光学光刻要点.pptx

Microelectronic Fabrication&MEMS Technology1第第 7 7 章章 光学光刻光学光刻光刻光刻曝光曝光刻蚀刻蚀光源光源曝光方式曝光方式 7.1 7.1 光刻概述光刻概述光刻概述光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率分辨率分辨率分辨率、对准精度对准精度对准精度对准精度 和和生产效率生产效率生产效率生产效率。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology2涂光刻胶（正）涂光刻胶（正）选择曝光选择曝光 光刻工艺流程光刻工艺流程光刻工艺流程光刻工艺流程显影（第显影（第 1 次图形转移）次图形转移）刻蚀（第刻蚀（第 2 次图形转移）次图形转移）Microelectronic Fabrication&MEMS Technology338)显影后检查显影后检查5)曝光后烘焙曝光后烘焙6)显影显影7)坚膜坚膜UV LightMask 4)对准和曝光对准和曝光Resist2)涂胶涂胶3)前烘前烘1)气相成底膜气相成底膜HMDS光刻工艺的个步骤光刻工艺的个步骤Microelectronic Fabrication&MEMS Technology4光光源源紫外光（紫外光（UV）深紫外光（深紫外光（DUV）g 线：线：436 nm i 线：线：365 nm KrF 准分子激光：准分子激光：248 nm ArF 准分子激光：准分子激光：193 nm极紫外光（极紫外光（EUV），），10 15 nm X 射线，射线，0.2 4 nm 电子束电子束 离子束离子束Microelectronic Fabrication&MEMS Technology55VisibleRadio wavesMicro-wavesInfraredGamma raysUVX-raysf(Hz)1010101010101010101046810121416221820 (m)420-2-4-6-8-14-10-1210101010101010101010365436405248193157ghiDUVDUVVUV (nm)Common UV wavelengths used in optical lithography.电磁光谱电磁光谱Microelectronic Fabrication&MEMS Technology66 (nm)700455060065050045040035030025020015010050紫外光谱紫外光谱可见光可见光汞灯汞灯准分子激光准分子激光Photolithography light sourcesghi36540524819313436157126VioletRedBlueGreenYellow OrangeMid-UVEUVDUVVUV紫外光谱紫外光谱可见光谱：可见光谱：波长在波长在390nm到到780nm之间；之间；紫外光谱：紫外光谱：波长在波长在4nm到到450nm之间。之间。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology7有掩模方式有掩模方式无掩模方式无掩模方式（聚焦扫描方式）（聚焦扫描方式）接触式接触式非接触式非接触式接近式接近式投影式投影式反射反射折射折射全场投影全场投影步进投影步进投影扫描步进投影扫描步进投影矢量扫描矢量扫描光栅扫描光栅扫描混合扫描混合扫描曝曝光光方方式式Microelectronic Fabrication&MEMS Technology8 7.2 衍射衍射 当一个光学系统中的所有尺寸，当一个光学系统中的所有尺寸，如光源、反射器、透镜、掩模版上的如光源、反射器、透镜、掩模版上的特征尺寸等，都远大于光源波长时，特征尺寸等，都远大于光源波长时，可以将光作为在光学元件间直线运动可以将光作为在光学元件间直线运动的粒子来处理。的粒子来处理。但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把光的传输作为电磁波来处理，必须考虑光的传输作为电磁波来处理，必须考虑衍射和干涉衍射和干涉。由于衍射。由于衍射的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强增加，从而影响光刻的分辩率。增加，从而影响光刻的分辩率。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology9 7.3 调制传输函数和光学曝光调制传输函数和光学曝光无衍射效应无衍射效应有衍射效应有衍射效应光光强强Microelectronic Fabrication&MEMS Technology10 定义图形的定义图形的 调制传输函数调制传输函数调制传输函数调制传输函数 MTFMTF 为为 无衍射效应时，无衍射效应时，MTF=1；有衍射效应时；有衍射效应时，MTF 1。光栅的周期（或图形的尺寸）越小，则光栅的周期（或图形的尺寸）越小，则 MTF 越小；光的波长越小；光的波长越短，则越短，则 MTF 越大。越大。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology11 图形的分辩率还要受图形的分辩率还要受光刻胶对光强的响应特性光刻胶对光强的响应特性的影响。的影响。理想光刻胶：理想光刻胶：理想光刻胶：理想光刻胶：光强不到临界光强光强不到临界光强 Dcr 时不发生反应，光强时不发生反应，光强超过超过 Dcr 时完全反应，衍射只造成线宽和间距的少量变化。时完全反应，衍射只造成线宽和间距的少量变化。DcrD100D0 实际光刻胶：实际光刻胶：实际光刻胶：实际光刻胶：光强不到光强不到 D0 时不发生反应，光强介于时不发生反应，光强介于 D0 和和 D100 之间时发生部分反应，光强超过之间时发生部分反应，光强超过 D100 时完全反应，使线条时完全反应，使线条边缘出现模糊区。在一般的光刻胶中，当边缘出现模糊区。在一般的光刻胶中，当 MTF 0.4 时，图形时，图形不再能被复制。不再能被复制。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology12 7.4 光源系统光源系统 对光源系统的要求对光源系统的要求 1、有适当的波长。波长越短，曝光的特征尺寸就越小；、有适当的波长。波长越短，曝光的特征尺寸就越小；2、有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；、有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；3、曝光能量必须均匀地分布在曝光区。、曝光能量必须均匀地分布在曝光区。常用的常用的 紫外光紫外光紫外光紫外光 光源是高压弧光灯（高压汞灯）。高压汞灯光源是高压弧光灯（高压汞灯）。高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的 g g 线（线（线（线（436436 nmnm）或或 i i 线（线（线（线（365365 nmnm）。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology13高压汞灯的光谱线高压汞灯的光谱线120100806040200200300 400 500 600Relative Intensity(%)h-line405 nmg-line436 nmi-line365 nmDUV248 nmEmission spectrum of high-intensity mercury lampMicroelectronic Fabrication&MEMS Technology14 由于衍射效应是光学曝光技术中限制分辨率的主要因素，由于衍射效应是光学曝光技术中限制分辨率的主要因素，所以要提高分辨率就应使用波长更短的光源如所以要提高分辨率就应使用波长更短的光源如 深紫外光深紫外光深紫外光深紫外光。实际。实际使用的深紫外光源有使用的深紫外光源有 KrFKrF 准分子激光（准分子激光（准分子激光（准分子激光（248248 nmnm）、ArFArF 准分子准分子准分子准分子激光（激光（激光（激光（193193 nmnm）和和 F2 准分子激光（准分子激光（157 nm）等。等。深紫外光的曝光方式与紫外光基本相同，但需注意两点，深紫外光的曝光方式与紫外光基本相同，但需注意两点，1、光刻胶、光刻胶 2、掩模与透镜材料、掩模与透镜材料 248 nm 波长的光子能量为波长的光子能量为 4.9 eV，193 nm 波长的光子能量波长的光子能量为为 6.3 eV，而纯净石英的禁带宽度约为，而纯净石英的禁带宽度约为 8 eV。波长越短，掩模。波长越短，掩模与透镜材料对光能的吸收就严重，造成曝光效率降低和掩模与与透镜材料对光能的吸收就严重，造成曝光效率降低和掩模与透镜发热。透镜发热。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology15 各种光学曝光光源的使用情况各种光学曝光光源的使用情况各种光学曝光光源的使用情况各种光学曝光光源的使用情况 1985 年以前，几乎所有光刻机都采用年以前，几乎所有光刻机都采用 g 线线(436 nm)光源，光源，当时的最小线宽为当时的最小线宽为 1 m 以上以上。1985 年以后开始出现少量年以后开始出现少量 i 线线(365 nm)光刻机，相应的最小线宽为光刻机，相应的最小线宽为 0.5 m 左右。从左右。从 1990 年开年开始出现始出现 DVU 光刻机，相应的最小线宽为光刻机，相应的最小线宽为 0.25 m 左右。从左右。从1992年起年起 i 线光刻机的数量开始超过线光刻机的数量开始超过 g 线光刻机线光刻机。截止到。截止到 1998 年年，g 线、线、i 线和线和 DVU 光刻机的销售台数比例约为光刻机的销售台数比例约为 1:4:2。而目前。而目前DVU 光刻机的销售台数已经超过光刻机的销售台数已经超过 i 线光刻机。线光刻机。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology167.5 接触式与接近式光刻机接触式与接近式光刻机 一、接触式光刻机一、接触式光刻机一、接触式光刻机一、接触式光刻机SiU.V.MaskP.R.SiO2 优点：优点：优点：优点：设备简单；理论上设备简单；理论上 MTF 可达到可达到 1，因此分辨率比较，因此分辨率比较高，约高，约 0.5 m。缺点：缺点：缺点：缺点：掩模版寿命短（掩模版寿命短（10 20 次），硅片上图形缺陷多，次），硅片上图形缺陷多，光刻成品率低。光刻成品率低。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology17 二、接近式光刻机二、接近式光刻机二、接近式光刻机二、接近式光刻机g=10 50 m 优点：优点：优点：优点：掩模寿命长（可提高掩模寿命长（可提高 10 倍以上），图形缺陷少。倍以上），图形缺陷少。缺点：衍射效应严重，使分辨率下降。缺点：衍射效应严重，使分辨率下降。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology18 最小可分辨的线宽为最小可分辨的线宽为式中，式中，k 是与光刻胶处理工艺有关的常数，通常接近于是与光刻胶处理工艺有关的常数，通常接近于 1。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology19Microelectronic Fabrication&MEMS Technology20Microelectronic Fabrication&MEMS Technology217.6 投影式光刻机投影式光刻机式中，式中，k1 是与光刻胶的光强响应特性有关的常数，约为是与光刻胶的光强响应特性有关的常数，约为 0.75。NA 为镜头的为镜头的 数值孔径数值孔径数值孔径数值孔径，投影式光刻机的分辨率由投影式光刻机的分辨率由 雷利第一公式雷利第一公式雷利第一公式雷利第一公式 给出，即给出，即一、分辨率与焦深一、分辨率与焦深一、分辨率与焦深一、分辨率与焦深n 为折射率，为折射率，为半接收角。为半接收角。NA 的典型值是的典型值是 0.16 到到 0.8。增大增大 NA 可以提高分辨率，但却受到可以提高分辨率，但却受到 焦深焦深焦深焦深 的限制。的限制。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology2222透镜俘获衍射光NAUV012341234透镜透镜石英石英铬铬衍射图形衍射图形掩膜版掩膜版p数值孔径数值孔径(NA)：透镜收集衍射光的能力。：透镜收集衍射光的能力。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology23 分辨率与焦深对波长和数值孔径有相互矛盾的要求，需要分辨率与焦深对波长和数值孔径有相互矛盾的要求，需要折中考虑。增加折中考虑。增加 NA 线性地提高分辨率，平方关系地减小焦深，线性地提高分辨率，平方关系地减小焦深，所以一般选取较小的所以一般选取较小的 NA。为了提高分辨率，可以缩短波长。为了提高分辨率，可以缩短波长。焦深焦深焦深焦深 代表当硅片沿光路方向移动时能保持良好聚焦的移动代表当硅片沿光路方向移动时能保持良好聚焦的移动距离。投影式光刻机的焦深由距离。投影式光刻机的焦深由 雷利第二公式雷利第二公式雷利第二公式雷利第二公式 给出，即给出，即Microelectronic Fabrication&MEMS Technology24二、二、二、二、1:1 1:1 扫描反射投影光刻机扫描反射投影光刻机扫描反射投影光刻机扫描反射投影光刻机Microelectronic Fabrication&MEMS Technology25掩模掩模硅片硅片反射凹镜反射凹镜反射凸镜反射凸镜光源光源优点优点优点优点 1、掩模寿命长，图形缺陷少。、掩模寿命长，图形缺陷少。2、无色散，可以使用连续波长、无色散，可以使用连续波长光源，无驻波效应。无折射系统光源，无驻波效应。无折射系统中的象差、弥散等的影响。中的象差、弥散等的影响。3、曝光效率较高。、曝光效率较高。缺点缺点 数值孔径数值孔径 NA 太小，是限制太小，是限制分辨率的主要因素。分辨率的主要因素。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology26 三、分步重复缩小投影光刻机三、分步重复缩小投影光刻机三、分步重复缩小投影光刻机三、分步重复缩小投影光刻机 随着线宽的不断减小和晶片直径的增大，随着线宽的不断减小和晶片直径的增大，分辨率与焦深的分辨率与焦深的分辨率与焦深的分辨率与焦深的矛盾矛盾矛盾矛盾、线宽与视场线宽与视场线宽与视场线宽与视场的矛盾的矛盾的矛盾的矛盾 越来越严重。为解决这些问题，开发越来越严重。为解决这些问题，开发出了分步重复缩小投影曝光机（出了分步重复缩小投影曝光机（Direct Step on the Wafer，简称简称 DSW，Stepper）。早期采用）。早期采用 10:1 缩小，现在更常用的缩小，现在更常用的是是 5:1 或或 4:1。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology27光源光源聚光透镜聚光透镜投影器投影器掩模掩模硅片硅片Microelectronic Fabrication&MEMS Technology28UV lightReticle field size20 mm 15mm,4 die per field5:1 reduction lensWafer图形曝光在硅片上是投影掩膜版上视场的1/5 4 mm 3 mm,4 die 每次曝光曲折的步进图形Microelectronic Fabrication&MEMS Technology29Microelectronic Fabrication&MEMS Technology30Microelectronic Fabrication&MEMS Technology31 缺点缺点 1、曝光效率低；、曝光效率低；2、设备复杂、昂贵。、设备复杂、昂贵。优点优点优点优点 1、掩模版寿命长，图形缺陷少；、掩模版寿命长，图形缺陷少；2、可以使用高数值孔径的透镜来提高分辨率，通过分步、可以使用高数值孔径的透镜来提高分辨率，通过分步聚焦来解决焦深问题，可以在大晶片上获得高分辨率的图形；聚焦来解决焦深问题，可以在大晶片上获得高分辨率的图形；3、由于掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可、由于掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。当芯片的面积继续增大时，例如当芯片的面积继续增大时，例如 4G DRAM 的面积已达到的面积已达到 3232 mm2，线宽为，线宽为 0.13 m，已达到视场的极限，已达到视场的极限。于是又出。于是又出现了步进扫描投影曝光机，当然设备就更加复杂和昂贵了。现了步进扫描投影曝光机，当然设备就更加复杂和昂贵了。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology32 7.7 先进掩模概念先进掩模概念 一、保护薄膜一、保护薄膜一、保护薄膜一、保护薄膜 分步重复缩小投影虽然可以减少小缺陷的影响，但大缺陷分步重复缩小投影虽然可以减少小缺陷的影响，但大缺陷的影响更严重，因为它可以被复制到每一个小视场中。的影响更严重，因为它可以被复制到每一个小视场中。解决的办法是给步进机的掩模版蒙上一层保护薄膜，并使解决的办法是给步进机的掩模版蒙上一层保护薄膜，并使薄膜离开掩模版表面约薄膜离开掩模版表面约 1 cm。这样可使任何落在薄膜上的颗粒。这样可使任何落在薄膜上的颗粒保持在光学系统的聚焦平面之外。保持在光学系统的聚焦平面之外。另一种用于接触式光刻机的保护薄膜直接涂在掩模版上另一种用于接触式光刻机的保护薄膜直接涂在掩模版上，它可以使接触式光刻在保持高分辨率优点的同时，提高掩模版它可以使接触式光刻在保持高分辨率优点的同时，提高掩模版的使用寿命，减少芯片上的缺陷。的使用寿命，减少芯片上的缺陷。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology33二、抗反射膜二、抗反射膜二、抗反射膜二、抗反射膜 光线在掩模版和透镜表面的部分反射会使光能受到损失。光线在掩模版和透镜表面的部分反射会使光能受到损失。有些光线经多次反射后会打到硅片上，使图形质量受到影响。有些光线经多次反射后会打到硅片上，使图形质量受到影响。为了减小这个问题，一种新掩模技术采用在掩模版靠近镜头的为了减小这个问题，一种新掩模技术采用在掩模版靠近镜头的一面加上一面加上 10%的抗反射剂。的抗反射剂。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology34 由公式由公式可知，由于可知，由于 NA 对焦深的作用更大，所以通常希望采用较小的对焦深的作用更大，所以通常希望采用较小的NA 值。一般将值。一般将 NA 值取为值取为 0.16 到到 0.6。当。当 k1 为为 0.75 时，有时，有 上式在一段时期内被认为是光学曝光法的分辨率极限。若上式在一段时期内被认为是光学曝光法的分辨率极限。若要进一步减小线宽，只能采用波长更短的光源，例如要进一步减小线宽，只能采用波长更短的光源，例如 X 射线。射线。三、相移掩模技术三、相移掩模技术三、相移掩模技术三、相移掩模技术 Microelectronic Fabrication&MEMS Technology35 对光刻胶和镜头等的改进只能稍微减小对光刻胶和镜头等的改进只能稍微减小 k1 值。而值。而 相移掩模相移掩模相移掩模相移掩模技术技术技术技术 等等 超分辨率技术超分辨率技术超分辨率技术超分辨率技术 的发明使的发明使 k1 突破性地下降了一半以上突破性地下降了一半以上，从而使分辨率极限进入了从而使分辨率极限进入了 亚波长亚波长亚波长亚波长 范围，使范围，使 i 线和深紫外光线和深紫外光 的分的分辨率分别达到了辨率分别达到了 0.25 m 和和 0.10 m以下，同时也使以下，同时也使 X 射线光刻射线光刻机的使用比原来预期的大大推迟。机的使用比原来预期的大大推迟。除了相移掩模技术外，超分辨率技术还包括除了相移掩模技术外，超分辨率技术还包括 光学邻近效应光学邻近效应光学邻近效应光学邻近效应修正技术修正技术修正技术修正技术、双层及多层光刻胶技术双层及多层光刻胶技术双层及多层光刻胶技术双层及多层光刻胶技术 和和 浸没式镜头浸没式镜头浸没式镜头浸没式镜头 等。等。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology36 相移掩模技术的关键是在掩模的透光区相间地涂上相移层，相移掩模技术的关键是在掩模的透光区相间地涂上相移层，并使用相干光源。这使透过相邻透光区的光线具有相反的相位，并使用相干光源。这使透过相邻透光区的光线具有相反的相位，从而使其衍射部分因干涉作用而相互抵消。从而使其衍射部分因干涉作用而相互抵消。相移掩模技术对制版技术提出了新的要求，如相移材料的选择、相移掩模技术对制版技术提出了新的要求，如相移材料的选择、制备与加工，制版软件中对相移层图形的设计等。制备与加工，制版软件中对相移层图形的设计等。掩模版掩模版掩模处的光幅度掩模处的光幅度衬底处的光幅度衬底处的光幅度衬底处的光强度衬底处的光强度相移掩模相移掩模普通掩模普通掩模Microelectronic Fabrication&MEMS Technology37 边缘相移掩模技术边缘相移掩模技术Microelectronic Fabrication&MEMS Technology38 把掩模设想为一个曝光矩阵把掩模设想为一个曝光矩阵 M，由许多，由许多 0 和和 1 的像素组成，的像素组成，0 代表透明区，代表透明区，1 代表不透明区。当用这块掩模对硅片曝光后，代表不透明区。当用这块掩模对硅片曝光后，在硅片表面可以得到一个包含相同数目像素的图形矩阵在硅片表面可以得到一个包含相同数目像素的图形矩阵 W。在。在理想情况下，这两个矩阵应该相同。但是在实际情况下，由于理想情况下，这两个矩阵应该相同。但是在实际情况下，由于曝光工艺会造成硅片表面图形的畸变，从而影响图形矩阵曝光工艺会造成硅片表面图形的畸变，从而影响图形矩阵 W。可以建立一个矩阵可以建立一个矩阵 S 来表示从矩阵来表示从矩阵 M 到矩阵到矩阵 W 的变化，即的变化，即 W=SM 矩阵矩阵 S 中包含了光学系统的所有信息。理想的中包含了光学系统的所有信息。理想的 S 是一个单位是一个单位矩阵，但实际上它包含了反映图形畸变的非对角元素。矩阵，但实际上它包含了反映图形畸变的非对角元素。四、光学邻近效应修正技术四、光学邻近效应修正技术四、光学邻近效应修正技术四、光学邻近效应修正技术 Microelectronic Fabrication&MEMS Technology39 所谓光学邻近效应修正（所谓光学邻近效应修正（OPC）就是求出矩阵）就是求出矩阵 S 的逆矩阵的逆矩阵 S-1，用来对原来的掩模进行修正，得到新掩模的曝光矩阵为，用来对原来的掩模进行修正，得到新掩模的曝光矩阵为 M1=S-1M 用新掩模对硅片曝光后得到的图形矩阵为用新掩模对硅片曝光后得到的图形矩阵为 W1=SM1=S S-1M=M 于是在硅片上得到了与原来掩模完全相同的图形。于是在硅片上得到了与原来掩模完全相同的图形。矩阵矩阵 S-1是很大的，可能包含是很大的，可能包含 1010 个以上的像素，但也是一个以上的像素，但也是一个很稀疏的矩阵。如果结合应用多层部分吸收材料，可以得到个很稀疏的矩阵。如果结合应用多层部分吸收材料，可以得到更精细的更精细的 OPC 掩模版，但价格也十分昂贵。掩模版，但价格也十分昂贵。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology407.8 表面反射和驻波表面反射和驻波 一、表面反射一、表面反射一、表面反射一、表面反射 穿过光刻胶的光会从硅片表面反射出来，从而改变光刻胶穿过光刻胶的光会从硅片表面反射出来，从而改变光刻胶吸收的光能，特别是硅片表面的金属层会反射较多的光。吸收的光能，特别是硅片表面的金属层会反射较多的光。硅片表面倾斜的台阶侧面会将光反射到非曝光区。硅片表面倾斜的台阶侧面会将光反射到非曝光区。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology41 解决办法解决办法 1、改变淀积参数以控制薄膜的反射率；、改变淀积参数以控制薄膜的反射率；2、使表面平坦化；、使表面平坦化；3、在光刻胶下加一层抗反射膜、在光刻胶下加一层抗反射膜Microelectronic Fabrication&MEMS Technology42 二、驻波二、驻波二、驻波二、驻波 驻波是由入射光和反射光之间的干涉造成的。驻波的波节驻波是由入射光和反射光之间的干涉造成的。驻波的波节与波腹之间的间隔为与波腹之间的间隔为/4n=0.16。对于。对于=200 400 nm 的紫外的紫外光，此间隔为光，此间隔为 32 64 nm，小于光刻胶厚度。胶中不同的光强，小于光刻胶厚度。胶中不同的光强分布，将导致不同的显影速率，给线宽的控制带来困难。分布，将导致不同的显影速率，给线宽的控制带来困难。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology437.9 对准对准 大规模集成电路制造对光刻对准的规定是，对准误差应该大规模集成电路制造对光刻对准的规定是，对准误差应该不大于特征尺寸的不大于特征尺寸的 1/4 到到 1/3。为了便于对准，在掩模上必须设置专门的对准标记。通过为了便于对准，在掩模上必须设置专门的对准标记。通过比较硅片表面的反射光和透过掩模返回的光来实现对准。比较硅片表面的反射光和透过掩模返回的光来实现对准。在步进光刻机上通常有自动对准系统。为了提高对准效率，在步进光刻机上通常有自动对准系统。为了提高对准效率，可以先作一次人工对准。可以先作一次人工对准。掩模的热膨胀也会产生对准误差。为避免掩模的热膨胀也会产生对准误差。为避免 8 英寸掩模产生英寸掩模产生0.1 m 的膨胀，掩模的温度变化必须控制在的膨胀，掩模的温度变化必须控制在 0.75 C 左右。左右。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology447.10 小结小结 限制光学曝光方式的分辨率的主要因素是衍射效应。最早限制光学曝光方式的分辨率的主要因素是衍射效应。最早使用的接触式光刻机，分辨率可到使用的接触式光刻机，分辨率可到 1 m以下，但容易损伤掩模以下，但容易损伤掩模和硅片。解决的办法是使用接近式光刻机，但要影响分辨率。和硅片。解决的办法是使用接近式光刻机，但要影响分辨率。介绍了具有亚微米分辨率的投影曝光系统。为了解决分辨率和介绍了具有亚微米分辨率的投影曝光系统。为了解决分辨率和焦深之间的矛盾，可以采用分步重复的方式。最后介绍了通过焦深之间的矛盾，可以采用分步重复的方式。最后介绍了通过改进掩模制作提高分辨率的方法，即相移掩模技术和光学邻近改进掩模制作提高分辨率的方法，即相移掩模技术和光学邻近效应修正技术。效应修正技术。随着光刻技术的不断发展，光学曝光的分辨率已进入亚波随着光刻技术的不断发展，光学曝光的分辨率已进入亚波长范围。现在利用长范围。现在利用 193 nm 光源及光源及 OPC 技术，已获得技术，已获得 0.13 m的的线宽，预期可达到线宽，预期可达到 0.10 m，甚至达到，甚至达到 0.07 m。Microelectronic Fabrication&MEMS Technology45光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结接接触触式式非非接接触触式式优点：设备简单，分辨率较高优点：设备简单，分辨率较高缺点：掩模版与晶片易损伤，成品率低缺点：掩模版与晶片易损伤，成品率低接近式接近式优点：掩模版寿命长，成本低优点：掩模版寿命长，成本低缺点：衍射效应严重，影响分辨率缺点：衍射效应严重，影响分辨率投影式投影式全反射全反射折射折射优点：无像差，无驻波效应影响优点：无像差，无驻波效应影响缺点：数值孔径小，分辨率低缺点：数值孔径小，分辨率低优点：数值孔径大，分辨率高，优点：数值孔径大，分辨率高，对硅片平整度要求低，对硅片平整度要求低，掩模制造方便掩模制造方便缺点：曝光效率低，设备昂贵缺点：曝光效率低，设备昂贵Microelectronic Fabrication&MEMS Technology46 习习 题题 1 1、一位工程师用一个、一位工程师用一个、一位工程师用一个、一位工程师用一个 ArFArF 激光代替一个简单接触式光刻激光代替一个简单接触式光刻激光代替一个简单接触式光刻激光代替一个简单接触式光刻机的光源，来得到一台便宜的能曝光细线条的光刻机。机的光源，来得到一台便宜的能曝光细线条的光刻机。机的光源，来得到一台便宜的能曝光细线条的光刻机。机的光源，来得到一台便宜的能曝光细线条的光刻机。（a a）这位工程师可能会遇到的两个什么问题？）这位工程师可能会遇到的两个什么问题？）这位工程师可能会遇到的两个什么问题？）这位工程师可能会遇到的两个什么问题？（b b）如果光刻胶的厚度为）如果光刻胶的厚度为）如果光刻胶的厚度为）如果光刻胶的厚度为1.01.0 m（这相当于接近式曝光的（这相当于接近式曝光的（这相当于接近式曝光的（这相当于接近式曝光的缝隙），可达到的最小特征尺寸是多少？缝隙），可达到的最小特征尺寸是多少？缝隙），可达到的最小特征尺寸是多少？缝隙），可达到的最小特征尺寸是多少？（c c）如果要得到）如果要得到）如果要得到）如果要得到 0.10.1 m的分辨率，的分辨率，光刻胶的厚度必须多薄光刻胶的厚度必须多薄光刻胶的厚度必须多薄光刻胶的厚度必须多薄？这会带来什么问题？这会带来什么问题？这会带来什么问题？这会带来什么问题？2、在投影式曝光技术中，分辩率与焦深之间存在着什么矛、在投影式曝光技术中，分辩率与焦深之间存在着什么矛盾？如何协调这个矛盾？分步重复曝光有什么优点？盾？如何协调这个矛盾？分步重复曝光有什么优点？