第四章 能带理论思考题.doc

 
第四章                能带理论思考题

1.    波矢空间与倒格空间有何关系? 为什么说波矢空间内的状态点是准连续的?
[解答]
波矢空间与倒格空间处于统一空间, 倒格空间的基矢分别为, 而波矢空间的基矢分别为, N1、N2、N3分别是沿正格子基矢方向晶体的原胞数目.
倒格空间中一个倒格点对应的体积为
,
波矢空间中一个波矢点对应的体积为
,
即波矢空间中一个波矢点对应的体积, 是倒格空间中一个倒格点对应的体积的1/N. 由于N是晶体的原胞数目, 数目巨大, 所以一个波矢点对应的体积与一个倒格点对应的体积相比是极其微小的. 也就是说, 波矢点在倒格空间看是极其稠密的. 因此, 在波矢空间内作求和处理时, 可把波矢空间内的状态点看成是准连续的.
2.    与布里渊区边界平行的晶面族对什么状态的电子具有强烈的散射作用？
[解答]
当电子的波矢k满足关系式

时, 与布里渊区边界平行且垂直于的晶面族对波矢为k的电子具有强烈的散射作用. 此时, 电子的波矢很大, 波矢的末端落在了布里渊区边界上, k垂直于布里渊区边界的分量的模等于.
3.    一维周期势函数的付里叶级数

中, 指数函数的形式是由什么条件决定的?

[解答]
周期势函数V(x) 付里叶级数的通式为

上式必须满足势场的周期性, 即
.

显然
.
要满足上式, 必为倒格矢
.
可见周期势函数V(x)的付里叶级数中指数函数的形式是由其周期性决定的.
4.    在布里渊区边界上电子的能带有何特点?
[解答]
电子的能带依赖于波矢的方向, 在任一方向上, 在布里渊区边界上, 近自由电子的能带一般会出现禁带. 若电子所处的边界与倒格矢正交, 则禁带的宽度, 是周期势场的付里叶级数的系数.
不论何种电子, 在布里渊区边界上, 其等能面在垂直于布里渊区边界的方向上的斜率为零, 即电子的等能面与布里渊区边界正交.
5.    当电子的波矢落在布里渊区边界上时, 其有效质量何以与真实质量有显著差别?
[解答]
晶体中的电子除受外场力的作用外, 还和晶格相互作用. 设外场力为F, 晶格对电子的作用力为Fl, 电子的加速度为
.
但Fl的具体形式是难以得知的. 要使上式中不显含Fl, 又要保持上式左右恒等, 则只有
.
显然, 晶格对电子的作用越弱, 有效质量m*与真实质量m的差别就越小. 相反, 晶格对电子的作用越强, 有效质量m*与真实质量m的差别就越大. 当电子的波矢落在布里渊区边界上时, 与布里渊区边界平行的晶面族对电子的散射作用最强烈. 在晶面族的反射方向上, 各格点的散射波相位相同, 迭加形成很强的反射波. 正因为在布里渊区边界上的电子与晶格的作用很强, 所以其有效质量与真实质量有显著差别.
6.    带顶和带底的电子与晶格的作用各有什么特点?
[解答]
由本教科书得
.
将上式分子变成能量的增量形式
，
从能量的转换角度看, 上式可表述为
.
由于能带顶是能带的极大值，
<0，
所以有效质量
<0.
说明此时晶格对电子作负功, 即电子要供给晶格能量, 而且电子供给晶格的能量大于外场力对电子作的功. 而能带底是该能带的极小值，
>0，
所以电子的有效质量
>0.
但比m小. 这说明晶格对电子作正功. m* 电子能量的变化

.
从上式可以看出，当电子从外场力获得的能量又都输送给了晶格时, 电子的有效质量变为. 此时电子的加速度
,
即电子的平均速度是一常量. 或者说, 此时外场力与晶格作用力大小相等, 方向相反.
8. 紧束缚模型下, 内层电子的能带与外层电子的能带相比较, 哪一个宽? 为什么?

[解答]
以s态电子为例.紧束缚模型电子能带的宽度取决于积分的大小, 而积分

的大小又取决于与相邻格点的的交迭程度. 紧束缚模型下, 内层电子的与交叠程度小, 外层电子的与交迭程度大. 因此, 紧束缚模型下, 内层电子的能带与外层电子的能带相比较, 外层电子的能带宽.

9. 等能面在布里渊区边界上与界面垂直截交的物理意义是什么？
  [解答]
将电子的波矢k分成平行于布里渊区边界的分量和垂直于布里渊区边界的分量k┴. 则由电子的平均速度

得到
,
.
等能面在布里渊区边界上与界面垂直截交, 则在布里渊区边界上恒有=0, 即垂直于界面的速度分量为零. 垂直于界面的速度分量为零, 是晶格对电子产生布拉格反射的结果. 在垂直于界面的方向上, 电子的入射分波与晶格的反射分波干涉形成了驻波.
10. 一维简单晶格中一个能级包含几个电子?
[解答]
设晶格是由N个格点组成, 则一个能带有N个不同的波矢状态, 能容纳2N个电子. 由于电子的能带是波矢的偶函数, 所以能级有(N/2)个. 可见一个能级上包含4个电子.
11. 本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同?
[解答]
在低温下, 本征半导体的能带与绝缘体的能带结构相同. 但本征半导体的禁带较窄, 禁带宽度通常在2个电子伏特以下. 由于禁带窄, 本征半导体禁带下满带顶的电子可以借助热激发, 跃迁到禁带上面空带的底部, 使得满带不满, 空带不空, 二者都对导电有贡献.