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一阶HDI设计规范.doc

1、致:设计部 日期:2011年08 月05 日由:HDI工艺 编号:审核: 批准:主题:一阶HDI设计规范 一阶HDI设计规范1.0目的: 制定一阶镭射盲孔板的流程及设计规范2.0范围: 适用于一阶镭射盲孔板的制作3.0职责; 工艺部:更新制作能力,指定并不段的完善设计规范,解决该规范在执行过程中出现的问题 设计部:按照工艺设计要求制定相关的工具,并及时反馈执行过程中出现的问题,负责对工程设计及内层菲林进行监控,及时提出相关的意见及建议 品保部:发行并保存最新版文件 市场部:根据此文件的能力水平接订单,及向客户展示本公司的制作能力,收集客户的需求,及时向工艺部反馈市场需求信息4.0指引内容:4.

2、1一阶机械盲孔的图例(下面图例均没有叠孔设计): A结构 B结构 PP 芯板 PP C结构 D结构4.2制作流程界定(非叠孔结构):4.2.1 A结构流程: 盲孔需要填孔按如下制作: 开料-内层图形-内层蚀刻-内层AOI-棕化-层压(压合采用1/2oz铜箔)-微蚀(8-10um)-棕化2(棕化1次,控制铜厚7-9um)层压(压合采用1/3oz铜箔不需微蚀)-棕化2(棕化2次,控制铜厚7-9um) -激光钻孔- 外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析-外层负片图形-外层负片蚀刻褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀(控制电镀铜在6-10um)-切片分析2-外层镀孔图形-填孔电镀2-切片分析3-退

3、膜-砂带磨板-外层钻孔-外层沉铜2-外层板电2-外层图形-图形电镀-切片分析4-外层蚀刻 切片分析1-外层AOI-后流程 盲孔不需要填孔按如下制作:开料-内层图形-内层蚀刻-内层AOI-棕化-层压(压合采用1/2oz铜箔)-微蚀(8-10um)-棕化2(棕化1次,控制铜厚7-9um)层压(压合采用1/3oz铜箔不用微蚀流程)-棕化2(棕化2次,控制铜厚7-9um) -激光钻孔- 外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析-外层负片图形-外层负片蚀刻 外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析2-外层图形-图形电镀-切片分析4-外层蚀刻切片分析1-外层AOI-后流程 4.2.2 B结

4、构流程:内层图形内层镀孔图形-镀孔-褪膜-砂带磨板-内层图形盲孔需要填孔按如下制作:开料-内层钻孔-内层沉铜-内层板电- -内层蚀刻-内层AOI层压(压合采用1/2oz铜箔)-微蚀(8-10um)-棕化2(棕化1次,控制铜厚7-9um)层压(压合采用1/3oz铜箔不用微蚀流程)-棕化2(棕化2次,控制铜厚7-9um)棕化- -激光钻孔外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析-外层负片图形-外层负片蚀刻褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀(控制电镀铜在6-10um)-切片分析2-外层镀孔图形-填孔电镀2-切片分析3-退膜-砂带磨板-外层钻孔-外层沉铜2-外层板电2-外层图形-图形电镀-外层蚀刻-

5、切片分析1-外层AOI-后流程 内层图形内层镀孔图形-镀孔-褪膜-砂带磨板-内层图形盲孔不需要填孔按如下制作:开料-内层钻孔-内层沉铜-内层板电- -内层蚀刻-内层AOI层压(压合采用1/2oz铜箔)-微蚀(8-10um)-棕化2(棕化1次,控制铜厚7-9um)层压(压合采用1/3oz铜箔不用微蚀流程)-棕化2(棕化2次,控制铜厚7-9um)棕化- -激光钻孔外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析-外层负片图形-外层负片蚀刻外层钻孔-褪棕化层-外层沉铜-填孔电镀-切片分析2-外层图形-图形电镀-切片分析4-外层蚀刻-切片分析1-外层AOI-后流程 4.2.3 C结构流程: C结构板的

6、流程同A结构板流程,仅仅需要在内层蚀刻后增加OPE冲孔工序4.2.4 D结构流程: D结构板的流程同B结构板流程,仅仅需要在内层蚀刻后增加OPE冲孔工序(如果芯板电镀后需要塞树脂,那么在加工图形前按塞树脂的工艺流程设计。4.2.5备注:1)如果有特殊要求或声明,不能采用1/3oz压合,需采用其他厚度的铜箔,需增加微蚀减铜流程 2)完成线宽/线隙大于或等于5mil采用负片。此界定根据工艺能力的提升会做出调整,以最新的调整为准 3)内层芯板钻孔后电镀,后续流程根据客户设计要求和制程能力确定是否走镀孔流程和树脂塞孔流程 切片分析1: 分析低PAD是否有残胶,钻孔有否偏位。 切片分析2: 除胶是否干净

7、,盲孔底PAD镀铜效果 切片分析3 盲孔填满度 切片分析4: 孔铜,表铜厚度是否达到要求。4.3 对位系统设计4.3.1 A结构对位系统设计:4.3.1.1内层芯板设计:靶孔对应内层的4个靶标图形按现有规范制作,但X方向距离需大于200mm;另外在芯板四个角设计四组盲孔对位点,内容设计如下; 激光靶标靶孔板单元内板边区域靶孔防呆设计,偏移1.6mm激光靶标防呆设计,偏移5mm5.0mm0.8mm铜区5.0mm激光靶标 4.3.1.2 X-RAY打孔: 压合后X-RAY采用4靶打孔,并以这四个靶标出涨缩钻带;4.3.1.3 镭射钻带:以四个X-RAY钻出的靶孔作为激光搜索靶标孔,先烧出板边四个激

8、光靶标,然后以四个激光靶标定位,进行单元内盲孔加工。(即:钻带中有2组定位孔4个孔径3.175的靶孔4个直径0.8mm的激光靶标坐标,0.8mm的激光靶如上图0.8mm空白圆)4.3.1.4 机械钻孔:取消压合后钻激光定位孔,外层图形CDD取像孔以压合后打出的4个靶孔代替,钻孔以X-RAY钻出的四个靶孔定位,钻出单元内孔及板边所有工具孔(不包含4个外层取像孔)(HDI取消原来夹PIN钻孔方式)4.3.1.5外层图形:以四个靶孔作为CCD的对位孔加工图形4.3.2 B结构对位系统设计:4.3.2.1 芯板钻孔:按正常的芯板钻孔流程加工,钻带比例根据涨缩组的系数出钻带4.3.2.2 其他设计:同A

9、结构所有的对位系统4.3.3 C结构对位系统设计:4.3.3.1内层芯板设计:靶孔对应内层的4个靶标图形按现有规范制作,另外在芯板四个角设计四组盲孔对位点。(设计图形同4.3.1.1) (备注:如果C结构的板是10层板,盲孔底PAD层就是第二层和第九层,那盲孔对位点的图形就设计在第二层和第九层,其他层对应位置全部掏铜) 4.3.3.2其他设计:同A结构所有的对位系统4.3.4 D结构对位系统设计:4.3.4.1芯板钻孔:按正常的芯板钻孔流程加工,钻带比例根据涨缩组的系数出钻带4.3.3.2其他设计:同C结构所有的对位系统4.4一阶HDI制作能力界定4.4.1直接打铜镭射孔径大小界定孔径大小(m

10、il)2*106106+10801*10801*21133V4V需工艺评审VV5VVVV6VVVV4.4.2电镀填平盲孔能力 孔径大小(mil)2*1061*1080106+10801*21133V4VV需工艺评审V5VVVV6VVVV4.5备注:1)盲孔介质厚度大于0.1mm,不得直接选用2116或7628的结构,而是应该才用多张106或1080代替,特殊情况如需使用,则找工艺部评审2) 本处制作能力需同时基于我公司工序制作能力手册,所有制作和设计同时不得超过工序制作能力手册的基准3)板尺寸建议采用415mm*458mm,最大尺寸控制在618mm,以便控制板的涨缩4)电镀工艺边设计:在不影响开料利用率的前提下工艺边设计需25mm;负片板工艺边必须大于25mm。 第 4 页,共 1 页

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