光指数,h为P l a n c k常数,为频率,A为与材料相关的常数,Eg为半导体带隙,n为与半导体类型直接相关的指数,I n2O3为直接带隙半导体,n=1/2.图4(B)为各样品(Ah)2与h的关系曲线.图4(C)为利用外推法拟合计算得到3 5 0,4 5 0,5 5 0,6 5 0样品的带隙宽度分别为3.3 7,3.3 9,3.3 8,3.3 6e V,其中4 5 0烧结样品的带隙宽度最大,随着烧结温度的增加,样品的带隙宽度逐渐降低.随着烧结温度的增加,样品的晶粒尺寸增大3 2,表面能和原子间的结合能降低,样品的共价键能降低.3 5 0 样品小于4 5 0 样品的带隙宽度,主要是由于259 吉 林 大 学 学 报(理 学 版)第6 1卷 3 5 0样品的烧结温度低,结晶度较低,I n空位缺陷多3 1,使原子间的结合能降低所致.与X R D的分析结果相符.图3 I n2O3样品的S EM照片F i g.3 S EMi m a g e so f I n2O3s a m p l e s图4 I n2O3样品的紫外可见光吸收光谱分析F i g.4 U V-V i sa b s o r p t i o ns p e c t r o s c o p ya n a l y s i so f I n2O3s a m p l e s图5 I n2O3样品灵敏度随温度的变化曲线F i g.5 C h a n g ec u r v e so f s e n s i t i v i t yo fI n2O3s a m p l e sw i t ht e m p e r a t u r e2.4 传感器气敏性能测试分析不同烧结温度下获得I n2O3样品在不同测试温度下对11 0-4m g/L乙醇气体的反应灵敏度变化曲线如图5所示.由图5可见,当测试温度为2 6 03 2 0时,随着测试温度的增加,各样品对乙醇气体的反应灵敏度均增大.当测试温度为3 2 0时,灵敏度达到最大值,其中3 5 0,4 5 0,5 5 0,6 5 0烧结样品的灵敏度分别为4 7.2 5,5 0.5 9,3 8.1 3,4 1.6 0.当进一步增加测试温度时,各样品的灵敏度均减小,因此各样品的最佳工作温度均为3 2 0.在2 6 03 2 0 内,随着测试温度的增加,各样品对乙醇气体的反应灵敏度均增大,其主要原因为:1)测试温度增加使I n2O3样品的载流子浓度增大,吸附能力增强;2)测试温度增加使I n2O3样品表面吸附的O产生O-2O2-2O2-的变化,导致导带中电子减少,势垒增高吸附能力增强3 3.样品在3 2 0工作温度下,4 5 0烧结样品的灵敏度最高,随着烧结温度的增加,样品的灵敏度下降,这是由于4 5 0 烧结样品的纳米线直径较359 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n2O3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 小、间距较大及良好的结晶度所致.样品的纳米线直径较小使其比纳米线直径大的样品I nO之间的结合更强并具有更大的比表面积,使其对O的吸附能力更强,同时其纳米线间距大形成了利于O吸附-脱附更宽的通道,从而4 5 0烧结样品的灵敏度最高.3 5 0烧结样品比4 5 0烧结样品具有更小的纳米线直径和更大的纳米线间距,但其结晶度较低,结构中存在一定量的I n空位,其I nO间的结合比4 5 0烧结样品弱,使其对O的吸附能力弱于4 5 0烧结样品,导致其灵敏度相比较小.因此对于I n2O3纳米线阵列结构样品,I nO间结合的强弱是影响其灵敏度的重要因素.在3 2 0工作温度下,各样品对不同质量浓度乙醇的动态响应曲线如图6所示,各样品灵敏度随乙醇质量浓度的变化曲线如图7所示.图6 I n2O3样品在3 2 0时对不同质量浓度乙醇的动态响应曲线F i g.6 D y n a m i c r e s p o n s ec u r v e so f I n2O3s a m p l e s t od i f f e r e n tm a s s c o n c e n t r a t i o n so f e t h a n o l a t 3 2 0由图7可见,当乙醇质量浓度为11 0-5m g/L时,各样品仍具有较好的响应,3 5 0,4 5 0,5 5 0,6 5 0烧结样品的灵敏度分别为5.2 4,5.3 7,5.3 1,4.9 6.表明三维束状纳米线阵列结构I n2O3样品具有相对较低的检测下限,更利于对乙醇气体的微量检测.图7 I n2O3样品在3 2 0时灵敏度随乙醇质量浓度的变化曲线F i g.7 C h a n g ec u r v e so f s e n s i t i v i t yo f I n2O3s a m p l e sw i t he t h a n o lm a s s c o n c e n t r a t i o na t 3 2 0综上,本 文 利 用S B A-1 5硬 模 板 复 制 技 术,通过控制烧结温度(3 5 06 5 0)制备了不同直径和间距的三维束状纳米线结构I n2O3样品,并分析了样品的形貌微结构、晶体结构和气敏性能.结果表明,不同烧结温度对I n2O3材料的气敏性能影响显著.与3 5 0样品相比,4 5 0 烧结样品的结晶度高,内部缺陷少.在4 5 06 5 0内,随着烧结温度的增加,样品的纳米线间距逐渐减小,气体吸附和脱附的传输通道逐渐缩小.在其他条件相同的情况下,通过对不同温度烧结I n2O3样品的气敏灵敏度对比分析可见,4 5 0样品具有良好的气体传输通道而表现出较高的灵敏度.因此,良好的气体传输通道可有效提高材料的气敏性能.459 吉 林 大 学 学 报(理 学 版)第6 1卷 参考文献1 Z HAN G W F,P E N GS H,F UJL,e ta l.U r b a n A i rP o l l u t i o na n d M e n t a lS t r e s s:A N a t i o n w i d eS t u d yo fU n i v e r s i t yS t u d e n t s i nC h i n aJ.F r o n t i e r s i nP u b l i cH e a l t h,2 0 2 1,9(1):1-6.2 YUJ J,T S OWF,MO R ASJ,e t a l.H y d r o g e l-I n c o r p o r a t e dC o l o r i m e t r i cS e n s o r sw i t hH i g hH u m i d i t yT o l e r a n c ef o rE n v i r o n m e n t a lG a s e sS e n s i n gJ.S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2 0 2 1,3 4 5:1 3 0 4 0 4-1-1 3 0 4 0 4-8.3 AME E RIK,A L IAY,HU S AMRA.E f f e c t o fH e a tT r e a t m e n t o nWO3N a n o s t r u c t u r e sB a s e dNO2G a sS e n s o rL o w-C o s tD e v i c eJ.M a t e r i a l sC h e m i s t r ya n dP h y s i c s,2 0 2 1,2 6 9:1 2 4 7 3 1-1-1 2 4 7 3 1-1 2.4 S CHU L T E A L B E R TC,AMANNJ,B AURT,e t a l.M e a s u r i n gH y d r o g e ni nI n d o o rA i rw i t haS e l e c t i v eM e t a lO x i d eS e m i c o n d u c t o rS e n s o rJ.A t m o s p h e r e,2 0 2 1,1 2:3 6 6-1-3 6 6-1 3.5 ANA S T A S I YAR,N I L SD,D AN I E L AS,e t a l.S e l e c t i v i t y I m p r o v e m e n t t o w a r d sH y d r o g e na n dO x y g e no f S o l i dE l e c t r o l y t eS e n s o r sb yD y n a m i cE l e c t r o c h e m i c a lM e t h o d sJ.S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2 0 1 9,2 9 0:5 3-5 8.6 S O H Y,HOU M M,J A I NSR,e ta l.I n t e r d i g i t a t e dP t-G a NS c h o t t k yI n t e r f a c e sf o rH i g h-T e m p e r a t u r eS o o t-P a r t i c u l a t eS e n s i n gJ.A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2 0 1 6,3 6 8:1 0 4-1 0 9.7 MA R F J,P U P I NRR,S O TOMAYO R M,e t a l.M a g n e t i c-M o l e c u l a r l yI m p r i n t e dP o l y m e r s i nE l e c t r o c h e m i c a lS e n s o r sa n dB i o s e n s o r sJ.A n a l y t i c a l a n dB i o a n a l y t i c a lC h e m i s t r y,2 0 2 1,4 1 3(2 4):6 1 4 1-6 1 5 7.8 S ON GR X,Z HOU X,WAN G Z,e ta l.H i g hS e l e c t i v e G a sS e n s o r sB a s e do nS u r f a c e M o d i f i e d P o l y m e rT r a n s i s t o rJ.O r g a n i cE l e c t r o n i c s,2 0 2 1,9 1:1 0 6 0 8 3-1-1 0 6 0 8 3-8.9 S O L A BP,KYUNGP,HO J OONGK,e ta l.L i g h t-I n d u c e dB i a sS t a b i l i t yo fC r y s t a l l i n eI n d i u m-T i n-Z i n c-O x i d eT h i nF i l mT r a n s i s t o r sJ.A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2 0 2 0,5 2 6:1 4 6 6 5 5-1-1 4 6 6 5 5-6.1 0 B I R OF,B R S ONYI,D U C S O C,e ta l.S O IB a s e dL o wP o w e rT h e r m o c a t a l y t i cS e n s o rw i t hN a n o s t r u c t u r e dG a sS e n s i t i v eM a t e r i a lC/E C SM e e t i n gA b s t r a c t s.S.l.:E l e c t r o c h e m i c a lS o c i e t y,2 0 2 0:2 8-2 9.1 1 Z HAO RJ,WE IQ Y,R AN Y,e ta l.O n e-D i m e n s i o n a lI n2O3N a n o r o d sa sS e n s i n g M a t e r i a lf o rp p b-L e v e ln-B u t a n o lD e t e c t i o nJ.N a n o t e c h n o l o g y,2 0 2 1,3 2:3 7-4 5.1 2 S HANO A M,KHU DHUR A M,HA S S AN A S,e ta l.S y n t h e s i s,C h a r a c t e r i z a t i o na n d H2S G a sS e n s o rP e r f o r m a n c eo fH y d r o t h e r m a lP r e p a r e dS n O2F i l m s N a n o s t r u c t u r e sJ.I O P C o n f e r e n c eS e r i e s:E a r t ha n dE n v i r o n m e n t a lS c i e n c e,2 0 2 1,7 9 0:1 2 0 8 5-1-1 2 0 8 5-8.1 3 GUR L OA.N a n o s e n s o r s:T o w a r d sM o r p h o l o g i c a lC o n t r o l o fG a sS e n s i n gA c t i v i t y.S n O2,I n2O3,Z n Oa n dWO3C a s eS t u d i e sJ.N a n o s c a l e,2 0 1 1,3(1):1 5 4-1 6 5.1 4 UMA RA,A L S HAHR AN IAA,A L G A R N IH,e ta l.C u O N a n o s h e e t sa sP o t e n t i a lS c a f f o l d sf o rG a sS e n s i n gA p p l i c a t i o n sJ.S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2 0 1 7,2 5 0:2 4-3 1.1 5 L IX Q,L ID P,XU JC,e ta l.M e s o p o r o u s-S t r u c t u r eE n h a n c e d G a s-S e n s i n gP r o p e r t i e so fN i c k e lO x i d e sN a n o w i r e sJ.M a t e r i a l sR e s e a r c hB u l l e t i n,2 0 1 7,8 9:2 8 0-2 8 5.1 6 P HAMLQ,N GUY E NDC,T R ANTH,e t a l.S i m p l eP o s t-S y n t h e s i s o fM e s o p o r o u sp-T y p eC o3O4N a n o c h a i n sf o rE n h a n c e dH2SG a sS e n s i n gP e r f o r m a n c eJ.S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2 0 1 8,2 7 0:1 5 8-1 6 6.1 7 L E EJ H.G a sS e n s o r s U s i n g H i e r a r c h i c a la n d H o l l o w O x i d e N a n o s t r u c t u r e s:O v e r v i e wJ.S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2 0 0 9,1 4 0:3 1 9-3 3 6.1 8 S UNX H,J IH M,L IX L,e ta l.M e s o p o r o u sI n2O3w i t hE n h a n c e d A c e t o n eG a s-S e n s i n gP r o p e r t yJ.M a t e r i a l sL e t t e r s,2 0 1 4,1 2 0:2 8 7-2 9 1.1 9 MOHA R R AM B M,NAG Y M E,S HAA T M K,e ta l.P e r f o r m a n c eo fL e a da n dI r o nO x i d e sN a n o p a r t i c l eM a t e r i a l so nS h i e l d i n g P r o p e r t i e sf o r-R a y sJ.R a d i a t i o n P h y s i c sa n d C h e m i s t r y,2 0 2 0,1 7 3:1 0 8 8 8 0-1-1 0 8 8 8 0-9.2 0 S OU L AN T I C AK,E R A D E SL,S AUVAN M,e t a l.S y n t h e s i so f I n d i u ma n dI n d i u m O x i d eN a n o p a r t i c l e s f r o mI n d i u mC y c l o p e n t a d i e n y lP r e c u r s o ra n dT h e i rA p p l i c a t i o nf o rG a sS e n s i n gJ.A d v a n c e dF u n c t i o n a lM a t e r i a l s,2 0 0 3,1 3(7):5 5 3-5 5 7.559 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n2O3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 2 1 KO LMAKOVA,Z HAN GY,CHE NGG,e t a l.D e t e c t i o no fC Oa n dO2U s i n gT i nO x i d eN a n o w i r eS e n s o rJ.A d v a n c e dM a t e r i a l s,2 0 0 3,1 5(1 2):9 9 7-1 0 0 0.2 2 NA R AYANA S WAMYA,X U H F,P R A DHAN N,e ta l.F o r m a t i o no fN e a r l yM o n o d i s p e r s eI n2O3N a n o d o t sa n dO r i e n t e d-A t t a c h e dN a n o f l o w e r s:H y d r o l y s i sa n dA l c o h o l y s i sv sP y r o l y s i sJ.J o u r n a l o fAm e r i c a nC h e m i c a lS o c i e t y,2 0 0 6,1 2 8(3 1):1 0 3 1 0-1 0 3 1 9.2 3 CHAN GSM,K I M H R,G R A EME A,e ta l.H i g h l yS e n s i t i v ea n dF a s tR e s p o n d i n gC OS e n s o rU s i n gS n O2N a n o s h e