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外部存储器控制器
    EMC:外部管理控制器.
    在LPC2300系列ARM里,外部存储器控制器(EMC)为AHB总线和外部存储器件提供了接口,使得CPU得以扩展外部存储器.
    LPC2300系列中的LPC2378和LPC2388具备EMC,支持2个可单独配置的存储器组.这两个存储器组都支持SRAM,ROM,Flash,Burst ROM或一些外部I/O器件.存储器组的片选地址范围大小为64KB.

    下面是EMC的控制器:

    对于AHB从机寄存器接口,CPU可以通过AHB从机寄存器接口对EMC寄存器进行编程.为了避免可能发生的字顺序问题,操作EMC寄存器的过程中,所有数据的床上必须是32位宽的字.

    通过数据缓冲区进行读写操作,可提供存储器带宽并减少传输等待时间.EMC含有4个16字大小的数据缓冲区.数据宽城区可用作读缓冲区,写缓冲区或读写缓冲区.

    存储器控制器状态机包括一个静态存储器控制器.

    CPU通过AHB从机存储器接口访问外部存储器,在访问外部存储器时,需要注意以下几点:
    1.数据传输的字节顺序
    2.数据产生的宽度
    3.对写保护的存储器区域进行写操作.

    我们再来看一下EMC的结构图:

    我们再看看EMC的基本操作过程:
    1.首先是使能EMC:
        在使用EMC前一定要先在功率控制寄存器中将其使能:
            PCONP=PCONP|0x00000800;    //第11位置1
        接下来,设置EMC控制寄存器EMCControl的第0位置1,使能EMC:
            EMCControl=0x00000001;

    2.引脚连接:
        将相关的引脚连接到EMC模块.
            PINSEL6=0x0000 5555;                //选择D0~D7脚
            PINSEL8=0x5555 5555;                //选择A0~A15脚
            tmp=PINSEL9;
            tmp&=&0x0FF0 FFFF;
            PINSEL9=tmp|0x5009 0000;           //选择-OE,-WE,-CS0,-CS1脚

    3.时序设置:
        通常情况下,我们再操作外部存储器时分为读,写两个操作.
        在读操作的过程中,我们需要配置下面的寄存器
            a.静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1);
            b.静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1);
            c.静态存储器页模式读延时寄存器(EMCStaticWaitPage0-1);

            通过设置静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1)可改变片选信号优先到输出有效的延时t;

            通过静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1)可改变从片选信号有效到器件输出允许失效之间的延时t.

            页模式下,一次片选有效期内可联系读/写4个字节,在这过程中,-WE和-OE信号保持不变,只有地址信号发生变化,此时不能理解读取数据线上的数据,而不像等待一段时间t.
            EMCStaticWaitPage的作用就是设置这段等待时间t的长短.
            要注意的是,如果t值太大,读的速度会变慢,而t值太小,则读取可能会出错.

        写操作的时序设置,我们需要配置的寄存器有:
            静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1);
            静态存储器写延时寄存器(EMCStaticWaitWr0-1);

            通过设置静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1)改变从"片选有效到写使能信号有效"之间的延时时间t.

            通过设置静态存储器写延时寄存器EMCStaticWaitWr0-1)改变片选有效到写使能信号失效之间的延时时间t

我们看一个EMC的时序设置的例子:
    EMCStaticConfig0=0x0;        //禁止页模式
    EMCStaticWaitWen0=0x0;       //写使能延时为1cclk
    EMCStaticWaitWr0=0x1F;       //延时33cclk写
    EMCStaticWaitOen0=0x0;       //输出使能延时为1cclk
    EMCStaticWaitRd0=0x1F;       //延时为33cclk读
    EMCStaticWaitPage0=0x0;      //页读模式延时为1cclk
    EMCStaticWaitTurn0=0x0;      //总线空闲为1cclk
    我并没有去仔细的查手册来看每一个寄存器的更详细的使用方法,从文档中抄袭了一下,大家先对某些东西有些印象,在使用的时候再慢慢的消化,学习的过程也只能如此.

    4.读写操作:
    在设置完EMC之后,就可以像访问RAM一样以字节,半字以及字读写的方式来访问外部存储器了.例如:
    #define CS1ADDR0BUF3 (*(volatile unsigned long *)(0x80004000))
    int main(void)
    {
        volatile long x;
        EMCInit();                      //EMC初始化
        while(1)
        {
            ......
            CS1ADDR0BUF3=0x55AA55AA;    //以字的方式进行读写
            x=CS1ADDR0BUF0;
        }
        return (0);
    }