半导体三极管市公开课一等奖百校联赛获奖课件.pptx

极管类型管脚电极。2.能识别三极管类型。能识别三极管类型。1掌握三极管掌握三极管结构特点、类型结构特点、类型、分类方法、分类方法和电路符号和电路符号。2了解三极管了解三极管电流分配关系及电流放大作用电流分配关系及电流放大作用。3.了解三极管工作条件。了解三极管工作条件。【知识知识目目标标】【能力能力目目标标】随州市高级技工学校随州市工业学校第6页引言引言 半半导导体体三三极极管管又又称称为为晶晶体体管管或或双双极极型型三三极极管，是组成各种电子电路关键器件。管，是组成各种电子电路关键器件。6.4 6.4 1.1.三级管结构和类型三级管结构和类型（P 147P 147、148148）三极管有三极管有:三个电极三个电极 两个结两个结 三个区三个区随州市高级技工学校随州市工业学校第7页2 2、三极管基本结构、三极管基本结构NPNNPN型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管电路符号中箭头表示发射结加正偏电压时电流方向电路符号中箭头表示发射结加正偏电压时电流方向.随州市高级技工学校随州市工业学校第8页半导体三极管半导体三极管BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管符号符号随州市高级技工学校随州市工业学校第9页半导体三极管半导体三极管三极管分类分类1.1.按结构区分：有按结构区分：有NPNNPN型和型和PNPPNP型。型。3.3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。2.2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。按材料区分：有硅三极管和锗三极管。4.4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管 5 5.按安装方式按安装方式:插件三极管、贴片三极管。插件三极管、贴片三极管。随州市高级技工学校随州市工业学校第10页半导体三极管半导体三极管6.4.2三极管电流分配与放大作用一、一、试验电路试验电路 （其中（其中VCCVBB）调整电位器调整电位器R RP P阻值，以改变阻值，以改变I IB B。随州市高级技工学校随州市工业学校第11页测测得得基基极极电电流流I IB B、集集电电极极电电流流I IC C和和发发射射极极电电流流I IE E对对应应数数据如表所表示。据如表所表示。因因 IB 很小，则很小，则IC IE IE=IC+IB由表可见，三极管中由表可见，三极管中电流分配关系电流分配关系以下：以下：IB/uA10203040IC/mA0.781.582.373.16IE/mA0.801.602.403.202 2 试验数据及电流分配关系随州市高级技工学校随州市工业学校第12页 5 5、三极管电流放大特征、三极管电流放大特征三极管主要功效是实现三极管主要功效是实现电流放大电流放大。其。其实质实质是三极管能以基极是三极管能以基极电流电流I IB B微小改变量来控制集电极电流微小改变量来控制集电极电流I IC C较大改变量。较大改变量。随州市高级技工学校随州市工业学校第13页要使三极管含有要使三极管含有放大作用放大作用，必须给管子，必须给管子发射结发射结加正偏电加正偏电压，压，集电结集电结加反偏电压。加反偏电压。N NP PN N集电结集电结发射结发射结随州市高级技工学校随州市工业学校第14页 2交流电流放大系数交流电流放大系数 表示三极管放大交流电流能力表示三极管放大交流电流能力 1直流电流放大系数直流电流放大系数 表示三极管放大直流电流能力表示三极管放大直流电流能力IB/uA10203040IC/mA0.781.582.373.16IE/mA0.801.602.403.20 三极管电流放大作用三极管电流放大作用试验数据：试验数据：随州市高级技工学校随州市工业学校第15页练一练1、三极管含有_特征，这是三极管一个主要特征，同时也说明了三极管是一个_控制元件。电流放大电流放大电流电流2、三极管工作在放大状态时，发射结处于_偏置，集电结处于_偏置。正向正向反向反向随州市高级技工学校随州市工业学校第16页半导体三极管半导体三极管3、一个正常工作三极管各脚对地电位分别为：V1=11.6V V2=2V V3=2.7V,判断管子电极名称和类型解：V3电位居中-3脚：b极 U32=0.7V-2脚：e极 1脚：c极 Vc Vb Ve NPN1 12 23 3随州市高级技工学校随州市工业学校第17页半导体三极管半导体三极管课堂小结 三极管结构特点：三极管结构特点：三极、三区、二极三极、三区、二极三极管基本特征：三极管基本特征：含有电流放大作用：含有电流放大作用：工作条件：工作条件：外部条件：外部条件：发射射结正偏，集点正偏，集点结反偏，即：反偏，即：NPN型三极管：型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：型三极管：Vc Vb Ve 两个数量关系：两个数量关系：IE=IC+IB IC=IB一个主要数据：一个主要数据：UBE0.7V或或0.3V随州市高级技工学校随州市工业学校第18页拓展知识随州市高级技工学校随州市工业学校第19页随州市高级技工学校随州市工业学校第20页在在半半导导体体生生产产中中，常常碰碰到到产产品品成成品品率率和和可可靠靠性性不不高高等等问问题题，经经分分析析表表明明，空空气气中中尘尘埃埃沾沾污污是是最最主主要要原原因因之一。之一。车车间间中中空空气气尘尘埃埃多多少少用用洁洁净净度度来来表表示示，空空气气中中每每立立方方英英尺尺0.5um0.5um尘尘埃埃数数量量多多少少，就就称称为为多多少少级级。洁洁净净度级数越低对器件生产越有利。度级数越低对器件生产越有利。随州市高级技工学校随州市工业学校第21页半导体三极管半导体三极管作业1.1.画出三极管符号画出三极管符号2.2.说出三极管内部结构特点说出三极管内部结构特点3.3.书本书本P P154-6-10154-6-10练习。练习。随州市高级技工学校随州市工业学校第22页THANKS感激各位YourName请各位老师指正请各位老师指正随州市高级技工学校随州市工业学校第23页