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半导体例题答案.doc

1、 一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) 解:(1) (2) (3) (4) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结

2、电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解:(1)A (2)C (3)B 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD0.7V。图T1.3解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4 解:UO16V,UO25V。 五、电路如图所示,VCC15V,100,UBE0.7V。试问: (1)Rb50k时,uO? (2)若T临界饱和,则Rb? 解:(1)Rb50k时,

3、基极电流、集电极电流和管压降分别为 A 所以输出电压UOUCE2V。 (2)设临界饱和时UCESUBE0.7V,所以 六、选择合适答案填入空内。 (1)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 解:(1)A ,C (2)A (3)C 七、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 解:不能。

4、因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。八、电路如图所示,已知ui10sint(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 解:ui和uo的波形如解图所示。 九、 电路如图(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。十、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V

5、、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。(据说有十种电压值)十一、已知稳压管的稳定电压UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA,最大功耗PZM150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流 IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin,所以其取值范围为 12、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V,最小稳定电流IZmin5mA,最大稳定电流IZmax25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?解:(

6、1)当UI10V时,若UOUZ6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当UI15V时,稳压管中的电流大于最 小稳定电流IZmin,所以,不接负载电阻时: UOUZ6V 接入负载电阻后,若稳压值为6V,负载电流为6/0.5=12mA,流过限流电阻的电流最小为12mA,其压降为12V,稳压管电压为3V,不能稳定在6V,所以,稳压管没有击穿,负载电压为5V。 当UI35V时,UOUZ6V。 (2)29mAIZM25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。13、 在图所示电路中,发光二极管导通电压UD1.5V,正向电流在515mA时才能正常工作。试问: (1)开关S在什么位置时

7、发光二极管才能发光? (2)R的取值范围是多少? 解:(1)S闭合。(2)R的范围为 14、 电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。解:波形如解图所示 15、有两只晶体管,一只的200,ICEO200A;另一只的100,ICEO10A,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么? 解:选用100、ICBO10A的管子,因其适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。16、已知两只晶体管的电流放大系数分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其实

8、际方向,并在圆圈中画出管子。 解:答案如解图P1.14所示。 17、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表所示。解表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 18、 电路如图所示,晶体管导通时UBE0.7V,=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解:(1)当VBB0时,T截止,uO12V。 (2)当VBB1V时,因为 A 所以T处于放大状态。 (3)当VBB3V时,因为 A 所以T处于饱和状态。 19、电路如图所示,试问大于多少时晶体管饱和? 解:取UCESUBE,若管子饱和,则 所以,时,管子饱和。 20、电路如图所示,晶体管的50,|UBE|0.2V,饱和管压降|UCES|0.1V;稳压管的稳定电压UZ5V,正向导通电压UD0.5V。试问:当uI0V时uO?当uI5V时uO? 解:当uI0时,晶体管截止,稳压管击穿,uOUZ5V。 当uI5V时,晶体管饱和,uO0.1V。因为 21、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。解:(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。 (e)可能

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