半导体器件基础测试题.pdf

第一章第一章半导体器件基础测试题（高三）半导体器件基础测试题（高三）姓名姓名班次班次分数分数一、选择题1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB 两端的电压是。A、12V；B、6V；C、+6V；D、+12V。7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。A、用万用表的 R100 或 R1000 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的 R10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的 R100 或 R1000 的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的 R10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B 两点的电压正确的是。A、UA=3.5V，UB=3.5V，D 截止；B、UA=3.5V，UB=1.0V，D 截止；C、UA=1.0V，UB=3.5V，D 导通；D、UA=1.0V，UB=1.0V，D 截止。10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的是。A、UIU0IWIRURU0；B、UIU0IWIRURU0；C、UIU0IWIRURU0；D、UIU0IWIRURU0。12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是。A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。13、对于二极管来说，下列说法中错误的是。A、二极管具有单向导电性；B、二极管同样具有放大作用；C、二极管具有箝位功能；D、二极管具有开关等功能。14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube 之间的关系；B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce 之间的关系；C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic 之间的关系；D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie 之间的关系；15、下图中两只二极管的导通状态是。A、D1、D2导通；B、D1、D2截止；C、D1导通、D2截止；D、D1截止、D2导通。16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。A、UAO=15V；B、UAO=12V；C、UAO=-15V；D、UAO=-12V。17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。A、UAO=15V；B、UAO=12V；C、UAO=-12V；D、UAO=0V。18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。A、UAO=6V；B、UAO=6V；C、UAO=-12V；D、UAO=12V。19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。A、升高/升高；B、降低/降低；C、升高/降低；D、降低/升高。20、下列是 PN 结两端的电位值，使PN 结导通的是。A、P 端接+5V，N 端通过一电阻接+7V；B、N 端接+2V，P 端通过一电阻接+7V；C、P 端接3V，N 端通过一电阻接+7V；D、P 端接+1V，N 端通过一电阻接+6V。21、电路如图所示，R=1K，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数是。A、0.5V；B、15V；C、3V；D、以上答案都不对。22、如图所示，设输入信号ui 为正弦波，幅值为 1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，关于输出信号u0波形的说法，正确的是。A、输出电压值的范围介于-0.6V +0.6V 之间；B、输出电压值的范围介于-0V +0.6V 之间；C、输出电压值的范围介于-0.6V 0V 之间；D、输出电压值的范围介于0V 1V 之间。23、对于 3AG11C三极管的型号，下列说法正确的是。A、锗管 PNP 型高频小功率晶体管；B、锗管 PNP 型低频大功率晶体管；C、硅管 NPN 型高频小功率晶体管；D、硅管 NPN 型低频大功率晶体管；24、对于 3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是。A、锗管 PNP 型高频小功率晶体管；B、锗管 PNP 型低频大功率晶体管；C、硅管 NPN 型高频小功率晶体管；D、硅管 NPN 型低频大功率晶体管；25、对于 3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是。A、锗管 PNP 型高频小功率晶体管；B、锗管 PNP 型低频大功率晶体管；C、硅管 NPN 型高频小功率晶体管；D、硅管 NPN 型低频大功率晶体管26、对于 3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是。A、锗管 PNP 型高频小功率晶体管；B、锗管 PNP 型低频大功率晶体管；C、硅管 NPN 型高频小功率晶体管；D、硅管 NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。A、电压/电流；B、电流/电压；C、电压/电压；D、电流/电流28、电路其如图所示，D 为理想二极管，则 u0为。A、3V；B、6V；C、-3V；D、-6V。29、电路如下图所示，已知Rb=10K，Rc=1K，Ec=10V，晶体管的=50，Ube=0.7V，当 Ui=0V 时，三极管处于。A、截止状态；B、放大状态；C、饱和状态；D、击穿状态。二、判 断 下 列 说 法 是 否 正 确，用“”和“”表 示 判 断 结 果 填 入 空 内。（1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（）（2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V。四、已知稳压管的稳压值 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA。求下图所示电路中 UO1和 UO2各为多少伏。五、作图分析题1 1、电路如图所示，已知 ui10sint(v)，试画出 ui与 uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。2 2、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和 uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。