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LC串联谐振电路重要特性.doc

1、LC串联谐振电路重要特性 发布时间:2011-9-15 9:32:10 访问次数:3888     LC串联谐振电路是LC谐振电路中的另一种谐振电路。图4-59所示是LC串联谐振电路。电路中的Rl是线圈Ll的直流电阻,也是这一LC串联谐振电路的阻尼电阻,电阻器是一个耗能元件,它在这里要消耗谐振信号的能量。Ll与Cl串联后再与信号源Us相并联,这里的信号源是一个恒压源。   W04MB0                          在LC串联谐振电路中,电阻Rl的阻值越小,对谐振信号的能量消耗越小,谐振电路的品质也越好,电路的Q值也越高;当电路中的电感Ll越大,存储的磁能越多,在

2、电路损耗一定时谐振电路的品质也越好,电路的Q值也越高。     电路中,信号源与LC串联谐振电路之间不存在能量间的相互转换,只是电容Cl和电感Ll之间存在电能和磁能之间的相互转换。外加的输入信号只是补充由于电阻Rl消耗电能而损耗的信号能量。     LC串联谐振电路的谐振频率计算公式与并联谐振电路一样。    1.LC串联电路阻抗特性        图4-60所示是LC串联谐振电路阻抗特性曲线。                     阻抗特性分析要将输入信号频率分成多种情况进行。     (1)输入信号频率等于谐振频率fo。当输入信号频率等于LC串联谐振电路的谐振频率fo时

3、电路发生串联谐振,串联谐振时电路的阻抗最小且为纯阻性(不为容性也不为感性),如图4-61所示,其值为R1(纯阻性)。                           当信导频率偏离LC谐振电路的谐振频率时,电路的阻抗要增大,且频率偏离的量越大,电路的阻抗就越大,这一点恰好是与LC并联谐振电路相反的。     要记住:串联谐振时电路的阻抗最小。     (2)输入信号频率高于谐振频率fo。当输入信号频率高于谐振频率时,LC串联谐振电路为感性,相当于一个电感(电感量大小不等于L1),如图4-62所示。                       这一点可以这样理解:在Ll和C

4、l串联电路中,当信号频率高于谐振频率之后,由于频率升高,Cl的容抗减小,而Ll的感抗却增大,在串联电路中起主要作用的是阻抗大的一个元件,’这样Ll起主要作用,因此在输入信号频率高于谐振频率之后,LC串联谐振电路等效于一个电感。    (3)输入信号频率低于谐振频率五。当输入信号频率低于谐振频率时,LC串联谐振电路为容性,相当于一个电容(容量大小不等于C1),如图4-63所示。                         这一点可以这样理解:当信号频率低于谐振频率之后,由于频率降低,Cl的容抗增大,而Ll的感抗却减小,这样在串联电路中起主要作用的是电容Cl,因此在输入信号频率低于谐振

5、频率时,LC串联谐振电路等效于一个电容。     2.品质因数Q     图4-64所示是LC串联谐振电路阻抗与Q值之间关系的示意图。图中三条阻抗曲线中,Qi曲线的品质因数最大,Q2曲线其次,Q3曲线最小,Q值越大曲线越尖锐,谐振时的电路阻抗越小,流过串联谐振电路的信号电流越大。                          LC串联谐振电路的频带特性与并联谐振电路是一样的,也是谐振电路的Q值越大,频带越窄,反之则越宽。 锁相环CC4046为数字PLL,内有两个PD、VCO、缓冲放大器、输入信号放大与整形电路、内部稳压器等。它具有电源电压范围宽、功耗低、输入阻抗高等优点,其

6、工作频率达1MHz,内部VCO 产生50% 占空比的方波,输出电平可与TTL电平或CMOS 电平兼容。同时,它还具有相位锁定状态指示功能。 信号输入端:允许输入0.1V左右的小信号或方波,经A1放大和整形,提供满足PD要求的方波。 PDI由异或门构成,具有三角形鉴相特性。它要求两个输入信号均为50%占空比的方波。当无输入信号时,其输出电压为VDD/2,用以确定VCO的自由振荡频率PDI由异或门构成,具有三角形鉴相特性。它要求两个输入信号均为50%占空比的方波。当无输入信号时,其输出电压为VDD/2,用以确定VCO的自由振荡频率。通常输入信噪比以及固有频差较小时采用PDI,输入信噪比较高或固有

7、频差较大时,采用PDⅡ 。R1 、R2、C确定VCO 频率范围。R1控制最高频率,R2控制最低频率。 R2=∞时,最低频率为零。无输入信号时, PDⅡ 将VCO调整到最低频率。 锁相环CD4046的一个重要功能是:内部压迫、控振荡器的输出信号从第4脚输出后引至第3脚输入,与从第14脚输入的外部基准频率信号和相位的比较。当两者频率相同时同,压控振荡器的频率能自动调整,直到与基准频率相同。 CD4046引脚图 Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值: DC Supply Voltage 直流供电电压 (VDD) −0.5 to +18 VDC Input

8、 Voltage输入电压 (VIN) −0.5 to VDD +0.5 VDC Storage Temperature Range储存温度范围 (TS) −65℃ to +150℃ Power Dissipation功耗 (PD) Dual-In-Line 普通双列封装 700 mW Small Outline 小外形封装 500 mW 焊接温度(TL)(焊接10秒) 260℃ Recommended Operating Conditions 建议操作条件:DC Supply Voltage 直流供电电压 (VDD) 3 to 15 VDC

9、 Input Voltage输入电压 (VIN) 0 to VDD VDC Operating Temperature Range工作温度范围 (TA) −55℃ to +125℃ 引脚号 名 称 功 能 PH11 14 相位比较器输入端(基准信号输入 ),相位比较器输入信号,输入允许将0.1V左右的小信号或方波信号在内部放大并再经过整形电路后,输出至相位比较器。 PH12 3 相位比较器输入端(比较信号输入) 通常PD来自VCO的参考信号。 PH01 2 PDⅠ输出端 相位比较器1输出的相位差信号,它采用异或门结构,即鉴相特性为 。 PH02 13 PD

10、Ⅱ输出端 相位比较器Ⅱ的输出端,它采用,上升沿控制逻辑。 PH03 1 输出端(相位脉冲输出) 相位比较器2输出的相位差信号,为上升沿控制逻辑。环路人锁时为高电平,环路失锁时为低电平 VC01 9 压控振荡器的控制端。 VC00 4 压控振荡器输出端 INH 5 VCO禁止端,1有效 控制信号输入,高电平时禁止,低电平时允许压控振荡器工作。 R1 11 VCO外接电阻R1 R2 12 VCO外接电阻R2 C1 6,7 并接振荡电容C1,以控制VCO的振荡频率。 DEM0 10 解调信号输出端 15ap 内部独立的齐纳稳压二极管负极。 <>CD40

11、46引脚功能说明介绍: DC Electrical Characteristics 直流电气特性:Symbol 符号 Parameter 参数 Conditions 条件 −55℃ +25℃ +125℃ Units 单位 最小 最大 最小 典型 最大 最小 最大 IDD Quiescent Device Current静态电流 Pin5 = VDD, Pin14 = VDD, Pin3,9 = VSS VDD = 5V 5 0.005 5 150 μA VDD = 10V 10 0.01 10 300 V

12、DD = 15V 20 0.015 20 600 Pin5=VDD, Pin14=Open,Pin3, 9=VSS VDD = 5V 45 5 35 185 μA VDD = 10V 450 20 350 650 VDD = 15V 1200 50 900 1500 VOL LOW Level Output Voltage 输出低电平电压 VDD = 5V 0.05 0 0.05 0.05 V VDD = 10V 0.05 0 0.05

13、 0.05 VDD = 15V 0.05 0 0.05 0.05 VOH HIGH Level Output Voltage 输出高电平电压 VDD = 5V 4.95 4.95 5 4.95 V VDD = 10V 9.95 9.95 10 9.95 VDD = 15V 14.95 14.95 15 14.95 VIL 输入低电平电压 比较器和信号 VDD=5V,VO=0.5V or 4.5V 1.5 2.25 1.5 1.5 V VDD =

14、10V, VO = 1V or 9V 3.0 4.5 3.0 3.0 VDD = 15V, VO = 1.5V or 13.5V 4.0 6.25 4.0 4.0 VIH 输入高电平电压比较器和信号 VDD = 5V, VO = 0.5V or 4.5V 3.5 3.5 2.75 3.5 V VDD = 10V, VO = 1V or 9V 7.0 7.0 5.5 7.0 VDD = 15V, VO = 1.5V or 13.5V 11.0 11.0 8.25 11.0

15、 IOL LOW Level Output Current 输出低电平电流 (Note 4) VDD=5V, VO = 0.4V 0.64 0.51 0.88 0.36 mA VDD=10V, VO = 0.5V 1.6 1.3 2.25 0.9 VDD=15V, VO = 1.5V 4.2 3.4 8.8 2.4 IOH HIGH Level Output Current 输出高电平电流(Note 4) VDD=5V, VO = 4.6V −0.64 −0.51 −0.88 −0

16、36 mA VDD=10V,VO = 9.5V −1.6 −1.3 −2.25 −0.9 VDD=15V,VO = 13.5V −4.2 −3.4 −8.8 −2.4 IIN Input Current 输入电流 All Inputs Except Signal Input VDD = 15V, VIN =0V −0.1 −10−5 −0.1 −1.0 μA VDD=15V, VIN = 15V 0.1 10−5 0.1 1.0 CIN Input Capacita

17、nce 输入电容 Any Input (Note 3) 7.5 pF PT Total Power Dissipation 总功率耗散 fo = 10 kHz, R1 = 1MΩ, R2 =∞, VCOIN = VCC/2 mW VDD = 5V 0.07 VDD = 10V 0.6 VDD = 15V 2.4 AC Electrical Characteristics 交流电气特性:Symbol 符号 Parameter 参数 Conditions 条

18、件 最小 典型 最大 Units 单位 VCO SECTION IDD Operating Current 工作电流 fo =10kHz, R1 =1MΩ, R2 =∞, VCOIN = VCC/2 VDD = 5V 20 μA VDD = 10V 90 VDD = 15V 200 fMAX Maximum Operating Frequency 最高工作频率 C1 = 50pF, R1 = 10kΩ, R2 =∞, VCOIN = VDD VDD = 5V 0.4 0.8 MHz VDD

19、 = 10V 0.6 1.2 VDD = 15V 1.0 1.6 Linearity 线性 VCOIN = 2.5V ± 0.3V, R1 ≥ 10 kΩ, VDD = 5V 1 % VCOIN = 5V ± 2.5V, R1 ≥ 400 kΩ, VDD = 10V 1 VCOIN = 7.5V ± 5V, R1 ≥ 1 MΩ, VDD = 15V 1 Temperature-Frequency Stability No Frequency Offset, fMIN = 0 %/℃ < 5c1/f.VDD R2

20、 ∞ VDD = 5V 0.12–0.24 %/℃ VDD = 10V 0.04–0.08 VDD = 15V 0.015–0.03 Frequency Offset,频偏fMIN≠ 0 VDD = 5V 0.06–0.12 %/℃ VDD = 10V 0.05–0.1 VDD = 15V 0.03–0.06 VCOIN Input Resistance 输入电阻 VDD = 5V 106 MΩ VDD = 10V 106 VDD = 15V

21、106 VCO Output Duty Cycle 输出占空比 VDD = 5V 50 % VDD = 10V 50 VDD = 15V 50 tTHL VCO Output Transition Time VCO的输出过渡期 VDD = 5V 90 200 ns VDD = 10V 50 100 VDD = 15V 45 80 PHASE COMPARATORS SECTION RIN 信号输入输入电阻  VDD = 5V 1 3 MΩ VDD = 10V

22、 0.2 0.7 VDD = 15V 0.1 0.3 Comparator Input 比较器输入 VDD = 5V 106 MΩ VDD = 10V 106 VDD = 15V 106 AC-Coupled Signal Input Voltage Sensitivity AC耦合信号输入电压灵敏度 CSERIES = 1000pF f =50kHz VDD = 5V 200 400 mV VDD = 10V 400 800 VDD = 15V 700 1400 A

23、C Electrical Characteristics 交流电气特性:Symbol 符号 Parameter 参数 Conditions 条件 最小 典型 最大 Units 单位 VCOIN− VDEM Offset Voltage 偏移电压 RS ≥ 10 kΩ, VDD = 5V 1.50 2.2 V RS ≥ 10 kΩ, VDD= 10V 1.50 2.2 RS ≥ 50 kΩ, VDD = 15V 1.50 2.2 Linearity 线性 RS ≥ 50kΩ VCOIN = 2.5V ± 0.3V, VDD

24、 5V 0.1 % VCOIN = 5V ± 2.5V, VDD = 10V 0.6 VCOIN = 7.5V ± 5V, VDD = 15V 0.8 ZENER DIODE VZ Zener Diode Voltage 稳压二极管电压 IZ = 50μA 6.3 7.0 7.7 V RZ >Zener Dynamic Resistance 稳压动态电阻< IZ = 1mA 100 Ω 相比较状态图

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