12V250W单输出正激式变换器设计.pptx

12V/250单输出正激式变换器设计导师：导师：答辩人：答辩人：答辩时间：答辩时间：论文框架研究背景研究背景课题方向课题方向论文要点论文要点结论结论1234研究背景电源是各种电气设备不可或缺的组成部分电源是各种电气设备不可或缺的组成部分开关电源效率高、体积小、安全可靠开关电源效率高、体积小、安全可靠提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们不断努力追求的目标。量化，是人们不断努力追求的目标。电源的高频化是国际电力电子界研究的热点电源的高频化是国际电力电子界研究的热点之一。之一。课题方向 本课题主要针对多媒体计算机电源进行本课题主要针对多媒体计算机电源进行研究，即研究，即12V/250W正激式变换器。正激式变换器。论文要点正激式变换器简述正激式变换器简述按设计指标要求完成对按设计指标要求完成对12V/250W12V/250W正激式变换正激式变换器的电路设计。器的电路设计。电路中所用器件的参数计算。电路中所用器件的参数计算。对整体电路进行仿真分析。对整体电路进行仿真分析。正激式变换器的原理图正激式变换器工作原理概括 主功率开关管与变压器副边整流管的开通时间相同：当前者导通时后者也导通，当前者截止时后者也截止。12V250W单输出正激式变换器的技术指标输出电流输出电流IoutIout在在10m10m内从内从10A10A变化到变化到20A20A的情况下，最大的情况下，最大MOSFETMOSFET降额因子降额因子二极管降额因子二极管降额因子计算所需的变压器匝数比 给定最大占空比为给定最大占空比为45%45%，效率为，效率为90%90%，基于经，基于经验公式，可写出：验公式，可写出：从上式求匝数比，得到：从上式求匝数比，得到：MOSFET选择 MOSFET MOSFET的选择基于最大输入电压和降额因子的选择基于最大输入电压和降额因子(kd=0.85)(kd=0.85)。如果选择耐压为。如果选择耐压为500V500V的器件的器件(在双开关在双开关反激式变换器中，晶体管应力受输入电压限制反激式变换器中，晶体管应力受输入电压限制)，最，最大输入电压必须限制在：大输入电压必须限制在：在浏览了多个制造商网站后，选择在浏览了多个制造商网站后，选择International International RectifierRectifier公司制造的公司制造的IRFB16N50KPBFIRFB16N50KPBF型型MOSFETMOSFET。该。该器件的技术指标如下：器件的技术指标如下：IRFB16N50KPBFIRFB16N50KPBFTO220ABTO220AB 的情况下，的情况下，缓冲器安装 如果在如果在MOSFETMOSFET漏源两端安装缓冲器，可以使漏源两端安装缓冲器，可以使漏源电压上升稍作延迟。结果，电压和电流交叠漏源电压上升稍作延迟。结果，电压和电流交叠区域面积会稍有减小。如在交叠期间忽略区域面积会稍有减小。如在交叠期间忽略R R和和D D，则则C C直接连接于直接连接于MOSFETMOSFET的漏源两端。的漏源两端。RCDRCD缓冲器有缓冲器有助于减小截止损耗。助于减小截止损耗。带缓冲器电容的电路截止期间的波形二极管选择 原边续流二极管的选择与变压器磁化电感有关。原边续流二极管的选择与变压器磁化电感有关。通常，在离线应用中，电流值保持足够低以适应通常，在离线应用中，电流值保持足够低以适应1A1A二极管。二极管。在本应用中，在本应用中，MUR160MUR160型二极管可满足要求。型二极管可满足要求。在正激式变换器中，两个副边二极管的峰值反在正激式变换器中，两个副边二极管的峰值反向电压向电压(PIV)(PIV)类似类似。通过计算我们得到通过计算我们得到PIV=34VPIV=34V。那么本应用中副边二极管可使用反向耐压为那么本应用中副边二极管可使用反向耐压为100V100V的肖特基二极管。的肖特基二极管。最终变换器电路含功率MOSFET模型的最后仿真电路瞬态仿真结果瞬态仿真结果结论随着多媒体电子计算机设备的应用越来越随着多媒体电子计算机设备的应用越来越广泛，也要求能够提供稳定的电源。本论广泛，也要求能够提供稳定的电源。本论文就文就12V/250W12V/250W单输出正激式变换器的工作单输出正激式变换器的工作原理作了分析，计算了变压器的匝数比、原理作了分析，计算了变压器的匝数比、开关器件的参数，就开关器件的选择、电开关器件的参数，就开关器件的选择、电路图的设计、以及电路图的仿真、测试、路图的设计、以及电路图的仿真、测试、分析等作了一定的研究。完成了对于该开分析等作了一定的研究。完成了对于该开关电源的设计关电源的设计。