模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章半导体器件习题答案(大题).doc

习题：
一． 填空题
1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管，利用发光材料可制成 发光 二级管，利用PN结的光敏性可制成 光敏（光电） 二级管。
3. 在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导
体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时 导通 外加反向电压时 截止 这种特性称为PN结的 单向导电性 。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。
8.. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电，因此三极管又称为 双极型 晶体管。
11.设晶体管的压降UCE 不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中

题表2-1
二．选择题
1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压
2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路 B.短路 C.不能确定
3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
A.增大 B.不变 C.减小
5.工作在放大区的某晶体管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。
A.83 B.91 C.100
6.当场效应管的漏极直流电流ID从２mA变为４mA时，它的低频跨导gm将 C 。
A、增大　　　B、不变　　　C、减小
7.uGS＝０时，能够工作在恒流区的场效应管有 A　 和 　C 。
A、结型管　　　B、增强型MOS管　　　C、耗尽型MOS管
8.场效应管属于__A____控制型器件，晶体三极管则属于___B___控制器件。
A、电压 B、电流 C、电感 D、电容。
9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别
是 C ,该管是 E
A、(e b c) B、(b c e) C、(b e c ) D、(pnp) E、(npn)

10.如题图2-1所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、
VD3的工作状态为( A )。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止
B. VD2导通， VD1 、 VD3截止
C. VD3导通， VD1 、 VD2截止
11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的
稳定电压为15V，输出电压UO等于( B )。
A．15V B．9V C．24V

题图2-1 题图2-2

三、 分析题
1. 二极管电路如题图2-3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。
（1） 试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的等效直流电阻为多少？
+
6V
D
R

100

题图2-3

解：（1）流过二极管的直流电流也就是题图2-3的回路电流，即
==53mA
(2) ==13.2

2. 二极管电路如题图2-4所示。
（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载的电流为多少？
（2）设二极管可看作是恒压降二极管，并设二极管的导通电压V，试问流过负载的电流是多少？
（3）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？
D
题图2-4
10V
+

E
RL
100

解：（1）mA
（2）mA
（3）

3. 二极管限幅电路如题图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。

题图2-5
解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图2-5(a)所示。
(2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝2V。其相应波形如答图2-5(b)所示。

答图2-5
4.电路如题图2-5所示，已知,,。稳压管的稳定电压,稳定电流,最大稳定电流，求流过稳压管的电流。如果断开，将会出现什么问题，的最大值为多少
题图2-6

解：（1）

(2) 若断开，则：==25mA>20mA,稳压管将因电流过大而被烧坏。
（3）==2K

5.写出题图2-7所示各路的输出电压值，设二极管导通电压UD =0.7V。

题图2-7

解： U01=1.3V, U02=0， U03=-1.3V,
U04=2V, U05=1.3V, U06=-2V

6.分别判断如题图2-7所示电路中的晶体管是否有可能工作在放大状态？

题图2-7
解：（a）可能（b）可能（c）不可能
（d）不可能（e）可能

7.已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2-8所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。
0.7V
8V
0V
(a)
-0.7V
-8V
0V
(b)
4V
1V
3.7V
(c)
4V
4.3V
9V
(d)
题图2-8

解：
8V
0V
0.7V
硅NPN
-8V
0V
-0.7V
硅PNP
1V
4V
3.7V
锗PNP
9V
4.3V
锗NPN
4V
题图（a）：
题图（b）：
题图（c）：

题图（d）：

8.已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2-9所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。
-5V
-0.3V
0V
3AX81
(a)
12V
3V
0V
(d)
3DG8
6.6V
6.3V
7V
3CG21
(c)
8V
2.5V
3V
(b)
3BX1
题图2-9

解：题图（a）3AX为PNP锗管，V（正偏），V（反偏），放大状态
题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态
题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态
题图（d）：e结开路，晶体管损坏

9.现有两只稳压管，他们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压均为0.7V，试问：
（1）若将它们串联连接，则可得到几种稳压值？分别为多少？
（2）若将它们串联连接，则可得到几种稳压值？分别为多少？

10. 在题图2-10所示电路中，设稳压管的Uz＝5V，正向导通压降为0.7V。若ui＝10 sinωt(V)，试画出u0的波形。

题图2-10

解：当ui≥5V时，Vz击穿，u0＝5V。当ui≤一0.7V时，Vz正向导通，u0＝一0.7V。
当一0.7V＜ui＜5V时，Vz截止，u0＝ui。由此画出的u0波形如答图2-10所示。

11.在题图2-11 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图2-11(b)

所示，试画出u0的波形。

题图2-11

解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3V。u1、u2均为0时，uo＝一0.7V。其波形答图2-11(c)所示。

12.电路如题图2-12所示，已知ui =5Sinωt(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形，并标出幅值。

题图2-12
解：此电路为双向限幅电路，分析当Ui正半周时。。。当Ui正半周时。。。