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专用集成电路实验报告56.docx

1、 专用集成电路实验报告56 专用集成电路实验报告 组合逻辑电路特性 姓名: 学号: 班级: 指导老师: 一、 实验目的 1.理解CMOS复杂逻辑门的综合过程及其特性。 2.理解加法器的结构。 二、 实验内容 1)利用对偶原理综合CMOS互补门,功能为:,简述综合过程,画出三极管级原理图。 2)一个1bit全加

2、器的逻辑表达式为:,;A、B为加法输入,Ci为进位输入,S为和输出,Co为进位输出;为异或操作,+为或操作,为与操作。 a)画出2bit全加器的门级原理图; b)通过调整输入的不同位置,下列电路能够实现AND、OR、XOR及其非逻辑的功能,图中的三极管为NMOS。使用多个下列电路实现2bit全加器,画出三极管级原理图。 3)设使用0.25um工艺,NMOS管的尺寸为L = 0.250um,W = 0.375um;PMOS管的尺寸为L = 0.250um,W = 1.125um。对实验内容1和2的电路进行spice仿真。调整实验内容1的器件尺寸和电源电压,观察门的延时;观察和理解实验内

3、容2中加法器的进位延时。 三、实验步骤及过程: 1) 图1 OrCAD画出的三极管级原理图 2) A) 图2 2bit全加器的门级原理图 B)差分传输管逻辑的与和与非逻辑: 图3 与门(与非门) 差分传输管逻辑的或和或非逻辑: 图4 或门(或非门) 差分传输管逻辑的异或和异或非: 图5 异或门(异或非门) 总的2bit全加器的原理图: 图 6 差分传输管构成的2bit全加器 3)A、调节实验内容1的器件尺寸和电源电压,观察门的延时。 这里设定A0为pulse信号,A1为2.5V,其余都为0V,则Y的输出与

4、A0反向,输出波形应该类似于反相器。 图3.1 输入和输出波形 Measure输出文件: $DATA1 SOURCE='HSPICE' VERSION='U-2003.09 ' .TITLE '*dai56_1object' t1dlay t2dlay temper alter# 6.580e-11 6.900e-11 25.0000 1.0000 t1dlay为输出端下降沿与输出端上升沿的50%——50%延

5、时。 t2dlay为输出端上升沿与输出端下降沿的50%——50%延时。 程序(网表文件): *dai56_1object .lib 'cmos25_level49.txt' TT .options post=2 Vcc pvcc 0 dc 2.5V VA1 A1 0 dc 2.5V VB0 B0 0 dc 0V VB1 B1 0 dc 0V VC1 C1 0 dc 0V Vin A0 0 pulse(0V 2.5V 0ps 0ps 0ps 500ps 1000ps) mA0 1 A0 GND GND NMOS L=0.25u W=0

6、375u mB0 2 B0 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u mC0 3 C0 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u mA1 3 A1 1 1 NMOS L=0.25u W=0.375u mB1 3 B1 2 2 NMOS L=0.25u W=0.375u mA0p 5 A0 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W = 1.125u mA1p 5 A1 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W = 1.125u mB0p 4 BO 5 5 PMOS L=0.25u W

7、 = 1.125u mB1p 4 B1 5 5 PMOS L=0.25u W = 1.125u mC0p 3 CO 4 4 PMOS L=0.25u W = 1.125u .measure tran t1dlay trig V(a0) val=1.25V td=0 fall=2 + targ V(3) val=1.25V td=0 rise=2 .measure tran t2dlay trig V(a0) val=1.25V td=0 rise=2 + targ

8、V(3) val=1.25V td=0 fall=2 .tran 1ps 3ns .probe Vin V(3) .end 接下来调整电源电压,观察门的延时: VCC=1.5V 图3.2 VCC=1.5V时的输出波形 Measure输出文件: $DATA1 SOURCE='HSPICE' VERSION='U-2003.09 ' .TITLE '*dai56_1object' t1dlay t2dlay temper alter#

9、 1.239e-10 3.85e-11 25.0000 1.0000 Vcc=1V 图3.3 VCC=1V时的输出波形 Measure输出文件: $DATA1 SOURCE='HSPICE' VERSION='U-2003.09 ' .TITLE '*dai56_1object' t1dlay t2dlay temper alter# 2.682e-10 2.35e-11 25.000

10、0 1.0000 观察结论: 当电源电压降低时,门的延时增加。需要特别注意的是measure语句编写时,需要根据输出波形的电压值改变阈值。 改变三极管尺寸,观察门的延时: Pmos的沟道宽度W a) PMOS管均为W = 1.125um; b) PMOS管均为W = 1.875um; c) PMOS管均为W = 3.000um; 图3.4 改变Pmos的沟道宽度的输出波形 Measure文件: $DATA1 SOURCE='HSPICE' VERSION='U-2003.09 ' .TITLE '*dai56_1object'

11、 index pwc t1dlay t2dlay temper alter# 1.0000 1.125e-06 2.658e-10 6.900e-11 25.0000 1.0000 2.0000

12、 1.875e-06 2.526e-10 1.112e-10 25.0000 1.0000 3.0000 3.000e-06 2.436e-10 1.761e-10 25.0000 1.0000 这里在网表文件中运用了data语句。 观察结论:Pmos的沟道宽

13、度变宽后门的传输延时增大。 用对偶原理综合CMOS互补门设计的2bit全加器的进位延时: 验证全加器逻辑关系: 图3.5 验证全加器逻辑关系 由上至下依次为A1A0,B1B0, V10(sum1), V6(sum0), cout1. 电压值为:A1=B1=0V,A0=B0=2.5V ,sum1=2.5V, sum0=0V,cout1=0V。 即01+01=10,进位为0. 全加器逻辑正确。 程序(网表文件): *dai56_2object .lib 'cmos25_level49.txt' TT .options post=2 .tran 1

14、ps 15ns .probe V(cout1) V(10) V(6) V(a0) .global pvcc vcc Vcc pvcc 0 dc 2.5V V1 A0 0 dc 2.5V V2 A1 0 dc 0V V3 B0 0 dc 2.5V V4 B1 0 dc 0V V5 cin 0 dc 0V .subckt ANDg A B Y m1 1 A GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m2 2 B 1 gnd NMOS L=0.25u W=0.375u m1p 2 A pvcc pvcc PM

15、OS L=0.25u W=1.125u m2p 2 B pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m3p Y 2 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m3 Y 2 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u .ends .subckt ORg A1 B1 Y1 m1 1 A1 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m2 1 B1 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m1p 2 A pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.1

16、25u m2p 1 B 2 pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m3p Y1 1 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m3 Y1 1 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u .ends .subckt xorg a2 b2 y2 m01 A2a A2 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m02 A2a A2 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m03 B2a B2 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125

17、u m04 B2a B2 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m1 1 B2a GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m2 2 B2 GND GND NMOS L=0.25u W=0.375u m3 y2 A2a 1 GND NMOS L=0.25u W=0.375u m4 y2 A2 2 gnd NMOS L=0.25u W=0.375u m1p 4 A2 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m2p 4 B2 pvcc pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m3p y2 A2a 4 pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u m4p y2 B2a 4 pvcc PMOS L=0.25u W=1.125u .ends x1 A0 B0 3 ANDg x2 A0 b0 4 XORg x3 4 cin 5 ANDg x4 4 cin 6 XORg x5 3 5 cout0 ORg x6 A1 b1 7 ANDg x7 A1 b1 8 XORg x8 8 cout0 9 ANDg x9 8 cout0 10 XORg x10 7 9 cout1 ORg .end

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