1、 LN5S21B Copyright(C) 2016 Lii Semiconductor - 1- 高性能 AC/DC 开关电源次级同步整流功率开关 澎湃驱动力 源于力生美 主要特点 u 内置 TrueWaveTM 实时波形追踪技术 u 5V/9V/15V/20V 超宽范围同步整流 u 支持开关电源 CCM/CrM/DCM 模式 u 内置 NMOSFET VDS 耐压高达 105V u 内置 NMOSFET RdsON 低至 8m u 比传统二极管整流效率提高 36% u 极宽的工作电压范围 4V 至 40V u 允许使用简单的正反激整流方式供电 u 也可 5V 直接供电或由辅助绕组供电 u
2、 无开关时静态工作电流可低至 0.2mA u 支持开关电源频率最高至 200kHz u 至简外围最简应用无需任何外部器件 u 合理脚位布局的标准 SOP8 封装形式 应用领域 5V3A12V3A 快速 USB 充电器 5V3A20V3A Type-C-PD 高效充电器 高效率适配器 概述 LN5S21B 是一颗内置 MOSFET 的高性能的开关电源次级侧同步整流功率开关集成电路， 可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 级能效的 520V 电压范围 33.5A 电流级别的快速充电开关电源系统， 是性能优异的理想二极管整流器解决方案。 芯片内置了独特的 TrueW
3、aveTM 全时波形追踪技术， 可支持高达 200kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作模式应用， 可在开关电源的每一个波形转换的边沿自动快速打开或关闭内部的 Low RdsON MOSFET 器件， 利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度，可方便地实现极高转换效率的低压大电流的开关电源应用。 芯片内置耐压高达 105V 的 NMOSFET 同步整流功率开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 8m，可提供系统高达 3.5A 电流输出能力，获得优异的转换效能，大幅提高转换效率。 芯
4、片还内置了高压直接检测技术， 检测端子耐压高达 105V，配合高达 40V 的供电电压范围，使得控制器可直接使用从变压器端子上获得的正反激能量进行供电操作， 从而通过简单的方式得到更佳的导通电阻性能并允许输出电压下降到很低的值。 高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 5V/9V/15V/20V 快充应用中，仅需一颗电容器件即可构建一个完整的同步整流应用。 可 提 供 满 足 RoHs 要 求 的 SOP8 封 装 。 Fig1. 典型连接（5V/9V/15V/20V 快充应用） Rev:B 5V20V LN5S21B Copyright(C) 2016 Lii Semiconduct
5、or - 8- 澎湃驱动力 源于力生美 封装信息 SOP8 fig14. 封装尺寸图 LN5S21B Copyright(C) 2016 Lii Semiconductor - 9- 澎湃驱动力 源于力生美 订购信息 型号 绿色标准 封装 包装方式 LN5S21B Halogen Free SOP8 100PCS/TUBE 声明 力生美、 Lii semi、等均为力生美半导体器件有限公司的商标或注册商标，未经书面允许任何单位、公司、个人均不得擅自使用，所发布产品规格书之著作权均受相关法律法规所保护，力生美半导体保留全部所有之版权，未经授权不得擅自复制其中任何部分或全部之内容用于商业目的。 产品规格书仅为所描述产品的特性说明之用，仅为便于使用相关之产品，力生美半导体不承诺对文档之错误完全负责，并不承担任何因使用本文档所造成的任何损失，本着产品改进的需要，力生美半导体有权在任何时刻对本文档进行必要的修改，并不承担任何通知之义务。 力生美半导体系列产品均拥有相关技术之自主专利，并受相关法律法规保护，未经授权不得擅自复制、抄袭或具有商业目的的芯片反向工程，力生美半导体保留相关依法追究之权利。 力生美半导体不对将相关产品使用于医学、 救护等生命设备所造成的任何损失承担责任或连带责任，除非在交易条款中明确约定。 最新信息请访问：
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