成都电子科技大学XXXX年硕士研究生入学考试复试考试大.docx

2012年硕士研究生入学考试复试考试大纲001通信与信息工程学院考试科目复试 数字逻辑电路设计及应用考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求掌握数字逻辑电路的基本原理与特性、数字逻辑电路的基本分析方法和设计方法，具备数字逻辑电路设计和综合的基本技能。二、内容及比例1、数系与代码数的十进制、二进制、八进制和十六进制表示以及它们之间的相互转换，符号数的S-M码，补码，反码表示以及它们之间的相互转换；带符号数的补码的加减运算；BCD码、GREY码；2、逻辑门电路门电路的工作原理和特性、CMOS传输门、施密特触发器结构和工作原理。逻辑电路的静态、动态特性分析；三态输出结构、漏极开路输出结构；3、逻辑代数基础逻辑代数的公理、定理，对偶关系；逻辑函数的表达形式：积之和与和之积标准型、真值表；组合电路的分析：逻辑函数的化简，无关项的处理、冒险问题和多输出逻辑化简的方法。4、组合逻辑设计 利用基本的逻辑门完成组合逻辑电路的设计，利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）逻辑器件如译码器、编码器、多路选择器、多路分配器、异或门、比较器、全加器、三态器件等作为设计的基本元素完成更为复杂的组合逻辑电路设计的方法。5、时序逻辑基础与分析基本时序元件R-S型,D型,J-K型,T型锁存器、触发器的电路结构，工作原理，时序特性, 功能表，特征方程表达式，不同触发器之间的相互转换；钟控同步状态机的模型图，状态机类型及基本分析方法和步骤，使用状态表表示状态机状态转换关系；钟控同步状态机的设计：状态转换过程的建立，状态的化简与编码赋值、使用状态转换表的设计方法、使用状态图的设计方法。6、时序逻辑设计利用基本的逻辑门、时序元件作为设计的基本元素完成规定的钟控同步状态机电路的设计任务：计数器、位移寄存器、序列检测电路和序列发生器的设计；利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）时序功能器件作为设计的基本元素完成更为复杂的时序逻辑电路设计的方法。7、存储器及其在数字逻辑系统实现中的运用存储器（ROM,SRAM）的基本工作原理和结构；存储器在数字逻辑系统设计的硬件实现中的运用。8、模数转换器、数模转换器(ADC/DAC)原理及应用简介 模拟-数字转换器、数字-模拟转换器(ADC/DAC)的基本电路结构、工作原理和应用。9、脉冲电路单稳态电路工作原理、电路结构和工程应用，限幅电路工作原理和电路结构，多谐振荡器工作原理和电路结构、工程应用，555定时器的工作原理和应用。三、题型及分值比例1、选择题：10%2、画图题：10%3、化简题：10%4、分析题：30%5、设计题：30%6综合题：10%考试科目复试 光电子技术考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求掌握物理光学和光纤通信系统的基础知识，了解其基本概念、原理和基本参数的计算。二、内容与比例1、光学基础知识麦克斯韦方程组，波动方程，光波的复数表达式，相速度与群速度，光的偏振态，光的折射与反射；2、光的基本特性相干条件，激光的基本特点，干涉仪的基本工作原理，光与物质的相互作用、极化、复折射率的含义，光的吸收、色散和散射；3、晶体光学基础光在晶体中的传输，双折射、快轴与慢轴，电光效应、声光效应和磁光效应的特点；4、光纤的传输理论光纤的结构、分类、基本参数，数值孔径的含义与计算，光纤的传输特性，光纤通信的窗口，光纤的模式理论；5、光源和光调制半导体激光器的基本原理与特性，激光器的横模与纵模，直接调制，波导调制器与电吸收调制器、强度调制与相位调制的特点和实现机制；6、光接收机光探测器的种类及其实现的物理机制，放大器噪声的分析方法、接收机灵敏度的计算；7、有源和无源器件光纤放大器的工作原理和基本性能，光耦合器、隔离器、调制器、光纤光栅；8、光纤通信系统与光网络SDH、PDH的特点，光纤接入网，非线性效应及其对光纤通信的影响，色散补偿技术，波分复用与解复用的原理和器件，时分复用技术。三、题型及分值比例1、选择题：10%2、填空题：10%3、问答题：60%4、计算题：20%四、参考书物理光学、光纤通信系统002电子工程学院考试科目复试 模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求 模拟电路要求掌握半导体器件：晶体二极管、双极型晶体三极管（BJT）和场效应晶体三极管（FET）的工作原理；掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用；掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频率特性概念及其描述，根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率；掌握模拟IC中重要单元电路，如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法；掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法；能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路；掌握直流电源基本概念及其应用。二、内容及比例A 半导体材料及二极管1、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。2、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。3、二极管应用 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。B 双极型晶体三极管（BJT）1、理解BJT工作原理 NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。2、BJT静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。3、BJT参数 理解 、a、b、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义4、混合p模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型（gm参数和b参数模型）及其模型参数的计算方法。C BJT放大电路1、理解放大器的一些基本概念 信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与旁路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。3、BJT三种基本组态放大器（中频段）熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。4、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标计算。D MOSFET及其放大电路1、FET原理 了解FET的分类、电路符号；了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。2、FET特性曲线 以N沟道FET（包括JFET和MOSFET）为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。5、FET的CS和CD组态放大器熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。E 模拟集成单元电路1、恒流源 熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点；熟练掌握有源负载放大器工作原理。2、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系）；各种差放电路；差放工作点估算；差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric，Ro）及用单边等效电路法求指标，差放抑制零漂的原因；了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。3、功率输出电路 了解功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点；理解乙类功放的交越失真及克服方法。 掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）的计算；理解功率管极限参数（ICM，PCM，BVCEO）；理解复合管的连接方式。F 放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述 掌握产生频率响应的原因；理解放大器频率特性函数，掌握fL、fH、BW的定义；理解幅频特性和相频特性函数；了解频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别；了解对数频率特性曲线波特图的概念。理解放大器的增益函数与零、极点分布的关系。2、根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率 用放大器增益响应函数求解fL、fH。H 负反馈放大器1、单环理想模型 理解基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf；A放大器、B网络；开环增益A与闭环增益Af；反馈系数B；反馈深度F；环路传输系数T；基本反馈方程；正反馈与负反馈；深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。2、掌握反馈放大器类型及极性的判断3、理解负反馈的效果 理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。4、熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。5、负反馈放大器的稳定性 理解产生自激振荡的原因和自激条件；了解用已知的T(jw)和A(jw)的波特图判断稳定性的方法；了解稳定裕量的计算方法；了解自激振荡的消除方法。I 集成运算放大器及其应用电路与设计1、了解集成运放电路组成及特点，理解放大电路的四种模型。2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid，Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIIO/dT3、熟练掌握理想运放分析法 虚短路与虚开路法则；理想运放分析法成立的原因；两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。4、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法 代数和运算电路；差动放大器；积分器与微分器；了解线性应用电路（有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等）。J 直流电源 掌握直流电源基本电路及其应用。三、题型及分值选择题：15%填空题：30%简答题：15%计算题：40%考试科目复试 微波技术基础考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求要求考生掌握导波的一般特性；掌握矩形波导、圆波导、同轴线和常用微波集成传输线的导模及其传输特性；掌握传输线问题的计算方法与圆图的应用，熟悉各种微波网络矩阵的特性与应用，特别是S矩阵和传输矩阵；熟悉常用微波元件的结构、工作原理与应用；熟悉各种微波谐振器的基本结构及其参数计算方法，能够运用所学知识进行具体分析，并解决问题。二、内容及比例1、微波波长(或频率)范围；导波的一般特性；导波和导波系统简介；导波的场分析；导波的分类及各类导波的特性；分离变量法求解亥姆霍兹方程；导波的传输功率、能量及衰减；模式正交性； 导波系统中截止状态下的场。2、典型导波系统的场分析：同轴传输线的场结构、表面电流分布、特性阻抗等；矩形波导各种模式的场结构及管壁电流分布，模式分布与简并，主模的场分量、场结构、等效特性阻抗、相速度、群速度、波导波长、能量、衰减等。圆波导的模式分布与简并等；同轴线、矩形波导、圆波导的截面尺寸选择，各类导波系统的主模及单模传输的条件；微带线的场分布及主要特性参量；微波集成电路其它导波系统，如带状线、共面传输线、槽线、鳍线、介质带线基本结构及各种特性。3、微波电路理论基础：集总参数和分布参数电路的概念，传输线的几个特性参量和工作参量，掌握无耗传输线的三类工作状态；阻抗圆图和导纳圆图，阻抗圆图上的特殊点、圆、线、面及其物理意义、基本思想和基本功能；圆图的应用，阻抗匹配的概念和条件，并联、串联单支节匹配器和双支节匹配器的图解法，g/4阻抗变换器；S矩阵和传输矩阵的物理意义，互易网络、无耗网络及对称网络各矩阵参量的特性。4、无源微波元件：微波电阻性、电抗元件；阻抗匹配及匹配元件；转换元件；分支元件；定向耦合器；微波铁氧体元件等的工作原理、结构形式及性质。5、微波谐振器：谐振电路及特性参量；同轴线、微带线、矩形波导谐振器；空腔谐振器的微扰；空腔谐振器的等效电路。三、题型及分值比例选择题：0%填空题：45%简答题：30%计算题：25%考试科目复试 数字电路考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求掌握数字逻辑电路的基本原理与特性、数字逻辑电路的基本分析方法和设计方法，具备数字逻辑电路设计和综合的基本技能。二、内容及比例1、数系与代码 5数的十进制、二进制、八进制和十六进制表示以及它们之间的相互转换，符号数的S-M码，补码，反码表示以及它们之间的相互转换；带符号数的补码的加减运算；BCD码、GREY码；2、逻辑门电路 5门电路的工作原理和特性、CMOS传输门、施密特触发器结构和工作原理。逻辑电路的静态、动态特性分析；三态输出结构、漏极开路输出结构；3、逻辑代数基础 15逻辑代数的公理、定理，对偶关系；逻辑函数的表达形式：积之和与和之积标准型、真值表；组合电路的分析：逻辑函数的化简，无关项的处理、冒险问题和多输出逻辑化简的方法。4、组合逻辑设计 20 利用基本的逻辑门完成组合逻辑电路的设计，利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）逻辑器件如译码器、编码器、多路选择器、多路分配器、异或门、比较器、全加器、三态器件等作为设计的基本元素完成更为复杂的组合逻辑电路设计的方法。5、时序逻辑基础与分析 15基本时序元件R-S型,D型,J-K型,T型锁存器、触发器的电路结构，工作原理，时序特性, 功能表，特征方程表达式，不同触发器之间的相互转换；钟控同步状态机的模型图，状态机类型及基本分析方法和步骤，使用状态表表示状态机状态转换关系；钟控同步状态机的设计：状态转换过程的建立，状态的化简与编码赋值、使用状态转换表的设计方法、使用状态图的设计方法。6、时序逻辑设计 20利用基本的逻辑门、时序元件作为设计的基本元素完成规定的钟控同步状态机电路的设计任务：计数器、位移寄存器、序列检测电路和序列发生器的设计；利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）时序功能器件作为设计的基本元素完成更为复杂的时序逻辑电路设计的方法。7、存储器及其在数字逻辑系统实现中的运用 5存储器（ROM,SRAM）的基本工作原理和结构；存储器在数字逻辑系统设计的硬件实现中的运用。8、模数转换器、数模转换器(ADC/DAC)原理及应用简介 5 模拟-数字转换器、数字-模拟转换器(ADC/DAC)的基本电路结构、工作原理和应用。9、脉冲电路 10单稳态电路工作原理、电路结构和工程应用，限幅电路工作原理和电路结构，多谐振荡器工作原理和电路结构、工程应用，555定时器的工作原理和应用。三、题型及分值比例1、选择题：10%2、填空题：10%3、画图题：10%4、化简题：10%5、分析题：30%6、设计题：30%考试科目复试 电路分析基础考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求主要考察学生对电路分析课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况。二、内容及比例第一章电路的基本概念和定理（10%）熟悉并正确理解电路与电路模型，电流、电压的参考方向及关联参考方向、功率的发出与吸收等概念；熟悉基尔霍夫定律，电阻元件，独立电压源、独立电流源、受控源的电压电流关系式，熟练掌握两类约束与电路方程，线性与非线性电阻的概念；熟练掌握利用两类约束求解电路的基本方法。第二章 线性电阻电路（10%）熟悉等效的概念，掌握线性电阻的串联、并联和混联，实际电源两种模型的等效变换，能应用等效的概念对复杂电路和单口网络进行化简。熟练掌握用结点分析法，网孔分析法分析电路的方法，并应能熟练掌握含受控源电路的分析。第四章 网络定理（12%）熟练掌握线性电路叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，最大功率传输定理，并能熟练应用这些定理分析和计算电路，熟练应用戴维南定理简化电路分析和求解含源网络的最大输出功率。第五章 多端元件和双口网络（8%）熟练掌握理想变压器VCR及阻抗变换性质。理解并熟悉线性无源双口网络端口VCR的六种表达式及R、G、H三种网络参数的求解方法。第七章 动态电路中电压电流的约束关系（5%）熟悉电容元件、电感元件的VCR，电容与电感的储能，状态变量的概念以及开关电路初始条件的求解。第八章 一阶电路分析（10%）熟悉零输入响应，零状态响应，全响应，时间常数的概念及求解方法。理解三要素法的使用条件并熟练掌握用三要素法求解一阶电路的响应。第十章正弦稳态分析（15%）熟悉正弦时间函数的相量（有效值相量），基尔霍夫定律的相量形式，二端元件VCR的相量形式，阻抗与导纳的概念。熟练掌握正弦稳态电路分析，了解用叠加定理计算非正弦稳态电路的电压电流。第十一章正弦稳态的功率（10%）了解瞬时功率和平均功率的概念，掌握最大功率传输(共轭匹配)定理及非正弦稳态电路平均功率的叠加。了解功率因素及功率因数补偿问题。第十二章网络函数和频率特性（6%）熟悉RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带及特征阻抗的概念，带通滤波特性。第十三章 含耦合电感的电路分析（14%）熟悉耦合电感VCR时域及相量形式，同名端，耦合系数的概念，掌握耦合电感的串联和并联，耦合电感的去耦等效电路。熟练掌握含耦合电感电路的分析。三、题型及分值简答、分析题25%计算题 75%003微电子与固体电子学院考试科目复试 电路分析基础考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求主要考察学生对电路分析课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况。二、内容及比例第一章电路的基本概念和定理（10%）熟悉并正确理解电路与电路模型，电流、电压的参考方向及关联参考方向、功率的发出与吸收等概念；熟悉基尔霍夫定律，电阻元件，独立电压源、独立电流源、受控源的电压电流关系式，熟练掌握两类约束与电路方程，线性与非线性电阻的概念；熟练掌握利用两类约束求解电路的基本方法。第二章 线性电阻电路（10%）熟悉等效的概念，掌握线性电阻的串联、并联和混联，实际电源两种模型的等效变换，能应用等效的概念对复杂电路和单口网络进行化简。熟练掌握用结点分析法，网孔分析法分析电路的方法，并应能熟练掌握含受控源电路的分析。第四章 网络定理（12%）熟练掌握线性电路叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，最大功率传输定理，并能熟练应用这些定理分析和计算电路，熟练应用戴维南定理简化电路分析和求解含源网络的最大输出功率。第五章 多端元件和双口网络（8%）熟练掌握理想变压器VCR及阻抗变换性质。理解并熟悉线性无源双口网络端口VCR的六种表达式及R、G、H三种网络参数的求解方法。第七章 动态电路中电压电流的约束关系（5%）熟悉电容元件、电感元件的VCR，电容与电感的储能，状态变量的概念以及开关电路初始条件的求解。第八章 一阶电路分析（10%）熟悉零输入响应，零状态响应，全响应，时间常数的概念及求解方法。理解三要素法的使用条件并熟练掌握用三要素法求解一阶电路的响应。第十章正弦稳态分析（15%）熟悉正弦时间函数的相量（有效值相量），基尔霍夫定律的相量形式，二端元件VCR的相量形式，阻抗与导纳的概念。熟练掌握正弦稳态电路分析，了解用叠加定理计算非正弦稳态电路的电压电流。第十一章正弦稳态的功率（10%）了解瞬时功率和平均功率的概念，掌握最大功率传输(共轭匹配)定理及非正弦稳态电路平均功率的叠加。了解功率因素及功率因数补偿问题。第十二章网络函数和频率特性（6%）熟悉RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带及特征阻抗的概念，带通滤波特性。第十三章 含耦合电感的电路分析（14%）熟悉耦合电感VCR时域及相量形式，同名端，耦合系数的概念，掌握耦合电感的串联和并联，耦合电感的去耦等效电路。熟练掌握含耦合电感电路的分析。三、题型及分值简答、分析题25%计算题 75%考试科目复试 电子材料考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求 考察学生对磁学基础知识与磁性材料、电介质材料相关知识的掌握情况。二、内容及比例（一）第一部分：重点掌握磁学基础知识与磁性材料相关内容。其中磁学基础知识：深刻理解各基本磁学量的物理意义，以及相互间的区别和联系；掌握外磁场能FH和退磁场能Fd的概念、表达式及物理意义；理解五种磁性各自的基本磁结构及其磁化率与温度的关系；全面了解物质的磁性；重点掌握铁磁性与亚铁磁性两类；掌握亚铁磁性代表物铁氧体的种类、各自的晶体结构、分子式及离子分布式的书写、分子磁矩的计算、饱和磁化强度的计算等。了解磁化过程及磁化机制；掌握畴壁位移磁化和畴转磁化的机制。其中磁性材料：熟悉磁性材料理论基础（分类与特性要求、磁化机制、铁磁金属和合金的结构和磁性、提高软、永磁材料磁性能的措施方法）掌握常见金属软磁材料的结构与特点、制备方法及应用（如铁硅，铁镍、纳米晶系等。）掌握常见金属及稀土永磁材料的结构与特点、制备方法及应用（如AlNiCo，SmCo，NdFeB，SmFeN。）掌握软磁铁氧体结构与特点;软磁铁氧体的磁谱特性、软磁铁氧体损耗特性、软磁铁氧体的稳定性、金属离子的分布占位等对其软磁性能（如磁导率、截止频率、磁损耗等）的影响。对铁氧体的合成与制备技术有初步的了解。（二）第二部分：重点掌握电介质材料相关内容。掌握陶瓷显微结构的分类及基本概念、晶体结构的缺陷及缺陷反应方程的书写、固溶机理、鲍林规则（如几何规则、电价规则等）。 重点掌握电容器的分类、特点及典型的瓷料组别、高介电容器介电常数的温度系数变化机理、钛离子变价原因及解决措施。对高频瓷料的合成与制备技术有一定了解。 掌握铁电体的基本概念、钛酸钡铁电体的晶体结构及相变、铁电体居里相变扩张机理尤其是应力相变机理、低频铁电瓷的展宽、移峰、叠峰的基本概念及其改性机理、镍电极多层陶瓷电容器的优点、抗还原瓷料研制难点及解决方案。对多层陶瓷电容器的优点及主要瓷料组别有一定了解。掌握钛酸钡陶瓷的半导化方法有哪些、金属与半导体的接触形式。对PTC陶瓷的半导化机理、PTC效应有一定了解。 掌握压电陶瓷预极化原理、PZT陶瓷的软性与硬性取代规律。对准同型相界有一定了解。三、题型及分值填空题、名词解释、问答题、辨析题、计算题等考试科目复试 分析化学考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求了解分析化学概念的任务和作用，分析化学的学习方法。二、内容及比例在定量分析概念中，掌握定量分析方法分类，定量分析的一般步骤。掌握滴定分析原理、过程及重要概念。掌握标准溶液的浓度（物质的量的浓度的滴定度）的有关计算，及待测成份结果计算及表示方法。 在误差与数据处理中，应掌握误差、偏差和精密度的表示方法。了解偶然误差的正态颁、T分布及F分布。掌握少量实验数据的数理统计处理，包括平均值的精密度、平均值的量倍区间、可疑值的取舍及显著性检验等。掌握有效数字概念及其运用方法。 酸碱滴定法：掌握浓度、浓度系数、平衡常数、溶液中酸碱组分的分布、用质子平衡理论处理酸碱平衡中各级一分浓度的计算（包括强酸和强碱溶液，一元弱酸和弱碱溶液、多元酸和多碱溶液及两性物质溶液等）。掌握酸碱指示剂作用原理，影响指示剂变色的主要因素，混合指示剂的优点等。掌握酸碱滴定法的基本原理、滴定曲线的计算，酸碱滴定时滴定，突跃范围及指示剂的选择原理及终点误差的计算等。 络合滴定法： 了解络合滴定的发展史。掌握络合物在溶液中的平衡（总稳定常数、逐级稳定常数、稳定常数、不稳定常数）。掌握络合物的负反应系数的表示及计算方法。掌握条件稳定常数的计算方法。掌握络合滴定法的基本原理、络合滴定曲线的计算、终点误差的林邦计算公式, 络合滴定中酸度的控制（最高酸度、最低酸度及最佳酸度）。掌握金属离子指示剂的作用原理，指示剂的封闭和僵化现象，指示剂的选择。了解并掌握提高络合滴定选拔性的途径，分步滴定的可能性及酸度的选择（ 与PH的关系，KMY与PH的关系、分步滴定的判别式，最佳酸度），掩蔽与解蔽。 氧化还原滴定法： 掌握氧化还原反应的基本概念及能斯方程，氧化还原反应平衡常数，等当点位的计算方法。掌握氧化还原滴定的基本原理，氧化还原滴定曲线，终点误差的计算。掌握氧化还的滴定指示剂作用原理及常见氧化还原滴定方法（高锰酸钾法、重铬酸钾法，碘量法等）。 重量分析法与沉淀滴定法： 掌握重量分析法的分类及基本概念。掌握沉淀的溶解度及影响因素（同离效应、盐效应、酸效应、络合效应等）。了解影响沉淀纯度的因素如：共沉淀现象、后沉淀现象、减少沉淀污染的方法等。掌握沉淀的形成及沉淀条件的选择。掌握沉淀滴定法的基本原理，包括摩尔法、佛尔哈德法、法思扬法的原理、特点及应用。 三、题型及分值选择、填空 50%计算题 50% 四、建议教材和参考资料1 教材：武汉大学分析化学第五版，高教出版社，2004年。2 参考资料：化学分析原理分析华学丛书第一卷，第一册，张锡喻，科学出版社，1991年。考试科目复试 数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求主要考察学生对数字电路、模拟电路课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。二、内容及比例数字电路部分（50%）1、数制和编码掌握十进制数与二进制数的基本转换规则、掌握采用八进制和十六进制表达二进制的转换方式。了解信号测量值在数字系统中的表达方式，掌握符号数的不同表达方式及相互转换方法，掌握符号数进行加法运算和乘法运算的基本规则。掌握常用BCD码的表达：8421码、余3码、2421码。掌握格雷码的编码规则，掌握奇偶校验码的编码规则。2、逻辑代数基础掌握数字系统的真值表表达方式；掌握逻辑代数的基本公理和常用定理，能够使用真值表进行各种定理的完备证明；熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计；了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式；熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）；理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。3、逻辑门电路了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念；了解MOS器件的基本开关特性；掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。4、组合电路分析与设计 掌握组合电路的基本概念及分析方法；掌握组合电路的设计方法（SSI）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。 掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法；掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法；5、时序电路分析与设计了解锁存器和触发器的基本概念，掌握D锁存器和主从D触发器的基本结构；了解同步设计的基本概念，了解建立时间、寄存器传输时间与时钟周期之间的基本关系；掌握简单有限状态机的结构、表达方式；能够根据给出的逻辑图对有限状态机进行分析；能够根据指定任务，进行有限状态机的设计：建立状态转移图，并由此进行综合设计，得出对应的转移方程、激励方程和输出方程，并以逻辑电路图整体表达。掌握简单计数器、序列信号发生器、序列信号检测器的基本设计方法；掌握常用集成计数器（74163）的使用方式，能够使用该器件进行模N计数器的设计；掌握移位寄存器基本概念，能够使用集成移位寄存器（74194）进行相关设计；了解移位寄存器型计数器的基本概念，了解环形计数器、扭环计数器、线性反馈移位寄存器计数器的结构和性能特点。模拟电路部分（50%）第一章 半导体材料及二极管1、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。2、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。3、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。第二章 双极型晶体三极管1、BJT原理（了解）NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。2、BJT静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。3、BJT参数（掌握） , , ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。4、BJT模型（掌握）BJT的小信号等效模型：简化模型（g m参数和参数模型）及其模型参数的求解式。BJT的混合等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。第三章 BJT放大电路1、放大器的一些基本概念（正确理解） 信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。2、BJT偏置电路（掌握）掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。3、BJT三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。4、多级放大器（掌握） 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。第四章 MOSFET及基本放大电路1、FET原理（了解）了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响2、FET特性曲线（掌握）以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型（掌握）理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。5、FET的CS和CD组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点。第五章 放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述（了解） 产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL 、fH 、BW的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线波特图的概念。放大器的增益函数，零、极点（了解）。2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握） 用短路时间常数法估算fL，用开路时间常数法估算fH。第六章 模拟集成单元电路1、恒流源(理解电路原理和特点) 恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法） 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric , Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。3、OCL和OTL功率输出电路（掌握）功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（ICM ,PCM ,BVCEO）对OCL和OTL功放的限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。第七章 负反馈技术1、单环理想模型（了解） 基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf ，A放大器、B