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欧姆龙MOSFET继电器使用注意事项

警告

布线时请务必切断电源 否则可能触电。

通电中不要接触MOS FET的端子部 （充电部）。接触充电部的 话可能导致触电。

安全上的注意点

1．MOS FET的输入回路、输出回路上不要施 加过电压、过电流。否则可能导致 MOS FET故障以及引起火灾。
2．布线以及焊接请按照焊接条件正确地 进行。焊接不完全的状态下使用的 话，可能会由于通电时异常发热而引起烧毁。
正确的使用方法

●关于降额设计
为实现系统要求的信赖度，降额措施必不可少。
为充分放心地使用MOS FET继电器，除了对最大额定值和推荐动作条件采取降额措施外，条件允许时还请在根据使用环境条件确认实际设备的基础上，进行留有充足余量的设计。
（1）最大额定值
最大额定值为即使是瞬间也不能超过的规定值，存在多个额定值时，不能超过任意一个数值。超过最大额定值时，可能导致MOS FET继电器内部的劣化以及集成电路块的损坏。因此，为了充分放心地使用MOS FET继电器，对于电压、电流、温度的最大额定值，请测算出足够的降额后再进行设计。
（2）推荐动作条件
推荐动作条件是为了让MOS FET继电器准确进行动作、复位而推荐的动作条件。
为了充分放心地使用MOS FET继电器，请在考虑推荐动作条件的基础上进行设计。
（3）实施失效保护
可能会因MOS FET继电器的故障、特性劣化及功能异常等对系统的安全动作造成重大影响时，建议根据用途实施失效保护措施。
●MOS FET继电器驱动回路的代表例
C-MOS的场合

晶体管的场合

为了保证MOS FET继电器正确的动作， 求得LED电流限制电阻的方法为 ：
电流限制电阻

为了保证MOS FET继电器正确的动作， 求得LED顺向电压的方法为 ：
复位电压（LED顺向）
VF(OFF)=VCC —IFR1—VOH < 0.8V
●输入侧浪涌电压保护
向输入端子施加反向的浪涌电压时，与 输入端子反响并联二极管，不要施加 3V 以上的反方向电压。
输入侧的浪涌电压保护回路例

●输入侧浪涌电压保护
输出端子间出现超过绝对最大额定的 电压时，负载上并联C-R 缓冲器、反 向二极管以限制过电压。
输出侧过电压保护回路例

●关于未使用端子
·6脚型的3号端子用于MOS FET继电器的内部回路，因此外部回路
上不要有任何连接。

●关于自动封装时的卡抓保持力
自动封装时的卡抓保持力，为了保持 MOS FET继电器的特性，请将压力设定 如下:

●关于负载连接方法
MOS FET继电器在动作中将输出端子 间进行短路的话会成为故障的原因，应 避免短路。

●关于预估寿命
本公司MOS FET继电器使用的LED分为两大类，并根据LED的种类预估寿命。
各MOS FET继电器和所使用的LED对应表如下所示。此外，下页刊载了预估寿命数据。
此外，该结果是根据单个批次产品的长期数据进行预估的，因此请用作"参考数据"。
使用GaAs LED的MOS FET继电器型号对应表
DIP
SOP
SSOP
G3VM-61A1/D1
G3VM-21GR
G3VM-201G
G3VM-21LR
G3VM-61B1/E1
G3VM-21GR1
G3VM-201G1
G3VM-21LR1
G3VM-62C1/F1
G3VM-41GR3
G3VM-S5
G3VM-41LR3
G
VM-2L/2FL
G3VM-41GR4
G3VM-201H1
G3VM-41LR4
G3VM-351A/D
G3VM-41GR5
G3VM-202J1
G3VM-41LR5
G3VM-351B/E
G3VM-41GR6
G3VM-351G
G3VM-41LR6
G3VM-352C/F
G3VM-41GR7
G3VM-351G1
G3VM-61LR
G3VM-353A/D、353A1/D1
G3VM-41GR8
G3VM-351GL
G3VM-81LR
G3VM-353B/E、353B1/E1

3VM-61G1
G3VM-353G、353G1
G3VM-101LR
G3VM-354C/F、354C1/F1
G3VM-61G2
G3VM-351H
——
G3VM-355C/F、355CR/FR
G3VM-61VY
G3VM-353H、353H1
G3VM-WL/WFL
G3VM-61GR1
G3VM-352J
G3VM-401A/D
G3VM-61H1
G3VM-354J、354J1
G3VM-401B/E
G3VM-62J1
G3VM-355J、355JR
G3VM-401B
/EY
G3VM-81G1
G3VM-401G
G3VM-402C/F
G3VM-81GR
G3VM-401H
G3VM-601BY/EY
G3VM-81GR1
G3VM-402J
——
G3VM-81HR
G3VM-601G

使用GaAlAs LED的MOS FET继电器型号对应表
DIP
SOP
SSOP
G3VM-61BR/ER
G3VM-21HR
G3VM-21LR10
——
——
G3VM-41LR10
G3VM-41LR11

●清洗助焊剂
（1）清洗助焊剂时，请确保不残留钠、氯等反应性离子。部分有机溶剂可能会与水反应产生氯化氢等腐蚀性气体，从而导致MOS FET继电器劣化。
（2） 用水清洗时，请避免产生残留（特别是钠、氯等反应性离子）。
（3） 清洗中或者清洗液附着在MOS FET继电器的状态下，请勿用刷子或手擦洗标记面。否则可能导致标记消失。
（4） 浸泡清洗、冲洗及蒸汽清洗均请利用溶剂的化学作用进行清洗。关于溶剂或蒸汽中的浸泡时间，请考虑对MOS FET继电器的影响，在液温50℃以下、1分钟以内进行处理。
（5） 通过超声波清洗时，请在短时间内完成。长时间的清洗会降低模具树脂与型材间的密合性。此外，推荐的基本条件如下所示。（超声波清洗的推荐条件）
频率：27～29KHz
超声波输出：300W以下（0.25W/cm2以下）
清洗时间：30秒以下
此外，请使其悬浮在溶剂中进行清洗，并避免超声波振子与
印刷电路板及MOS FET继电器直接接触。
●关于焊接封装
焊接封装应在符合下述条件的基础上尽可能防止本体温度的升高。
(流焊接)
印刷基板用端子型※仅1次
(流槽的设定温度)
封装用焊接
准备加热
焊接
(铅焊接)
SnPb
150℃
60~120秒
260℃
10秒以下
(无铅焊接)
SnAgCu
150℃
60~120秒
260℃
10秒以下
注意：关于使用，建议根据用户的实际使用条件进行确认。
(回流焊接)
表面安装端子型（DIP、SOP包装）※最多可2次
(包装的表面温度)
封装用焊接
准备加热
焊接
(铅焊接)
SnPb
140-160℃
60~120秒
210℃
30秒以下
峰值
240℃以下
(无铅焊接)
SnAgCu
180-190℃
60~120秒
260℃
30~50秒
峰值
260℃以下
表面安装端子型（SSOP包装）※最多可2次
(包装的表面温度)
封装用焊接
准备加热
焊接
(铅焊接)
SnPb
140-160℃
60~120秒
210℃
30秒以下
峰值
240℃以下
(无铅焊接)
SnAgCu
180-190℃
60~120秒
260℃
30~50秒
峰值
260℃以下
注1：关于使用，建议根据用户的实际使用条件进行确认。
注2：以卷切品购入的SSOP产品因无防湿包装，请在封装时先进行焊接。
（预焊接）※仅1次
350℃ 3秒以内或260℃10秒以内
●保存条件
（1）请保存在不会有水淋到、无阳光直接照射的场所。
（2）搬运和保存时，请按照包装箱上的注意事项进行处理。
（3）请保存在常温、常湿、常压的场所。此外，温度和湿度请以5～35℃、45～75％为大致标准。
（4） 请保存在硫化氢等腐蚀性气体及含盐气流不会触及产品，及用肉眼判断无尘埃的场所。
（5） 请保存在温差较小的场所。保存时温度的剧烈变化会导致结露、导线的氧化与腐蚀等，并引起焊锡熔析性的劣化。
（6） 将MOS FET继电器从包装中取出后再次保存时，请使用经过防带电处理的存放容器。
（7）无论何种场合，请勿对产品施加会导致变形、变质的力。
（8） 本公司产品的保证期限为产品购买后或交付到指定场所后的1年之内。通常存放一年以上时，建议在使用前先确认锡焊性。
●使用条件
〈温度〉
MOS FET继电器的各种电气特性受使用温度限制。在动作范围外的温度条件下使用时，不仅会导致无法实现电气特性，还会导致MOS FET继电器的过早劣化。因此，请预先掌握温度特性，并在考虑降额＊的基础上进行设计。（＊降额：减少压力）此外，使用温度条件请考虑降额，并将推荐动作温度当作一个参考标准。
〈湿度〉
在高湿度环境下长期使用时，将导致水分渗入内部，从而引起内部集成电路块的劣化和故障的产生。具有高信号源阻抗的系统中，其基板漏电及MOS FET继电器的导线间漏电会导致误动作。上述情况下，请考虑对MOS FET继电器表面进行防湿处理。另一方面，低湿度下的静电放电会导致继电器损坏，因此在未特别进行防湿处理时，请在40～60％的湿度范围内进行使用。