1、(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)编辑整理:尊敬的读者朋友们:这里是精品文档编辑中心,本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的,发布之前我们对文中内容进行仔细校对,但是难免会有疏漏的地方,但是任然希望((完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改))的内容能够给您的工作和学习带来便利。同时也真诚的希望收到您的建议和反馈,这将是我们进步的源泉,前进的动力。本文可编辑可修改,如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅,最后祝您生活愉快 业绩进步,以下为(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(wo
2、rd 版可编辑修改)的全部内容。(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一。半导体的基础知识1。半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体.4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性。P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)
3、。6。杂质半导体的特性 载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7.PN 结 PN 结的接触电位差-硅材料约为 0。60。8V,锗材料约为 0。20。3V。PN 结的单向导电性-正偏导通,反偏截止.8。PN 结的伏安特性(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)二。半导体二极管 单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同结。正向导通压降-硅管 0。60.7V,锗管 0。20.3V。*死区电压-硅管 0.5V,锗管 0.1V。3.分析方
4、法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳 V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。2)等效电路法 直流等效电路法 总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)若 V 阳 V 阴(正偏),二极管导通(短路);若 V 阳 V 阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在 PN 结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章 三极管及其基本放
5、大电路一.三极管的结构、类型及特点1。类型-分为 NPN 和 PNP 两种。2.特点-基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大.(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)二。三极管的工作原理1。三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配 *共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流.3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示放大区-发射结正偏,集电结反偏.截止区-发射结反偏,集电结反偏。4.温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动.(完整
6、)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)温度升高ICBO、ICEO、IC以及均增加.三.低频小信号等效模型(简化)hie-输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比,常用表示;四.基本放大电路组成及其原则1。VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析 概念-直流电流通的回路。画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点 直流负载线-由VCC=ICRC+UCE 确定的直线.*电路参数对静态工作点的影响 1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动.2)改变Rc
7、:Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动.3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)2。交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路.*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接 Q 点和V CC点 V CC=UCEQ+ICQR L的 直线。3。静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象NPN 管削顶,PNP 管削底。*消除方法-减小Rb,提高Q。(2)饱和失真产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN 管削底,PNP 管削顶。消除方法-增大Rb、减小R
8、c、增大VCC。4.放大器的动态范围(1)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值.(2)范围 当(UCEQUCES)(VCC UCEQ)时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL.(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)当(UCEQUCES)(VCC UCEQ)时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2(UCEQUCES)。当(UCEQUCES)(VCC UCEQ),放大器将有最大的不失真输出电压.六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区,应满足RBRc。2.放大电路的动态分析*
9、放大倍数 输入电阻(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)*输出电阻七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法1静态分析2动态分析*电压放大倍数在Re 两端并一电解电容Ce 后输入电阻在Re 两端并一电解电容Ce 后*输出电阻(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)八.共集电极基本放大电路1静态分析2动态分析 电压放大倍数*输入电阻*输出电阻3。电路特点 *电压放大倍数为正,且略小于 1,称为射极跟随器,简称射随器。*输入电阻高,输出电阻低。第三章 场效应管及其基本放大电路 一.结型场效应管(JFET)1.结构示意图和电路符号(完整)模拟电子技术
10、基础-知识点总结(word 版可编辑修改)2。输出特性曲线 (可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线UP-截止电压 二.绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。结构示意图和电路符号2。特性曲线*NEMOS 的输出特性曲线(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)*NEMOS 的转移特性曲线式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。N-DMOS 的输出特性曲线注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0 处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。三。场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压
11、Up3.开启电压UT4。直流输入电阻RGS5。低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)四。场效应管的小信号等效模型(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)E-MOS 的跨导gm-五。共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路*静态分析动态分析 若带有Cs,则 2.分压式偏置放大电路 静态分析*动态分析 若源极带有Cs,则(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)六。共漏极基本放大电路 静态分析或*动态分析 第五章 功率放大电路一。功率放大电路的三种工作状态1。甲类工作状态 导通角为 360o,ICQ大,管耗大,效率低。2。乙类工作状态 ICQ0,导
12、通角为 180o,效率高,失真大。3。甲乙类工作状态 导通角为 180o360o,效率较高,失真较大。二.乙类功放电路的指标估算(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)1.工作状态任意状态:UomUim 尽限状态:Uom=VCCUCES理想状态:UomVCC 2.输出功率3.直流电源提供的平均功率4。管耗 Pc1m=0.2Pom 5。效率 理想时为 78.5 三。甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出 在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器 OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态
13、估算。甲乙类单电源互补对称功率放大器 OTL-电容 C2 上静态电压为VCC/2,并且取代了 OCL 功放中的负电源-VCC。动态指标按乙类状态估算,只是用VCC/2 代替.四.复合管的组成及特点(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)1.前一个管子 ce 极跨接在后一个管子的 b-c 极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3。=1 2 第六章 集成运算放大电路一.集成运放电路的基本组成1.输入级-采用差放电路,以减小零漂.2。中间级-多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数.3。输出级-多采用互补对称电路以提高带负载能力。4.偏置电路-多采用电流源电路,为各级提供合
14、适的静态电流.二.长尾差放电路的原理与特点1.抑制零点漂移的过程-当T iC1、iC2 iE1、iE2 uE uBE1、uBE2 iB1、iB2 iC1、iC2。Re 对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。2 静态分析1)计算差放电路IC设UB0,则UE=0。7V,得 2)计算差放电路UCE双端输出时 单端输出时(设 VT1 集电极接RL)对于 VT1:(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)对于 VT2:3.动态分析 1)差模电压放大倍数 双端输出 单端输出时 从 VT1 单端输出:从 VT2 单端输出:2)差模输入电阻3)差模输出电阻双端输
15、出:单端输出:三.集成运放的电压传输特性当uI在+Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域:四.四.理想集成运放的参数及分析方法1。理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数 Aod;(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)*差模输入电阻 Rid;*输出电阻 Ro0;共模抑制比KCMR;2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区:*电路特征引入负反馈 电路特点“虚短和“虚断:“虚短”-“虚断”2)运放工作在非线性区 电路特征开环或引入正反馈*电路特点-输出电压的两种饱和状态:当u+u-时,uo=+Uom 当u+u时,uo=-Uom 两输入端的输入电流为零:i+=i=0
16、 第七章 放大电路中的反馈一.反馈概念的建立(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)开环放大倍数闭环放大倍数 反馈深度*环路增益:1当时,下降,这种反馈称为负反馈.2当时,表明反馈效果为零。3当时,升高,这种反馈称为正反馈。4当时,。放大器处于“自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1。反馈的范围-本级或级间.2。反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。3。反馈的取样-电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用.(输出短路时反馈消失)电流反馈:反馈量取样于输出电流。具
17、有稳定输出电流的作用。(输出短路时反馈不消失)4。反馈的方式并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs 越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端)(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs 越小反馈效果越好.反馈信号反馈到非输入端)5。反馈极性-瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号 的频率在中频段.(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升 高用+表示,降低用 表示).(3)确定反馈信号的极性.(4)根据 Xi 与 X f 的极性,确定净输
18、入信号的大小。Xid 减小为负反 馈;Xid 增大为正反馈.三。反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串 联(并联)负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性2.3.扩展频带4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声5.改变放大电路的输入、输出电阻 串联负反馈使输入电阻增加 1+AF 倍 并联负反馈使输入电阻减小 1+AF 倍(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)*电压负反馈使输出电阻减小 1+AF 倍 *电流负反馈使输出电阻增加 1+AF 倍五。自激振荡产生的原因和条件1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反
19、馈。2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为:第八章 信号的运算与处理分析依据-“虚断”和“虚短”一.基本运算电路1.反相比例运算电路 R2=R1/Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1/Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)4.同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55.加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5二.积分和微分运算电路1.积分运算2.微分运算 第九章 信号发生电路一.正弦波振荡电路的基本概念1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件:即幅值平衡条件:相位平衡条件:2.起振条件:幅值条件:相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类(完整)模拟电子技术基础-知识点总结(word 版可编辑修改)正弦波振荡器的组成(1)放大电路-建立和维持振荡。(2)正反馈网络与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4)稳幅环节-使波形幅值稳定,且波形的形状良好.正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-振荡频率较低,1M 以下;(2)LC振荡器-振荡频率较高,1M 以上;(3)石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。
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