微电子实验报告一.doc

微电子电路实验报告
实验一 MOS管的基本特性
班级 姓名 学号 指导老师 袁文澹
一、实验目的
1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；
2、 熟练掌握MOS管基本特性；
3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求
1、熟悉Hspice仿真工具；
2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V和5V时的输出特性曲线；
三、实验原理
1、 N沟道增强型MOS管电路图

a) 当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。
b) 当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。
c) 当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。但当出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。
2、 NMOS管的输出特性曲线

四、实验方法与步骤
实验方法：
计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。）
软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。）
实验步骤：
1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。并以aaa.sp文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。
3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。…
6、仿真平台各结果信息说明.

五、实验仿真结果及其分析
1、 仿真过程
1） 源代码
*Sample netlist for GSMC 对接下来的网表进行分析

.TEMP 25.0000 $温度仿真设定

.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值

.lib 'gd018.l' TT $使用库文件

* --- Voltage Sources ---
vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源
vgs g 0 0 $分析栅源电压
vds d 0 dc=5 $分析漏源电压
vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压

* --- Inverter Subcircuit ---
Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数

* --- Transient Analysis ---
.dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析
$vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1
$vgs取1V、2V、3V、4V、5V

.print dc v(d) i(Mnmos) $输出语句。直流模式输出节点d的电平。输出Mnmos的电流

.end $结束语句。

2） 编译或调试过程
编译与调试并未出错
2、 仿真结果及分析
1) 仿真结果
1V
2V
3V
4V
5V

仿真结果如上图所示，从上到下依次为Ugs 为5V、4V、3V、2V、1V，
且图中4V与5V的线在中途出现相交现象
1V
将Ugs数值改成3V、2.5V、2V、1.5V、1V，仿真结果如下图所示：

25V
3V
2V
1.5V
1V

2) 仿真结果分析
在第一张仿真实验图中出现两线相交的情况，经分析是由于头文件gd018.L里面定义了NCH，NCH只能承受3.3V的电压，而上面第一张图也确实是当Vgs超过3.3V时才出现的错误，所以将Ugs取为1V、1.5V、2V、2.5V、3V ，输出特性曲线如第二张图片所示，没有出现相交的情况，可知输出特性曲线符合预期。

六、实验结论
实验结论
击
穿
区

预夹断轨迹
可变电阻区
恒
流
区

1） 可变电阻区：
图中的虚线为预夹断轨迹，当Ugs愈大时，预夹断的Uds也愈大
2） 恒流区
当Uds> Ugs-UGS（OFF）时，各曲线近似为水平平行线，当Uds 增大时，Id仅略有增大
3） 击穿区
当Uds过大时，就会出现击穿现象，即上图右侧区域
七、实验心得

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