1、模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电实力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si, 锗Ge)。2.特性-光敏, 热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正, 负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度确定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*
2、体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的凹凸:若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短
3、路);若 V阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数反馈深度环路增益：1当时，下降，这种反馈称为负反馈。2当时，表明反馈效果为零。3当时，上升，这种反馈称为正反馈。4当时，。放大器处于“自激振荡”状态。二反馈的形式和推断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-沟通, 直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，沟通通路中存在反馈则为沟通反馈，交, 直流通路中都存在反馈则为交, 直流反馈。 3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用
4、。（输出短路时反馈消逝）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消逝）4. 反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。反馈信号反馈到非输入端）5. 反馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。（2）依据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用 + 表示，降低用表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）依据Xi与X f的极性，确定净输入信号的大小。X
5、id 减小为负反馈；Xid增大为正反馈。三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和沟通电压（电流）串联（并联）负反馈。四. 负反馈对放大电路性能的影响1. 提高放大倍数的稳定性2.3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入, 输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍五. 自激振荡产生的缘由和条件1. 产生自激振荡的缘由附加相移将负反馈转化为正反馈。2. 产生自激振荡的条件若表示为幅值和相位的条件则为：第八章信号的运算与处理分
6、析依据- “虚断”和“虚短”一. 基本运算电路1. 反相比例运算电路R2 =R1/Rf 2. 同相比例运算电路 R2=R1/Rf 3. 反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5二. 积分和微分运算电路1. 积分运算2. 微分运算第九章信号发生电路一. 正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 :即幅值平衡条件：相位平衡条件：2. 起振条件:幅值条件：相位条件:3.正弦波振荡器的组成, 分类正弦波振荡器的组成(1) 放大电路-建立和维持振荡。(2) 正反馈网络-与放大电路共同满意振荡条件。(3) 选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4) 稳幅环节-使波形幅值稳定，且波形的形态良好。* 正弦波振荡器的分类(1) RC振荡器-振荡频率较低,1M以下;(2) LC振荡器-振荡频率较高,1M以上;(3) 石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。15 / 15
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