PN8036NSC-T1 12V0.5A小家电辅助电源芯片-pn8036芯片资料_骊微电子.pdf

PN8036 Chipown高性能非隔离交直流转换芯片 高性能非隔离交直流转换芯片 概述概述PN8036集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036的降频调制技术有助于改善EMI特性。应用领域应用领域非隔离辅助电源封装封装/订购信息订购信息 产品特征产品特征内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET内置高压启动电路优化适用于12V输出非隔离应用半封闭式稳态输出功率6W230VAC改善EMI的降频调制技术优异的负载调整率和工作效率全面的保护功能?过载保护（OLP）?过温保护（OTP）?欠压保护（UVLO）订购代码订购代码封装封装PN8036NSC-T1DIP-7典型应用典型应用深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8036 Chipown管脚定义管脚定义管脚名管脚名管脚标号管脚标号管脚功能描述管脚功能描述GND1,2地NC3空脚VDD4芯片电源脚NC5 空脚(可接SW高压脚)SW6,7 高压MOSFET漏极脚 典型功率典型功率 产品型号产品型号输入电压输入电压稳态功率稳态功率(1)峰值功率峰值功率(2)150-265 VAC6W(12V500mA)8.4W(12V700mA)PN8036 85-265 VAC4.8W(12V400mA)7.2W(12V600mA)备注：1.稳态功率在半封闭式 75C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用)，持续时间大于 2 小时。2.峰值功率在半封闭式 75C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用)，持续时间大于 1min。功能框图功能框图 20VPN8036深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8036 Chipown特性曲线特性曲线-50-2502550751001251500246810RDS(ON)()Junction Temperture)-50-250255075100125150600650700750800BVDSS(V)Junction Temperture()(a)RDS(on)vs Tj(b)BVDSS vs Tj-50-25025507510012515011.011.512.012.513.013.5VDD-REF(V)Junction Temperture()-50-2502550751001251501617181920TOFFMIN(us)Junction Temperture()(c)VREF vs Tj(d)Toffmin vs Tj-50-25025507510012515010.010.511.011.512.012.513.0VDDON(V)Junction Temperture()-50-2502550751001251508.08.59.09.510.0VDDOFF(V)Junction Temperture()(e)VDDon vs Tj(f)VDDoff vs Tj深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8036 Chipown功能描述功能描述PN8036集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036的降频调制技术有助于改善EMI特性。1.高压启动高压启动在启动阶段，内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。2.恒压工作模式恒压工作模式芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。图1-1和图1-2分别给出连续模式（CCM）和非连续模式（DCM）下系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。图1-1 连续模式下工作波形 图1-2 非连续模式下工作波形 实际应用中VDD对输出的电压采样还受到隔离二 极 管 影 响，因 此 芯 片 VDD-REF 设 置 为12.3V(TYP)，以抵消隔离二极管上的压降。3.PFM 调制调制芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约12mA。由于芯片内置采样，最大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH(EE-13),如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，容易造成电感饱和，影响可靠性。4.软启动软启动为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，PN8036设置软启动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。5.智能保护功能智能保护功能PN8036集成全面的保护功能，包括：过温保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。过温保护-当芯片结温超过150，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。VDD 欠 压 保 护-当 芯 片 VDD 电 压 低 于VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8036Chipown典型应用电路典型应用电路外围参数选择参考外围参数选择参考为了获得更好 PN8036 系统性能，请务必遵守以下规则：1.VDD 电容 EC3 应放置在距离 VDD 引脚和 GND 引脚最近的地方。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8036 Chipown封装信息封装信息DIP-7 封装外形及尺寸封装外形及尺寸 尺寸符号最小尺寸符号最小(mm)中间值中间值(mm)最大最大(mm)尺寸符号最小尺寸符号最小(mm)中间值中间值(mm)最大最大(mm)A3.60 3.80 4.00c10.240.25 0.26A10.51-D9.059.25 9.45A23.00 3.30 3.40E16.156.35 6.55A31.55 1.60 1.65e2.54BSCb0.44-0.53eA7.62BSCb10.43 0.46 0.48eB7.62-9.30B11.52BSCeC 0-0.84c0.25-0.31L3.00-表层丝印封装PN8036 YWWXXXXX DIP-7 备注：Y：年份代码；WW：周代码；XXXXX：内部代码备注:1.此制图可以不经通知进行调整;2.器件本体尺寸不含模具飞边；深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司