霍尔传感器.pptx

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,信息工程学院,#,信息工程学院,1,5.2,霍尔传感器,5.2.1,霍尔传感器工作原理,5.2.2,霍尔元件的结构和基本电路,5.2.3,霍尔元件的主要特性参数,5.2.4,霍尔元件误差及补偿,5.2.5,霍尔式传感器的应用,信息工程学院,2,5.2.1,霍尔传感器工作原理,霍尔传感器是基于,霍尔效应,的一种传感器。,起源：,1879,年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。,发展：,随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。,应用：,霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。,信息工程学院,3,霍尔效应：,半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势。,产生的电动势称,霍尔电势，,半导体薄片称,霍尔元件。,什么是霍尔效应？,信息工程学院,4,在垂直于外磁场,B,的方向上放置一半导体薄片，半导体薄片通以电流,I,，方向如图所示。,半导体薄片中的电流是载流子自由电子在电场作用下的定向运动。,在半导体导电板垂直电流方向上作用一个磁感应强度为,B,的均匀磁场，则载流子又受洛伦兹力作用,。,信息工程学院,5,载流子受,洛仑兹力,霍尔电场强度,e,电子电荷；,v,电子运动平均速度；,B,磁场的磁感应强度。,在匀强电场中，沿电场强度方向，两点之间的电势差等于电场强度跟这两点之间距离的乘积。,信息工程学院,6,平衡状态：,洛伦兹力,f,H,=,电场力,E,H,电场力,信息工程学院,7,因此霍尔电势,所以电子运动平均速度,又根据电流的定义：单位时间内通过导线某一截面的电荷量。,信息工程学院,8,讨论,:,1,、霍尔常数大小取决于导体的载流子密度：,分析：金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件。,2,、,霍尔元件灵敏度（灵敏系数）,K,H,意义：,表示霍尔元件在单位激励电流和单位磁感强度时产生的霍尔电势的大小。,信息工程学院,9,补充：,1,、霍尔电势与导体厚度,d,成反比：,为了提高霍尔电势值，霍尔元件制成薄片形状。,2,、,半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高，因此,N,型半导体,较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。,3,、,当磁感应强度,B,和霍尔片平面法线成角度,时,霍尔电势为：,信息工程学院,10,霍尔片是一块半导体单晶薄片,(,一般为,4mm2mm0.1mm),。,其长度方向两端面上焊有,a,、,b,两根引线，通常用,红色导线,，其焊接处称为,控制电极（或称激励电极），要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无,PN,结特性）。,5.2.2,霍尔元件的结构和基本电路,信息工程学院,11,另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有,c,、,d,两根霍尔输出引线，通常用,绿色导线,，其焊接处称为,霍尔电极,。,要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比要小于,0.1,，否则影响输出。,信息工程学院,12,图（,a,）中其中,1-1,电极用于加控制电流，称,控制电极,。另一对,2-2,电极用于引出霍尔电势，称,霍尔电势输出极,。,图（,b,）是霍尔元件通用的图形符号。,信息工程学院,13,图（,c,）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。,通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度,。,图（,d,）是基本测量电路。,测量电路,信息工程学院,14,5.2.3,霍尔元件的主要特性参数,当磁场和环境温度一定时,：,霍尔电势与控制电流,I,成正比；,当控制电流和环境温度一定时：,霍尔电势与磁场的磁感应强度,B,成正比；,当环境温度一定时,：,输出的霍尔电势与,I,和,B,的乘积成正比。,信息工程学院,15,霍尔元件的主要特性参数：,(1),输入电阻和输出电阻,输入电阻,R,i,：控制电极间的电阻,输出电阻,R,o,：霍尔电极之间的电阻,注：测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。,R,i,R,o,，,R,i,、,R,o,=1002000,。,信息工程学院,16,(2),额定控制电流和最大允许控制电流,额定控制电流,：,当霍尔元件有控制电流使其本身在空气中产生,10,温升时，对应的控制电流值。,控制电流,I,c,=(,几,几十,)mA,最大允许控制电流,：,以元件允许的最大温升限制所对应的控制电流值。改善散热条件可以增大最大允许控制电流。,信息工程学院,17,(3),不等位电势,U,o,和不等位电阻,r,o,不等位电势：,当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。一般,U,0,10mV,。,不等位电阻,r,0,：,不等位电势是由霍尔电极,2,和,2,之间的电阻。,不等位电势就是控制电流,I,经不等位电阻产生的电压。,不等位电阻,r0,=,U,0,/,I,信息工程学院,18,产生不等位电势的原因主要是：,霍尔电极安装位置不正确（不对称或不在同一等电位面上）；,半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；,控制电极接触不良造成控制电流不均匀分布等。,（均是制造工艺造成的）,信息工程学院,19,(4),寄生直流电势,霍尔元件零位误差的一部分,当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势。,(5),霍尔电势温度系数,在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化,1,时，霍尔电势变化的百分率。,信息工程学院,20,5.2.4,霍尔元件误差及补偿,1.,不等位电势误差的补偿,2.,温度误差及其补偿信息工程学院,21,1.,不等位电势误差的补偿,把霍尔元件视为一个,四臂电阻电桥,，不等位电势就相当于电桥的,初始不平衡输出电压,。,信息工程学院,22,A,B,C,D,I,R,1,R,2,R,3,R,4,补偿原理,：将,R,1,、,R,2,、,R,3,、,R,4,其视为电桥的四个臂，即电桥不平衡，为使其平衡可在阻值较大的臂上并联电阻，或在两个臂上同时并联电阻。,图中,A,、,B,为,控制电极,，,C,、,D,为,霍尔电极,。,在极间分布的电阻用,R,1,、,R,2,、,R,3,、,R,4,表示，理想情况是,R,1,R,2,R,3,R,4,，即零位电势为零（或零位电阻为零）。,但实际上存在着零位电势，则说明此四个电阻不等。,信息工程学院,23,电势的补偿电路 对称电路,当温度变化时，补偿的稳定性要好些,信息工程学院,24,几种常用补偿方法,W,C,D,A,R,2,R,3,R,4,R,1,B,W,C,D,A,R,2,R,3,R,4,R,1,B,B,W,D,A,R,2,R,3,R,4,R,1,C,（,a,）（,b,）（,c,）,W,A,B,C,D,W,A,B,C,D,(b),W,C,A,B,D,信息工程学院,25,2.,温度误差及其补偿,温度误差产生原因：,霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和,载流子迁移率,、,电阻率,和,霍尔系数,都是温度的函数。,当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如,霍尔电势,、,输入电阻,和,输出电阻,等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。,信息工程学院,26,减小霍尔元件的温度误差方法,选用温度系数小的元件,（如砷化铟）,;,采用恒温措施,;,采用恒流源供电,;,温度变化导致霍尔元件内阻（,R,i,、,R,o,),和霍尔灵敏度（,K,H,）等变化，给测量带来一定误差，即温度误差。为了减温度误差，需采取温度补偿措施：,信息工程学院,27,恒流源温度补偿,霍尔元件的灵敏系数随温度的变化引起霍尔电势的变化，霍尔元件的灵敏系数与温度的关系：,式中,:,K,H0,为温度,T,0,时的,K,H,值；,温度变化量；,霍尔电势的温度系数。,的定义为,信息工程学院,28,大胆假设：,由于大多数霍尔元件的温度系数,是正值时，它们的霍尔电势随温度的升高而增加（,1+,T,）倍。,让控制电流,I,相应地减小，能保持,K,H,I,不变就抵消了灵敏系数值增加的影响。,信息工程学院,29,恒流源温度补偿电路,补偿原理：,当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻,R,自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流。,信息工程学院,30,温度升到,T,时，电路中各参数变为,控制电流,温度为,T,0,时，,霍尔元件输入电阻温度系数；,分流电阻温度系数。,信息工程学院,31,为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足,:,升温前、后的霍尔电势不变，,信息工程学院,32,当霍尔元件选定后，它的输入电阻 和温度系数 及霍尔电势温度系数 可以从元件参数表中查到（可以测量出来），用上式即可计算出分流电阻 及所需的分流电阻温度系数 值。,经整理，忽略 高次项后得,信息工程学院,33,利用补偿电桥进行补偿,电桥由温度系数低的电阻构成，在某一桥臂电阻上并联一热敏电阻。,当温度变化时，热敏电阻将随温度变化而变化，使电桥的输出电压相应变化，仔细调节，即可补偿霍尔电势的变化，使其输出电压与温度基本无关。,w,1,w,2,E,1,w,3,R,2,R,3,R,4,R,1,E,2,R,t,U,Ht,调节电位器,W,1,消除不等位电势。,信息工程学院,34,对于,温度系数大,的半导体材料常使用。,霍尔输出随温度升高而下降，只要能使控制电流随温度升高而上升，就能进行补偿。例如在输入回路串入热敏电阻，当温度上升时其阻值下降，从而使控制电流上升。,利用热敏电阻进行补偿,（,a,）输入回路补偿,R,R,t,信息工程学院,35,（,b,）输出回路补偿,或在输出回路进行补偿。负载,R,L,上的霍尔电势随温度上升而下降的量被热敏电阻阻值减小所补偿。实际使用时，热敏电阻最好与霍尔元件封在一起或靠近，使它们温度变化一致。,R,R,L,R,t,信息工程学院,36,1,、霍尔开关集成传感器,霍尔开关集成传感器是利用霍尔效应与集成电路技术结合而制成的一种磁敏传感器，它能感知与磁信息有关的物理量，并以开关信号形式输出。,其中，,1,为接地端，,2,为电源端，,3,为输出端。,5.2.5,霍尔传感器,信息工程学院,37,稳压,整形,V,CC,输出,地,2,1,3,霍尔元件,放大,由稳压电路、霍尔元件、放大器、整形电路、开路输出五部分组成。稳压电路可使传感器在较宽的电源电压范围内工作，开路输出可使传感器方便地与各种逻辑电路接口。,信息工程学院,38,稳压,整形,V,CC,输出,地,2,1,3,霍尔元件,放大,当有磁场作用在传感器上时，霍尔元件输出霍尔电压,V,H,，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路，当放大后的,V,H,电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管导通,“,开状态”；,工作原理：,信息工程学院,39,当磁场减弱时，霍尔元件输出的,V,H,很小，经放入器放大后其值也小于施密特整形电路的,“,关闭,”,阈值，施密特整形电路再次翻转，输出低电平，使半导体管截止，这种状态为,“,关状态,”,。,一次磁场强度的变化，就使传感器完成了一次开关动作。,稳压,整形,V,CC,输出,地,2,1,3,霍尔元件,放大,霍尔开关传感器的用途：,霍尔开关集成传感器基本用途有：汽车点火系统、保安系统、转速、里程测定、机械设备的限位开关、按钮开关、电流的检测与控制、位置及角度的检测，等等。,信息工程学院,40,几种不同尺寸外形的霍尔开关,信息工程学院,41,2,、霍尔线性集成传感器,霍尔线性集成传感器的输出电压与外加磁场呈线性比例关系。,稳压,V,CC,输出,地,1,2,3,霍尔元件,放大,稳压,V,CC,输出,地,3,4,1,霍尔元件,放大,8,单端输出传感器的电路结构,双端输出的电路结构,信息工程学院,42,图所示为具有双端差动输出特性的线性霍尔器件,UGN3501M,的内部电路图和输出特性曲线图。,信息工程学院,43,当线性霍尔器件,UGN3501M,感受的磁场为零时，第一脚相对于第八脚的输出电压等于零；,当线性霍尔器件,UGN3501M,感受的磁场为正向（磁钢的,S,极对准,3501M,的正面）时，输出为正磁场为反方向时，输出为负，因此，使用起来更为方便。,信息工程学院,44,霍尔线性集成传感器一般由霍尔元件和放大器组成，当外加磁场时，霍尔元件产生与磁场成线性比例变化的霍尔电压，经放大器放大后输出。,霍尔线性传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。,信息工程学院,45,5.2.5,霍尔式传感器的应用,优点,:,结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长,应用：,电磁测量：,测量恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；,自动检测系统：,多用于位移、压力的测量。,信息工程学院,46,1.,微位移和压力的测量,测量原理,：,霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。,应用,：,位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度,信息工程学院,47,产生梯度磁场的示意图,位移量较小，适于测量微位移和机械振动,信息工程学院,48,若令霍尔元件的工作电流保持不变，而使其在一个均匀梯度磁场中移动，它输出的霍尔电压,V,H,值只由它在该磁场中的位移量,Z,来决定。图中,3,种产生梯度磁场的磁系统及其与霍尔器件组成的位移传感器的输出特性曲线，将它们固定在被测系统上，可构成霍尔微位移传感器。从曲线可见，结构（,b,）在,Z2mm,时，,V,H,与,Z,有良好的线性关系，且分辨力可达,1m,，结构（,C,）的灵敏度高，但工作距离较小。,几种产生梯度磁场的磁系统和几种霍尔位移传感器的静态特性,霍尔线性位移传感器原理,信息工程学院,49,霍尔线性位移传感器,信息工程学院,50,霍尔式压力传感器,弹簧管,磁铁,霍尔片,信息工程学院,51,霍尔压力传感器由弹性元件，磁系统和霍尔元件等部分组成，如图所示。（,a,）的弹性元件为膜盒，,(b),为弹簧片，,(c),为波纹管。磁系统最好用能构成均匀梯度磁场的复合系统，如,(a),、,(b),，也可采用单一磁体，如（,c,）。,加上压力后，使磁系统和霍尔元件间产生相对位移，改变作用到霍尔元件上的磁场，从而改变它的输出电压,VH,。由事先校准的,p,f(VH),曲线即可得到被测压力,p,的值。,信息工程学院,52,加速度传感器,信息工程学院,53,2.,磁场的测量,在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于,微小气隙中的磁感应强度,、高梯度磁场参数的测量。,霍尔电势是,磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角,的函数。,应用：,霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器,信息工程学院,54,信息工程学院,55,3.,转数、转速等物理量的测量,按图所示的各种方法设置磁体，将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后，磁体每经过霍尔电路一次，便输出一个电压脉冲。,(a),径向磁极,(b),轴向磁极,(c),遮断式,信息工程学院,56,在转轴上固定一个叶轮和磁体，用流体（气体、液体）去推动叶轮转动，便可构成流速、流量传感器。,在车轮转轴上装上磁体，在靠近磁体的位置上装上霍尔开关电路，可制成车速表，里程表等等,信息工程学院,57,下图的壳体内装有一个带磁体的叶轮，磁体旁装有霍尔开关电路，被测流体从管道一端通入，推动叶轮带动与之相连的磁体转动，经过霍尔器件时，电路输出脉冲电压，由脉冲的数目，可以得到流体的流速。若知管道的内径，可由流速和管径求得流量。,霍尔流量计,信息工程学院,58,4,、霍尔元件在电流测量上的应用,用霍尔元件测量电流，都是通过霍尔元件检测通电导线周围的磁场来实现的。,在现代工程技术中，往往要测量,大直流电流,，有时直流电流值高达,10KA,以上。,过去，多采用电阻器分流的方法来测量这样大的电流。这种方法有许多缺点，如分流器结构复杂、笨重、耗电、耗铜等。,利用霍尔效应原理测量大电流可以克服上述的一些缺点。霍尔效应大电流计结构简单、成本低、准确度高，在很大程度上与频率无关，便于远距离测量，测量时不需要断开回路。,信息工程学院,59,（,1,）导线旁测法,这种方法是一种最简单的方法，将霍尔元件放在通电导线的附近，给霍尔元件通以恒定电流，用霍尔元件测量被测电流产生的磁场，就可以从元件输出的霍尔电压中确定被测电流值。,这种方法虽然结构简单，但测量精度较差，受外界干扰也大，只适用一些不重要的场合。,B,I,C,I,通电电流,V,H,信息工程学院,60,当导线中有电流流通时，导线周围产生磁场，使导磁体铁芯磁化成暂时性磁铁，在环形气隙中就会形成一个磁场，导体中的电流越大，气隙处的磁感应强度就越大，霍尔元器件输出的霍尔电压,V,H,就越大。可以通过霍尔电压检测到导线中的电流。这种方法可以提高电流测量的精度。,导磁铁心,霍尔元器件,通电导线,I,（,2,）导线贯串磁芯法,如果用铁磁材料做成磁导体的铁芯，使被测通电导线贯串它的中央，将霍尔元件或霍尔集成传感器放在磁导体的气隙中，这样，可以通过环形铁芯集中磁力线，如下图所示。,信息工程学院,61,在实际应用中，为了测量的方便，还可以把导磁铁芯做成钳式形状，或非闭合磁路的形状，如下图所示。,I,霍尔元器件,通电导线,导磁铁心,霍尔元器件,通电导线,导磁铁心,I,钳式,非闭合磁路式,信息工程学院,62,（,3,）磁芯绕线法,这种方法如下图所示。它由标准环形导磁铁芯和,SL3501M,霍尔线性集成传感器组合而成。,高斯简称高（,Gs,，,G,），非国际通用的磁感应强度或磁通量的单位。高斯是很小的单位，,10000,高斯等于,1,特斯拉（）。,SL3501M,通电导线,导磁铁心,I,被测通电导线绕在导磁铁芯上，每,1,安,1,匝在气隙处可产生,0.0056T,的磁感应强度。若测量范围是,020A,时，则导线绕制,9,匝便可产生约,0.1 T,的磁感应强度，,SL3501M,会有,1.4V,的电压输出。,信息工程学院,63,数字钳型表,用途：,主要用于大电流测量，可用于机械加工车间，工厂，及各种耗电量较大的任何场合。,信息工程学院,64,5,、霍尔元件在磁性材料研究上的应用,被测磁性物质,交流信号源,霍尔元件,示波器,电流表,磁化绕组,在磁性材料特性研究中，往往需要复杂的过程才能得到,B,-,H,曲线或磁场分布图。因为霍尔电压同铁芯磁化绕组的电流的关系,V,H,=,f,(,I,M,）同样反映了磁感应强度,B,与磁场强度,H,之间的关,系,B,=,f,(,H,),，所以可以直接用示波器来观察这个关系。,65,Thank You!,