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关于介质损耗的一些基本概念.doc

1、关于介质损耗的一些基本概念   (泛华电子)   1、介质损耗     什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。 2、介质损耗角δ     在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角。 3、介质损耗正切值tgδ     又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:     如果取得试品的电流相量 和电压相量 ,则可以得到如下相量图:     总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成

2、因此: 这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。     测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。 测量介损的同时,也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ     功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:    

3、       有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ

4、海沪光厂 电流比较仪电桥,手动调节,介损相对误差0.5%±0.00005,试验室使用。 QS1 上海电表厂 西林电桥,手动调节,介损相对误差10%±0.003,现场测量用。支持正反接线,移相或到相抗干扰。 AI-6000分体型 泛华电子 自动调节,红外线遥控,介损相对误差0.2%±0.00005,现场或试验室用。支持正反接线,移相或倒相抗干扰。配合变频电源可变频抗干扰。   6、高压介质损耗测量仪     简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。     A

5、I-6000利用变频抗干扰原理,采用傅立叶变化数字波形分析技术,对标准电流和试品电流进行计算,抑制干扰能力强,测量结果准确稳定。     国内常见高压介质损耗测量仪有:   型  号 生产厂家 性    能 2816 Haefely 高压输出12kV/200mA,介损误差1%±0.0001(抗干扰方式、指标不祥,估计是移相),正反接线方式,C / L / R测量,总重量104kg。 M4000 DOBLE 高压输出10kV/300mA,介损误差1%±0.0004(变频抗干扰,20倍),正反接线方式,C / L / R测量,笔记本+WINDOWS,45~70Hz,重量66k

6、g。 AI-6000 泛华电子 10kV/200mA,介损误差1%±0.0004,变频法45~65Hz,抗干扰2:1,正、反(含高、低压侧屏蔽)接线方式,CVT自激法,C / L / R测量,模拟西林电桥和电流比较仪电桥,试验室介损精度达到精密电桥标准,29kg。 7、外施    使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验,对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。 8、内施    使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验,直接得到测量结果的方法。 9、正接线    用于测量不接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于地电位。 10、反接线    用于测量接地试

7、品的方法,测量时介损仪测量回路处于高电位,他与外壳之间承受全部试验电压。 11、常用介损仪的分类    现常用介损仪有西林型和M型两种,QS1和AI-6000为西林型。 12、常用抗干扰方法    在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种: 倒相法、移相法和变频法。AI-6000采用变频法抗干扰,同时支持倒相法测量。 13、准确度的表示方法    tgδ:±(1%D+0.0004)    Cx: ±(1%C+1pF)    +前表示为相对误差,+后表示为绝对误差。相对误差小表示仪器的量程线性度好,绝对误差小表示仪器的误差起点低。校验时读数与标准值的差应小于以上准确度,否则就是超差。

8、 14、抗干扰指标    抗干扰指标为满足仪器准确度的前提下,干扰电流与试验电流的最大比例,比例越大,抗干扰性能越好。AI-6000在200%干扰(即I干扰 / I试品≤2)下仍能达到上述准确度。 介损与频率的关系及变频测量原理   (泛华电子)   1、变频测量原理 干扰十分严重时,变频测量能得到准确可靠的结果。例如用55Hz测量时,测量系统只允许55Hz信号通过,50Hz干扰信号被有效抑制,原因在于测量系统很容易区别不同频率,由下述简单计算可以说明

9、选频测量的效果: 两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起,高频的是干扰,幅度为低频的10倍: Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°) 在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y0=12.4517,Y1= -11.1017,Y2=12.2075,Y3= -13.5576,计算A=Y1 - Y3=2.4559,B=Y0 - Y2=0.2442,则: 这刚好是低频部分的相位和幅度,干扰被抑制。实际波形的测量点多达数万,计算量很大,结果反映了波形的整体特征。   2、频率和介损的关系     任何有介损的电容器都可以模拟成RC串联和并联两种

10、理想模型: (1) 并联模型     认为损耗是与电容并连的电阻产生的。这种情况RC两端电压相等:       有功功率  ,       无功功率  ,       因此           并联模型     其中ω=2πf,f为电源频率。可见,如果用真正用一个纯电阻和一个纯电容模拟介损的话,它与频率成反比。当R=∞时,没有有功功率,介损为0。     这种方法常用于试验室模拟10%以上的大介损,或用于制做标准介损器。 (2) 串联模型     认为损耗是与电容串连的电阻产生的。这种情况电路的电流相等:      有功功率  ,       无功功率

11、  ,       因此         串联模型    由上分析可知,串联模型tgδ=2πfRC,并联模型tgδ=1/(2πfRC),R和C基本不变,f是变化量。把45Hz、50Hz、55Hz分别代入公式,可看到tgδ分别随频率f成正比和反比。如下图所示,f对完全正比和完全反比两种模型影响较大。但实际电容器是多种模型交织的混合模型,此时f的影响就小。       3. 实际电容试品: (1) 固定频率下测量     实际电容试品在一个固定频率下,即可以用串连模型也可以用并联模型表示。例如50Hz下,下面两个电路对外呈现的特性完全一样:     不同的电

12、桥测量这两个试品,其介损都是31.4%,但西林电桥(2801或QS1)测量的电容量是10000pF,电流比较仪电桥(如QS30)测量的电容量是9101.7pF。这是因为2801电桥认为试品损耗是串连模型,QS30认为试品是并联模型。     通常认为并联模型更接近实际情况,这是因为有功电流穿过电极之间的绝缘层,更象是损耗电阻并联在电极之间,而电极本身电阻为零,没有损耗。     实际上当介损在10%以下时,这种电容量的差别是很小的。 (2) 变频测量     从事现场试验的专家都有这样的经验:使用传统仪器,如QS1,在干扰严重的现场环境下测量介损,采用移相、倒相方法反复测量,仍无法使电

13、桥平衡。     随着电压等级提高,干扰越来越严重。这种情况下变频测量是一个很好的、甚至是唯一的选择。变频测量的抗干扰能力比移相、倒相法提高一个数量级以上。这好比两个电台在同一个频率上,很难将另一个信号抑制掉,但如果两个电台的频率不同,则很容易区分。   4、自动变频与50Hz等效     变频测量受到的唯一怀疑是频率的等效性。按上述模型,介损是随频率变化的。例如50Hz下1%的介损,采用55Hz测量。串联模型的测量结果变成1.1%(正比),并联模型测量结果变成0.91%(反比)。虽然这样的误差可能满足现场测量的要求,但误差还是偏大。     为了解决这个问题,我们首先提出了双变频测

14、量原理:在50Hz对称位置45Hz和55Hz各测量一次,然后将测量数据平均,使误差大大减小。理论分析结果如下表所示:   模型 50Hz真实介损 45Hz测量介损 55Hz测量介损 平均 串连 1% 0.9% 1.1% 1% 并联 1% 1.111% 0.909% 1.010%   可见最大误差发生在并联模型,相对误差1%。     以上分析表明,采用双变频测量,即发挥了变频测量的高抗干扰能力,理论上的最大相对误差也小于1%,可以满足现场测量需要。也可以采用47.5Hz、52.5Hz双变频测量,理论误差将减少到0.25%,但这时的抗干扰能力肯定不如45Hz

15、55Hz好。     实际测量显示,变频测量的数据十分稳定,重复性特别好。试验室校验也显示了很好的精度指标。目前变频测量的原理已经得到普遍认可。 高压电容电桥的基本工作原理   (泛华电子)   (1)西林电桥     调节R3、C4使电桥平衡,此时a、b两点电压相等,即R3、C4两端电压相等。 因为交流电路中电容阻抗为。电路中R4、C4的并联阻抗为两者倒数和的倒数     按阻抗元件分压原理,不难得到:     两边取倒数得:     按复数相等实部、虚部分别相等的规定得到    

16、按串连模型介损定义:,由于R4是固定的可以从C4刻度盘上读出介损,通过R3、R4、Cn可以计算Cx。     采用这个原理的仪器有现场用的QS1、试验室用的2801等。   (2)M型电桥         将试品改为并联模型。注意到Ir与Icx、Icn差90度:     调节R4使Uw最小。这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3,因此:         由于a、b间电压没有完全抵消,因此M型电桥也称为不平衡电桥。Uw测量的是绝对值,小介损时电压很低,难以保证测量精度。   (3)数字电桥         数字电桥的测量回路还是一个桥。R

17、3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机,求得:     进一步可求得试品介损和电容量。     数字电桥的最大优势在于:可以实现自动测量,可以补偿所有原理性误差,没有复杂的机械调节部件,测量以软件为主,性能十分稳定。 测量介损时常用的抗干扰方法   (泛华电子)   1、干扰源          介损测量受到的主要干扰是感应电场产生的工频电流。无论何种测量方式,它都会进入桥体:       

18、   一般介损仪都能抗磁场干扰,因为内部的升压变压器就是一个强烈的磁场干扰源。   2、倒相法          测量一次介损,然后将试验电源倒相180度再测量一次,然后取平均值。            倒相法是抗干扰最简单的方法,也是效果最差的方法。因为两次测量之间干扰电流或试品电流的幅度会发生波动,会引起明显误差。          一般干扰电流不超过试验电流2%时,这种方法是很有效的。   3、移相法          一种方法是采用大功率移相电源,调整试验高压的相位,使试品电流与干扰电流方向相同或相反,这样干扰电流影响减小,再配合倒相测量,能大大提高测量精

19、度。   另一种方法是采用小功率移相电源,从R3桥臂上抵消干扰电流,再配合倒相测量,能大大提高测量精度。            通常在升压之前先检测干扰电流的大小和方向,然后调整移相电源。由于测量过程中无法再了解干扰的信息,因此测量过程中干扰或电源发生相位波动,仍会引起明显误差。          一般干扰电流不超过试验电流20%时,这种方法是很有效的。   4、变频法   干扰十分严重时,变频测量能得到准确可靠的结果。例如用55Hz测量时,测量系统只允许55Hz信号通过,50Hz干扰信号被有效抑制,原因在于测量系统很容易区别不同频率,由下述简单计算可以说明变频测量的

20、效果:   两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起,高频的是干扰,幅度为低频的10倍:   Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)   在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y0=12.4517,Y1= -11.1017,Y2=12.2075,Y3= -13.5576,   计算A=Y1 - Y3=2.4559,B=Y0 - Y2=0.2442,则:     这刚好是低频部分的相位和幅度,干扰被完全抑制。       变频测量时,仪器需要知道的唯一信息是干扰频率。因为仪器供电频率就是干扰频率,整个电网的频率是一样的。仪

21、器在测量中可以动态实时跟踪干扰频率,将数字滤波器的吸收点时刻调整到干扰频率上。而干扰信号的幅值和相位变化对这种测量是没有影响的。     表面泄漏或屏蔽不良引起正接线测量介质损耗减小的分析   (泛华电子)       用末端屏蔽法测量电磁式PT、正接线测量CT或变压器套管,有时会出现介损极小或负值的现象,这主要是绝缘受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的,可分析如下: 示意图  等效电路图       CX:试品       C1:高压端对瓷套的杂散电容       C2:低压端对瓷套的杂散电容  

22、     R:瓷套表面泄漏对地电阻       1:为试验电压       2:为仪器输入       这样,C1、C2、R形成T形网络,由于C1和R微分移相作用,使通过C2的电流超前,而使介损减小。设1为外加电压U、2接地电位,流过2的电流为:         介质损耗因数为实部电流与虚部电流之比,由于第一项为负值,故介损因数减小。     以CX=120pF,C1=1pF,C2=0.1pF,R=1000MΩ,CX无介损,按上式计算,T形网络引起的附加介损为:-0.025%       同理, 检修用脚手架及包装箱引起正接线测量介质损耗减小:试品对包装箱形成杂散电容,

23、也形成T型网络干扰。       解决方法:           1、擦干净瓷套表面的脏污。         2、在阳光下曝晒试品或加热烤干瓷套 ,变压器套管吹干中间三裙。         3、高压线尽量水平拉远,不要贴近瓷套表面 。         4、改用末端加压法或常规法测量电磁式PT。         5、新设备吊装前试验时,一定要拆掉包装箱和脚手架,移开木梯,解开绳套。做变压器套管时一定要放在套管架上试验,不能斜靠在墙上或躺放在地上。 为什么升压显示不到10kV--仪器防"容升效应"电压自校正技术的介绍  

24、 (泛华电子)       AI-6000介损测试仪在升压测量时,尤其是测量大容量试品(>1000P,如变压器试品),用户有时看到升不到10kV(如9.8kV、9.5kV)的现象,而测量结束后打印的测量电压已到10kV,这就是仪器启动了防“容升”电压自校正技术。     仪器内部升压变压器(L)和试品电容(C),形成了一个LC回路,回路内电压会抬高,这就是“容升效应”。由于“容升效应”造成回路电压抬高,就使试品和仪器的工作电压>10kV,易造成绝缘击穿或参数变化,造成仪器损坏或测量结果误差。仪器自动跟踪输出电压和回路电压,进行准确升压控制,对试品和仪器起到了有效的保护作用。     在

25、CVT自激法做介损试验时“容升”现象更明显,由于CVT下节耦合电容的容量很大(>4万P),在二次侧升几伏电压,一次侧就能达到上千伏。一定要严格监测一次侧(A点)电压小于3kV,二次侧电流小于6A。所以AI-6000C、D两个型号在CVT测量时提供了高压电压、高压电流、低压电压和低压电流四个保护限制,根据这四个保护限制,AI-6000准确调制电压,确保试验仪器和设备的安全。 用AI-6000D做不拆高压引线的CVT自激法测量试验及电位   (泛华电子)   用AI-6000D做CVT自激法测量非常方便,可按下图接线。如果C1是单节电容,母线不能接地;如果C1是多节电容,高压引线

26、可不拆,母线也可接地,C11和C12可用常规正反接线测量,C13和C2用自激法测量。   一、接线方法如下图:   二、测量过程及电位     CVT自激法测量中,仪器先测量C13,然后自动倒线测量C2,并自动校准分压影响。     测C13时,高压线芯线和屏蔽带高压,CX线芯线和屏蔽都是低压。 测C2时,高压线芯线和屏蔽、CX线芯线和屏蔽都是低压。 三、为什么先测量C13,再测量C2         大家知道,C13电容量较小,约2万pF;c2电容量较大,至少4万pF;CN为50pF标准电容器。测量C13时,C2和内CN串连当作标准电容器,根据电容串联公式C串=(C2

27、CN)/(C2+CN),由于C2>>CN,C串≈CN,这样C2对测量结果影响较小,可忽略不计。反之,如果先测C13,因C13容量较小,和内CN串连后,会把C13的介损加进去,造成标准臂介损增大,引起C2介损减小,造成测量误差。   四、自激法时高压线拖地会引起介损增大       自激法时高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起介损增大,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。           上图蓝色框内为电缆拖地时附加杂散电容的RC串联模型,使δ点的电压UN超前变成UN',相应的IN变成IN',Ix相位不变,造成δ角增大,既介质损耗增大。感兴趣的用户也可用公式推

28、导出来。 用AI-6000C、D型介损测试仪做CVT自激磁测量   (泛华电子)   一、CVT测量的基本原理     电容式电压互感器(CVT)为叠装式结构,由于现场试验时叠装式CVT的电容分压器和电磁单元不能分开,给电容分压器的电容及介损测量造成了一定的困难。CVT生产制造厂在CVT叠装前对电容分压器的电容及介损进行分体测量。而对组装好的,将中压端子(A点)引出的CVT,可采用正接线直接测量,对没有抽头的CVT只能采用自激法测量。 500kV CVT示意图 二、CVT自激法测量时需要采取的保护措施     在CV

29、T自激法做介损试验时,由于“回路谐振”和“容升效应”, 绝对不能简单的用变比衡量一次侧电压。CVT分压电容的容量很大(>4万P),在二次侧升几伏电压,一次侧就能达到上千伏。一定要严格监测一次侧(A点)电压小于3kV,二次侧电流小于6A。所以AI-6000C、D两个型号在CVT测量时提供了高压电压、高压电流、低压电压和低压电流四个保护限制,根据这四个保护限制,AI-6000准确调制电压,确保试验仪器和设备的安全。 三、CVT自激法介绍 1、传统CVT自激法:     需外接标准电容、低压激励电源和监控用电压电流表,具体接线参见高压试验规程。 2、用AI-6000C型做母线不接地CVT自激

30、法测量      测量C1                                       测量C2   应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起误差,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。另外,考虑C2或C1与内Cn串联分压效应,其电容量可按下式校准:    其中Cc为校准经验值,包含了Cn及高压线对地电容的影响,其值可取110pF。 3.母线接地CVT自激法测量 如果母线接地,建议采用如下方法测量:        第一步,按图3.10.11.1接线,用“内Cn”方式测量C13: 测量C13接线                    

31、    用C13作标准电容测量C2   应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起一些误差(表现为C13介损增加)。可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。     为进一步补偿C2串入标准回路对C13影响,可按下式校准C13电容:     其中Cc为校准经验值,包含了Cn及高压线对地电容的影响,其值可取110pF。     第二步,按图3.10.11.2接线,用C13作标准电容器测量C2,测量前将C13的电容和介损置入仪器的外标准电容项中(参见3.3),并选择“外Cn”方式。        母线不接地时,也可以用这种接线方式测量。 4、用AI-6000

32、D做CVT自激法测量     如果C1是单节电容,母线不能接地;如果C1是多节电容,高压引线可不拆,母线也可接地,C11和C12可用常规正反接线测量,C13和C2用自激法测量。       CVT自激法测量中,仪器先测量C1,然后自动倒线测量C2,并自动校准分压影响。     测C13时,高压线芯线和屏蔽带高压,CX线芯线和屏蔽都是低压。 测C2时,高压线芯线和屏蔽、CX线芯线和屏蔽都是低压。 应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起误差,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。 四、正接线直接测量C1C2的串,介质损耗为负值或很小。反接线直接测量C1C2

33、的串,介质损耗为一大数     用正接线直接测量C1C2的串,电容量可以测出来, 但电磁单元的杂散阻抗可以模拟成一个RC串联模型,使A点电压超前,也造成Ix超前向第二象限偏转,造成δ角减小变成δ',如果偏过90°就造成负值。同理,用反接线直接测量C1C2的串,在δ端反接线<3kV,介质损耗为一大数。 正接线直接测量C1C2的串的等效电路 Ix被移相变成Ix'        注意:有些CVT铭牌标的电容量为C1、C2;而有些为C1、C1C2的串,可计算出:C串=(C1C2)/(C1+C2)。 用AI-6000D做不拆高压引线的CVT自激法测量试验及电位  

34、泛华电子)   用AI-6000D做CVT自激法测量非常方便,可按下图接线。如果C1是单节电容,母线不能接地;如果C1是多节电容,高压引线可不拆,母线也可接地,C11和C12可用常规正反接线测量,C13和C2用自激法测量。   一、接线方法如下图:   二、测量过程及电位     CVT自激法测量中,仪器先测量C13,然后自动倒线测量C2,并自动校准分压影响。     测C13时,高压线芯线和屏蔽带高压,CX线芯线和屏蔽都是低压。 测C2时,高压线芯线和屏蔽、CX线芯线和屏蔽都是低压。 三、为什么先测量C13,再测量C2         大家知道,C13电容量较小

35、约2万pF;c2电容量较大,至少4万pF;CN为50pF标准电容器。测量C13时,C2和内CN串连当作标准电容器,根据电容串联公式C串=(C2CN)/(C2+CN),由于C2>>CN,C串≈CN,这样C2对测量结果影响较小,可忽略不计。反之,如果先测C13,因C13容量较小,和内CN串连后,会把C13的介损加进去,造成标准臂介损增大,引起C2介损减小,造成测量误差。   四、自激法时高压线拖地会引起介损增大       自激法时高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起介损增大,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。           上图蓝色框内为电缆拖地时附加杂

36、散电容的RC串联模型,使δ点的电压UN超前变成UN',相应的IN变成IN',Ix相位不变,造成δ角增大,既介质损耗增大。感兴趣的用户也可用公式推导出来。 正接线测量时高压输出线用"皮儿"还是"芯儿"?   (泛华电子)   用AI-6000做正接线测量时,一般用高压输出线的屏蔽端输出高压,即用"皮儿"。高压线的屏蔽端是从仪器内部试验变压器高压端直接引出,没有阻抗。而高压线的芯线在仪器内部串联了一个<2Ω的采样电阻,输出高压时会有分压影响,在测量大容量试品时,如40000P,介损会增大<0.005%。 所以说在现场正接线测量时的高压线,

37、最好是单接屏蔽、也可芯线和屏蔽一块接,只接芯线稍微有些误差但也完全可以接受。在试验室内校验时,最好用高压线的屏蔽端接试品高压端。 AI-6103型氧化锌避雷器带电测试仪 用谐波含量分析氧化锌避雷器的好坏   (泛华电子)       氧化锌避雷器在劣化的初期其内部会产生局部放电,泄漏电流中会产生高频分量。AI-6103型氧化锌避雷器 带电测试仪内置了谐波分析功能,采用快速傅立叶变换把高次谐波定量的分离出来,得到1~399次谐波信息,并分组显示结果,就可以检查局部放电的严重程度。可以在同类型MOA之间作横向比较,数值异常增加的可用其它方法综合检测。 仪器推荐以下三个

38、主要数据: 1、总电流Ix MOA受潮劣化会引起总电流的增加,虽然总电流的增加不如基波阻性电流灵敏,但仍能反映其故障状态。 2、总谐波含量Ih MOA是非线性设备,若参考电压降低,会导致谐波含量增大。总谐波含量受母线谐波影响,考虑到母线谐波含量基本恒定,其总谐波含量可反映MOA性能。 3、350~399次谐波H7 MOA劣化的初期其内部会产生局部放电,在MOA全电流中产生高频分量,采用高次谐波可以监视局部放电的严重程度。 AI-6100/6103氧化锌避雷器带电测试仪的原理简介   (泛华电子)     1)AI-6100取全电流Ix的原理   利用仪器内

39、阻小于放电计数器的内阻,相当于把计数器短路,把全电流Ix引入仪器。如果计数器内阻很小,既计数器上的电流表不回零,就会引起测量误差,因此不适于对内阻很小的计数器。   2)能否用电流CT作为电流传感器取全电流Ix   效果不理想:   A. 干扰电流太大,取得信号太小,易受干扰   B. 电流CT取的电流相位角发生偏移,分不清是MOA的本身的真实电流相角还是误差引起的相角   3)感应板应放在哪一相   可以测试哪一相,放在哪一相上,但最好是放在B相上:   A.放在B相数据稳定,B相同时受A、C相干扰,相间干扰可以抵消一部分   B.感应板放在B相,测A、B、C三相,省却了

40、移动感应板的时间。   C.也可放在B相的PT的底坐上。总之,目的是取得相对纯净的参考电压。   D.测A相时把Φ角-120°,测C相时把Φ角+120°。   4)感应板应该放在多高的位置   感应板手柄末端的强力磁铁吸在氧化锌避雷器的底坐上,约在计数器上面,板面平行着母线,保持稳定。   5)KVm是什么意思   电场强度单位。1KVm意思是,两个金属极板,距离1米,感应的电压是1KV。如果在波形的左下脚显示"L",即表示感应信号太弱,数据不可靠。   6)取全电流的红、黑夹子夹反会怎样   阻性电流Ir和相位角Φ都是负值。   注意:一定不要将该电流输入电缆错接到P

41、T上!仪器用于低压测量,所有引线不能接高压!   7)取PT端子箱参考电压 测量时,Φ角比理论值相差30°   PT端子箱内部是三角形接法,与星形接法有30°角差,应在测试仪内Φ0处进行30°校正。   8)取参考电压的红、黑夹子夹反会怎样   阻性电流Ir和相位角Φ都是负值。   9)试验室内测量无计数器的氧化锌避雷器,怎样取全电流   氧化锌避雷器用绝缘子垫起,电流线红夹子夹到氧化锌避雷器底座,黑夹子接地,即把氧化锌避雷器串接到仪器上。   10)试验室测量氧化锌避雷器,用工频升压,怎样取参考电压   参考电压线夹到调压器的输出端(<250V)   11)试验室测量氧化锌避雷器,用变频升压,怎样取参考电压   从分压器取参考电压(<250V) 。串联谐振电源频率应调在44Hz-66Hz之间。   12)多长时间可以测得数据结果   接好线1秒S后就可测得数据结果,按"→"锁定数据即可。   13)关于充电   AI-6100电源为交/直流两用,插上交流220V电源会自动充电,充满电后屏幕显示“OK”并自动停止充电。充电时仪器处于开机工作状态。充满电可连续工作6小时。   14)全电流线和参考电压线的保险丝   都是0.1A保险丝,切记不要装错。   专业文档供参考,如有帮助请下载。

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