1、AP8205 N-Channel Power MOSFETAIIP。iWERDATA SHEET 描述IDescriptionsSOT23-6塑封封装N沟道双MOS管oN-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package.特征IFeatures 采用先进的沟槽技术，提供较小的导通电阻Roseon），低栅极电荷，栅极工作电压低至2.SVoadvanced trench technology to provide excellent Rose口时，low gate charge and operation with gate voltages a
2、s low as 2.5V.用途l Applications 适用于电池保护电路，开关电路。Use as a Battery protection,Switching application.内部等放电瞌IEquivalent Circuit lliJI圃l排列ID1/D2 G2 I Marking 些8205A 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AIIP。iWERAP8205 DATA SHEET N-Channel Power MOSFET极限参数IAbs。lute Maximum Ratings(Ta=25。q参数符号数值单位Parameter Svmb。lRatino Unit
3、Drain-Source Voltage Vos 20 v Dain Curent-Continuous 10(Ta=25）6 A Dain Curent-Continuous 10(Ta=70）4.8 A Drain Current-Pulsed loM 20 A Gate-Source Voltage VGs 12 v Maximum Power Dissipation Po(Ta=25）1.14 w Thermal Resistance Junction-to-Ambient RaJA 110 但吨Junction Temperature 飞150 0 。c)Storage Temper
4、ature Range Tst9 主55绍，去。企岳、j.JNotes:1、面装在FR4板，但10秒.Su斤ace Mounted on FR4 Board,ts;10 sec.2、；中测试：脉冲宽度至300间，占空比三2%.Pulse Test:Pulse Width s;300间，Duty Cycle S:2%.2 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AIIP。iWERDATA SHEET AP8205 N-Channel Power MOSFETlo:5A。060.05 0.04。03G）UES EO营阜础。gTJ;150C _/,/!._ /
5、TJ:25 C，I 100。主EEoesaP8 0.02 0 2 12 0.9 Vso-SourcEtDra;o Volta但问Source-Drain Diode Fo附ard Voltage 0.6。.30.1 0.0。.9。伞5？）EEO8 0.3 100 Time(s)Single Pulse Power(Junctlon-t。Ambient)10 0.1 0.01 0 0.001 150 125,oo 俨，.回萨队rtyCycle 0.5/_ 亏，”，阳.-”F.i,02 回回”t 庐 回一_,le.!.,./比；、，恒 ，户”口.05Sing!串趴险号。口EaqeaE一回EEZLF
6、FEZEEF雪百SEENEMLOZ,o,0-2 10 匈Jat&Wave向国Oiranon阶Nonnallzed Thermal Transient Impedance,Junctlon,to-Foot 1Q3 o.,o-.i4 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP8205 N-Channel Power MOSFETAIIP。iWERDATA SHEET 外形尺寸固lPackage Dimensions L。用0,25 己以uge Plo.ne 只4 一一一一一一一一一一一一一一一一一一一1 一间IEl I c Unit:MM Dir,iensions In Millir,ieters Min Syr,ilool 问in 问ox问2.82 3.02 El 0.85 1.05 1.50 1.7日 0.35。.50c 0.90 1.30 c 0.10。.20L1 2.60 3.00 b 0.35 0.55 E 1.80 2.00 F。0.15 fo 勺JOL T 内Uu5 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
