1、单元,45,半导体的基本知识,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,半导体基本知识,一,.,本征半导体,导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为,半导体,。,硅,（,Si,）,、锗,（,Ge,）,是最常使用的半导体材料，它们均为四价元素，原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。,本征半导体,是纯净的晶体结构的半导体，它内部无杂质，具有稳定的结构。,本征半导体,硅晶体中的共价健结构,Si,Si,Si,Si,本征半导体相邻原子间距离很小，相邻两个原子的一对最外层电子不但围绕自身所属的原子核运动，而且会出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用
2、电子，形成,共价键,结构。,由于热运动，具有足够能量的价电子会挣脱共价键的束缚而成为,自由电子,。,自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为,空穴,。,本征半导体,硅晶体中的共价健结构,Si,Si,Si,Si,自由电子与空穴相碰时会同时消失，称为,复合,。,一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。,本征半导体,硅晶体中的共价健结构,Si,Si,Si,Si,运载电荷的粒子称为,载流子,。,外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，所以导电性很差。,温度升高时，热运动会加剧，
3、导致载流子浓度增大，从而使导电性增强。,所以，温度对半导体器件性能影响很大,，半导体器件具有,温敏,的特性。,二,.,杂质半导体,在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成,杂质半导体,。,Si,Si,Si,Si,p+,掺入,五价元素,后,自由电子,数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或,N,型半导体,。,在,N,型半导体中,自由电子,是多数载流子，简称,多子,，,空穴,是少数载流子，简称,少子,。,Si,Si,Si,Si,B,杂质半导体,掺入,三价元素,后,空穴,数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或,P,型半导体,。,在,P,型半导体中空穴是,多数载流子,，自由电子是,少数载流子,。,无论,N,型或,P,型半导体都是中性的，对外不显电性。,
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
